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本發明公開了一種高轉矩密度的磁場調制型磁力齒輪，包括由 外到內依次同心嵌套排列的永磁外定子、調制轉子和永磁內轉子；永 磁外定子與調制轉子之間、調制轉子與永磁內轉子之間均具有氣隙； 永磁外定子的外定子鐵心內表面開有梯形槽，梯形槽內端兩側開有退 磁抑制槽；梯形槽內嵌有切向極化的倒梯形的外定子永磁體；退磁抑 制槽起到抑制外定子永磁體局部退磁的作用；調制轉子包括多個調磁 鐵軛和多個嵌有沖孔的非導磁材料，相鄰調磁鐵軛間嵌有沖孔的非導 磁材料；永磁內轉子包括有外到內依次同心嵌套的內轉子永磁體和內 轉子鐵心；其內

產品詳細介紹SZCL-2數顯智能控溫磁力攪拌器|電熱套加熱 智能控溫,溫度數顯，電熱套加熱 ,有內置外置傳感器。電熱套25，50,100,150,250,500，1000,2000,3000,5000,10000,20000毫升全是一次成型、防腐、注塑殼。 技術參數: 控溫精度;+-1度(±1℃)控溫精度高。 控溫范圍;室溫--300度, 轉速;1800轉/分. SZCL-2系列數顯智能控溫磁力攪拌器參數 產品名稱 型號 攪拌容量 (ml) 單位   說明 智能控溫電熱套加熱 磁力攪拌器 SZCL-2 25 臺   智能控溫,溫度數顯，電熱套加熱 , 有內置外置傳感器。 電熱套25，50,100,150,250,500毫升 全是一次成型、防腐、注塑殼。 50 臺   100 臺   150 臺   250 臺   500 臺   1000 臺   2000 臺   3000 臺   5000 臺   10000 臺   20000 臺   CL系列磁力攪拌器技術參數比較：  序號 型號 控溫精度 控溫范圍 攪拌容量 控溫方式 轉速R/min 主要技術參數 1 CL-1A 無 無 20-3000ml 無 1800 磁力攪拌，不加熱，大功率攪拌，不銹鋼面帶立桿。 2 CL-2 ±3℃ 室溫-300℃ 25-500ml 調壓 1800 電熱套加熱，調壓調溫。可接接點式溫度計 3 SZCL-2 ±1℃ 室溫-300℃ 25-20000ml 智能 1800 電熱套加熱，智能調溫。有內置外置傳感器。 4 CL-2A ±3℃ 室溫-300℃ 50-1000ml 調壓 1800 活電熱套加熱，調壓調溫。50-500ml可互換， 5 SZCL-2A ±1℃ 室溫-300℃ 25-1000ml 智能 1800 活電熱套加熱，智能調溫。50-500ml可互換， 6 CL-3 ±3℃ 室溫-300℃ 1000-20000ml 調壓 1800 電熱套加熱，大功率攪拌，無極調速，調壓調溫。 7 CL-3A ±3℃ 室溫-300℃ 250-2000ml 調壓 1800 電熱套加熱，不銹鋼活鍋，調壓調溫。可接接點溫度計 8 SZCL-3A ±1℃ 室溫-300℃ 250-2000ml 智能 1800 電熱套加熱，不銹鋼活鍋，智能調溫。 9 CL-3B ±3℃ 室溫-300℃ 250-1000ml 調壓 1800 活鍋，活套，調壓調溫。 10 SZCL-3B ±1℃ 室溫-300℃ 250-1000ml 智能 1800 活鍋，活套，智能調溫。 11 CL-4 ±3℃ 室溫-150℃ 2000ml 調壓 1800 平板加熱，磁力攪拌，不銹鋼板面，調壓調溫 12 SZCL-4 ±1℃ 室溫-300℃ 2000ml 智能 1800 平板加熱，磁力攪拌，不銹鋼板面，智能調溫 13 CL-4A ±3℃ 室溫-150℃ 2000ml 調壓 1800 平板加熱，磁力攪拌，鋁板板面，調壓調溫 14 SZCL-4A ±1℃ 室溫-300℃ 2000ml 智能 1800 平板加熱，磁力攪拌，鋁板板面，智能調溫 15 CL-4B ±3℃ 室溫-150℃ 2000ml 調壓 1800 平板加熱，磁力攪拌，高頻紅外線加熱，調壓調溫。 16 SZCL-4B ±1℃ 室溫-300℃ 2000ml 智能 1800 平板加熱，磁力攪拌，高頻紅外線加熱，智能調溫。  

