|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
熒光納米晶液相懸浮芯片
將基于熒光納米晶液相懸浮芯片技術應用于重大疾病的臨床檢測方法。研發成功了基于熒光納米晶體的多指標檢測技術，掌握了熒光納米晶體、熒光微球的核心制備技術、抗體的偶聯技術以及臨床診斷的檢測技術等。
上海交通大學
2023-05-09
石膏晶須工業化生產
成果簡介本項目的技術是采用氯化鈣溶液與稀硫酸反應， 晶須模板劑存在時緩慢生長成為二水硫酸鈣晶須， 溶液中同時生成鹽酸溶液。 反應后的濾液與石灰石反應又重新生成氯化鈣溶液， 可以繼續與稀硫酸反應再次生成二水硫酸鈣晶須。 本項目實際是以石灰石和稀硫酸為主要原料制備二水硫酸鈣晶須， 具有工藝簡單， 成本低廉的特點， 并且生產過程中沒有廢水排放， 廢氣生成和廢渣產生成熟程度和所需建設條件已完成工業化生產中試。技術指標晶須長 5-50 微米， 直徑 1-
安徽工業大學
2021-04-14
晶盾?氧化鋁纖維毯
氧化鋁纖維晶盾®毯，是一種以莫來石晶相形式存在耐火纖維，采用化學“膠體法”制成母液，經噴吹法或甩絲法成纖制得胚棉，后段燒等工藝處理生產的纖維。氧化鋁纖維毯，可應用于1250℃—1500℃各行業的高溫領域。產品特性：渣球含量低，顏色潔白，原料純度高耐高溫，高溫穩定性好低熱導率，高溫加熱線收縮小化學性能穩定，耐侵蝕性能強纖維直徑均勻，抗拉強度高主要技術性能指標： 氧化鋁纖維晶盾®毯代碼LYL
山東魯陽節能材料股份有限公司
2021-08-30
揚州晶明科技有限公司
揚州晶明專業提供應變測試、振動測試整體解決方案，專業生產動態信號測試分析系統、無線遙測設備、動靜態應變測試分析系統、模態測試分析系統、動靜態應變儀、振動測試儀、信號激勵系統、傳感器等。我們的產品主要應用于高等院校、科研院所、航空航天、國防軍工、交通橋梁、工礦企業的振動、噪聲、應變、爆炸、沖擊等工程測試。我們能為用戶提供從信號源、 功率放大器、激振設備、傳感器、信號調理器、數據采集器到信號分析處理等全套設備，能為用戶提供測試和檢測完整的解決方案。
我們的無線應變、無線加速度、無線振弦、無線電壓模塊、靜態應變儀、動態應變儀、電荷放大器、數據采集分析系統等產品已得到廣泛應用和客戶的一致好評，在滿足試驗室測試需要外，重點為工程測試項目提供更輕便，靈活和耐用的專業測試儀器。揚州晶明在廣大客戶的支持下，將不斷研發新一代測試設備，為廣大客戶提供更新的測試技術，更好地回報廣大客戶對公司的支持。
揚州晶明科技有限公司
2021-01-15
晶潤系列護眼錄播教室燈
了解更多產品詳情，請與我們聯系?180 6798 3675
公司官網：https://www.lierda.com
浙江利爾達客思智能科技有限公司
2021-08-23
晶潤系列護眼錄播教室燈
了解更多產品詳情，請與我們聯系?180 6798 3675
公司官網：https://www.lierda.com
浙江利爾達客思智能科技有限公司
2021-08-23
【央廣網】天津市特色化示范性軟件學院協同發展聯盟成立
2025年4月2日，央廣網以《天津市特色化示范性軟件學院協同發展聯盟成立》為題對我校進行了報道。
天津市大學軟件學院
2025-05-21
超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發明提供一種超晶格結構的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術領域。本發明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發明的優點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現了Cr-N基膜成分多元化和結構多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業大學
2021-04-14
低成本納米微晶陶瓷制備技術
本項目開發了一種全新概念的納米陶瓷制備新工藝新技術。它采用天然礦物和工業廢渣來取代高溫燒結法中昂貴的納米陶瓷粉末，使制備成本大幅降低。用高溫溶膠－凝膠工藝從根本上解決了材料組成的不均勻性和殘留氣孔等問題，同時具有生產周期短、效率高、能耗低、制品的均勻性和可靠性好等優點。開發的原位受控晶化技術不僅使材料的晶粒尺寸控制在納米級，而且還可對晶相數量和結晶形狀進行有效控制，可獲得具有球狀或針狀晶體的納米微晶陶瓷。
湖南大學
2021-04-10
全自動激光晶圓劃片機系統
電路是以晶圓為載體，采用一定的工藝，把電路中的元器件和布線制作在晶圓片上，封裝為 一個整體，使晶圓上每個晶粒成為具有所需電路功能的微型結構。晶圓切割的過程是將集成有 電路的整片晶圓通過劃切分割成單個的晶粒，切割過程又是一種無法恢復的過程，因此，材料 和制造成本的積累以及工藝的不可重復性決定了切割工藝成為整個集成電路制造過程中最關鍵 和難度最大的工藝環節。 精密機械：可加工的晶圓最小直徑可達50mm，在晶圓里面印刷有晶格，每個晶格的寬度 為200μm，晶格間距約為20μm，所以設備的切割精度要求控制在2μm以內，每小時切割15片。 運動平臺采用高精度的直線電機平臺，定位精度為2μm，重復定位精度為1μm；旋轉平臺的定 位精度為30″，重復定位精度為4″。 計算機自動控制：劃片機系統將根據客戶要求以及配合視覺檢測系統傳輸的晶圓數據，自 動生成切割路徑，在規定的工作時間內完成晶圓的切割。
華東理工大學
2021-04-11