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一種標記蘋果授粉后花粉管微絲細胞骨架的試劑盒及方法
本發明屬于植物生物技術領域，涉及一種標記蘋果授粉后花粉管微絲細胞骨架的試劑盒及方法。先提供一種標記蘋果授粉后花粉管微絲細胞骨架的試劑盒，包括：花柱固定液試劑A，花柱洗滌液試劑B，微絲染料試劑C和胼胝質免疫熒光試劑D。再應用所述試劑盒標記微絲細胞骨架，步驟為：1)取授粉的花柱；2)用花柱固定液試劑A對花柱固定；3)用花柱洗滌液試劑B對花柱洗滌；4)用微絲染料試劑C和胼胝質免疫熒光試劑D的混合溶液對花柱染色；5)對花柱滴加抗熒光猝滅劑，在激光共聚焦顯微鏡下觀察花柱中花粉管微絲細胞骨架。本發明所述試劑盒和方法實現了快速、靈敏、準確、簡便地觀察蘋果花粉管內微絲骨架的結構與排列方式。
中國農業大學
2021-04-11
清華大學任天令教授團隊首次實現亞1納米柵長晶體管
清華大學集成電路學院任天令教授團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破，首次實現了具有亞1納米柵極長度的晶體管，并具有良好的電學性能。
清華大學
2022-03-11
一種內置PVC-FRP管高強混凝土芯柱的鋼管混凝土異形柱的制作方法
（專利號：ZL 201310543020.9） 簡介：本發明公開了一種內置PVC-FRP管高強混凝土芯柱的鋼管混凝土異形柱的制作方法，屬于土木工程技術領域。該組合柱的制作方法為：（1）制作PVC-FRP管；（2）在PVC-FRP管內綁扎鋼筋，澆筑混凝土，制成PVC-FRP管高強混凝土芯柱；（3）在PVC-FRP管高強混凝土芯柱外綁扎鋼筋，制作帶加勁肋的異形鋼管；（4）在PVC-FRP管高強混凝土芯柱和異形鋼管內澆筑混凝土，制成內置PVC-
安徽工業大學
2021-01-12
一種去阻調距加補風的旋轉導向管噴動床糧食干燥裝置
項目簡介 本項目涉及新型噴動床糧食干燥設備領域，主要用于糧食干燥。采用一種去除啟動 阻力即去阻和靈活調節導噴距即調距的噴動床結構，獨立設計噴動床環隙區糧食的補風 結構，融合旋轉導向管噴動床直徑放大結構，提供一種具有新的干燥特性和操作能力的 批式糧食噴動床干燥裝置。整個裝置相對于現有的噴動床干燥設備，表現出了整體綜合 創新后具有了新的干燥性能、操作性能和放大能力的優點。本發明裝置適用于大麥、小 麥、水稻、大豆和玉米的批式干燥。成果已取得發明專利授權，發明
江蘇大學
2021-04-14
DT640硅二極管溫度傳感器低溫溫度測量裸片溫度計
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-01-21
DT640硅二極管溫度計溫度傳感器低溫測量儀器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-21
DT640硅二極管溫度計溫度傳感器低溫測量儀器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
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※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-04-11
硅烷偶聯劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料及其制備方法和應用
本發明公開了一種硅烷偶聯劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料及其制備方法和應用。該硅烷偶聯劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料主要由二氧化鈦納米管陣列、硅烷偶聯劑、有機溶劑和冰醋酸混合后反應得到，可應用于處理含有機污染物和/或重金屬污染物的廢水中。本發明的硅烷偶聯劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料氧化還原能力強，可同時去除有機污染物和重金屬污染物，且去除效果好，可反復使用。
湖南大學
2021-04-10
硅烷偶聯劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料及其制備方法和應用
本發明公開了一種硅烷偶聯劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料及其制備方法和應用。該硅烷偶聯劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料主要由二氧化鈦納米管陣列、硅烷偶聯劑、有機溶劑和冰醋酸混合后反應得到，可應用于處理含有機污染物和/或重金屬污染物的廢水中。本發明的硅烷偶聯劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料氧化還原能力強，可同時去除有機污染物和重金屬污染物，且去除效果好，可反復使用。
湖南大學
2021-02-01
一種硫化銅與二氧化鈦納米管復合材料的制備方法
專利申請時，成果處于研發階段，技術處于國內空白。
西南交通大學
2016-06-28