        SY18-1控溫采用Pid自動控溫，使用更加安全，控溫更精確，到達設定溫度快，溫沖小，使用壽命更長，攪拌轉速能恒速，低速50r/min也很恒定，以10r/min一級遞增，轉速顯示很正確。定時時間長達9999分鐘，具有溫度、轉速雙顯示。溫度設定和測量由臺面與介質自動切換功能。

石墨烯中電子除了自旋這個內秉自由度，還有子格贗自旋和谷贗自旋自由度。石墨烯中電子的多自由度給石墨烯帶來了很多新奇的物理性質。單原子缺陷是材料體系中最簡單的缺陷形式，可以作為一種模型體系來幫助了解缺陷對材料性質的影響和調控。物理學系何林教授課題組長期致力于研究石墨烯中的單原子缺陷，發現缺陷可對石墨烯中自旋、子格贗自旋和谷贗自旋相關的電學性質產生深刻影響。例如，他們利用掃描隧道顯微鏡（STM）首次證實石墨烯中單原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上實現了對其自旋磁矩調控，實現了三種自旋量子態；觀測到石墨烯中單原子缺陷引入的對稱性破缺態，并系統地測量了缺陷附近谷極化和谷依賴的自旋極化在實空間的分布情況。 石墨烯中電子的子格贗自旋來自于其六角晶格結構，有A和B兩套子格，因此波函數數學形式上類似于自旋。對于電子自旋有很多有意思的可觀測物理現象，那么對應石墨烯中的子格贗自旋是否有可觀測的物理現象呢？帶著這一問題，何林教授課題組開展了深入研究。他們發現石墨烯中的單原子缺陷可以使準粒子在石墨烯手性不同的兩個谷之間發生彈性散射，并伴隨著子格贗自旋的旋轉，在缺陷附近產生一個原子尺度的子格贗自旋渦旋，而贗自旋在渦旋（單原子缺陷）的繞數直接反映了體系的Berry相位（圖1）。通常來說，貝利相位的測量需要借助于外加磁場，因為磁場可以驅動準粒子沿閉合的軌跡絕熱運動，所以這一的結果提供了一個簡單的方法測量不同層石墨烯Berry相位的方法。何林教授課題組利用STM測量單原子缺陷引起的谷間散射形成的電荷密度波振蕩，證明電荷密度波振蕩在實空間中增加的額外波前條紋數直接反映了子格贗自旋在渦旋的繞數，從而可直接測量不同層石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他們對雙層石墨烯進行了詳細的研究，并將相關結果推廣到多層石墨烯體系。進一步他們還研究了相同和相反繞數的子格贗自旋渦旋的量子干涉。上述結果直接證明了子格贗自旋有很多豐富有趣的物理現象亟待深入研究，也為子格贗自旋物理提供了全新的研究思路。

石墨烯中電子除了自旋這個內秉自由度，還有子格贗自旋和谷贗自旋自由度。石墨烯中電子的多自由度給石墨烯帶來了很多新奇的物理性質。單原子缺陷是材料體系中最簡單的缺陷形式，可以作為一種模型體系來幫助了解缺陷對材料性質的影響和調控。物理學系何林教授課題組長期致力于研究石墨烯中的單原子缺陷，發現缺陷可對石墨烯中自旋、子格贗自旋和谷贗自旋相關的電學性質產生深刻影響。例如，他們利用掃描隧道顯微鏡（STM）首次證實石墨烯中單原子空位缺陷存在局域自旋磁矩，并在原子尺度上實現了對其自旋磁矩調控，實現了三種自旋量子態；觀測到石墨烯中單原子缺陷引入的對稱性破缺態，并系統地測量了缺陷附近谷極化和谷依賴的自旋極化在實空間的分布情況。 石墨烯中電子的子格贗自旋來自于其六角晶格結構，有A和B兩套子格，因此波函數數學形式上類似于自旋。對于電子自旋有很多有意思的可觀測物理現象，那么對應石墨烯中的子格贗自旋是否有可觀測的物理現象呢？帶著這一問題，何林教授課題組開展了深入研究。他們發現石墨烯中的單原子缺陷可以使準粒子在石墨烯手性不同的兩個谷之間發生彈性散射，并伴隨著子格贗自旋的旋轉，在缺陷附近產生一個原子尺度的子格贗自旋渦旋，而贗自旋在渦旋（單原子缺陷）的繞數直接反映了體系的Berry相位（圖1）。通常來說，貝利相位的測量需要借助于外加磁場，因為磁場可以驅動準粒子沿閉合的軌跡絕熱運動，所以這一的結果提供了一個簡單的方法測量不同層石墨烯Berry相位的方法。何林教授課題組利用STM測量單原子缺陷引起的谷間散射形成的電荷密度波振蕩，證明電荷密度波振蕩在實空間中增加的額外波前條紋數直接反映了子格贗自旋在渦旋的繞數，從而可直接測量不同層石墨烯的Berry相位。最近的工作中，他們對雙層石墨烯進行了詳細的研究，并將相關結果推廣到多層石墨烯體系。進一步他們還研究了相同和相反繞數的子格贗自旋渦旋的量子干涉。上述結果直接證明了子格贗自旋有很多豐富有趣的物理現象亟待深入研究，也為子格贗自旋物理提供了全新的研究思路。

若將氧化物變薄到乃至單層，其表面自由能受基底金屬的調制會向金屬表面自由能靠近（化學勢的混合），此時沉積在薄層氧化物上的金屬就有可能處于高分散狀態。研究人員在 Cu(110) 單晶表面生長單層 CuO 薄膜，再沉積鉑 (Pt) 金屬原子，得到 400 K 以上熱穩定的 Pt 單原子模型催化劑。若將氧化物層厚度增加，相同沉積量的 Pt 原子則在室溫下便會團聚，形成金屬團簇。這種負載型金屬單原子模型催化體系的制備方法簡單易行，不需要通過吸附分子或者嵌入晶格來穩定金屬單原子。

納米石墨烯是經由有機合成路線制備的稠合苯環組成的納米片狀材料，其結構可以在有機合成過程中精確控制，并通過碳譜、氫譜等手段表征。研究團隊以自制的納米石墨烯、商業化的含氮化合物、鐵鹽和二維石墨烯為前驅體，經過高溫焙燒和酸洗處理，最終得到了高效的酸性氧還原催化劑。催化劑合成過程中，高溫條件下三聚氰胺提供的氮原子傾向于取代納米石墨烯的邊緣碳原子，并以此錨定

提出了一種簡便的制備方法，采用苯胺錨定和微波還原等技術手段，得到了完全分散在石墨烯上的鉑原子位點。這些分散的鉑原子位點最大限度地利用了鉑的催化性能，從而大大降低了鉑的用量，顯著提高了鉑的質量活性。實驗結果表明，在鉑的用量降低到商業鉑碳催化劑的1/50的條件下，仍然能達到商業鉑碳催化劑的性能。同時，苯胺錨定可以防止鉑原子在催化過程中聚集，從而提高了催化劑的穩定性。 在對鉑單原子催化劑的研

本發明公開了一種原子層沉積前驅體輸出裝置，該輸出裝置由裝載前驅體的鋼瓶（101），緩存腔（103），連接所述鋼瓶（101）與緩存腔（103）的第一開關閥（102），位于所述緩存腔腔體內且與所述緩存腔腔體氣密性良好的運動活塞（104），以及控制輸出主管路的第二開關閥（105）構成。本發明通過固定空間的氣體體積變化，每次穩定的排出等量前驅體，保證定量輸出前驅體，能夠更好的適應于前驅體用量優化分析及在線監測系統分析。

本發明公開了一種原子力探針位姿調節裝置,包括探針座，調節 機構和連接頭。其中探針座用于原子力探針的安裝固定；調節機構包 括由下至上的第一調節部件、第二調節部件、第三調節部件、第四調 節部件以及第五調節部件，分別用于原子力探針的里外水平偏擺、左 右水平、上下旋轉、上下俯仰以及上下豎直位姿調節；連接頭用于與 原子力探針測量系統的顯微物鏡相連。本發明能夠實現原子力探針任 意姿態的細微調節，各個調節動作相互獨立，互不影響，提高了探針 姿態的調節精度；且能夠對調節后的位姿進行鎖定，使其保持穩定， 進一步保證原子力探針測量系統的穩定性和精度。