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射頻識別（Radio Frequency Identification-RFID）技術被公認是21世紀最有發(fā)展前途的信息技術之一，已廣泛應用于生產(chǎn)、零售、物流、交通、醫(yī)療、消費、旅游、國防等各個領域。超高頻（UHF）RFID技術憑借其無源遠距離多標簽快速識別的優(yōu)勢，能廣泛應用于智能物流、智能交通、 物品質(zhì)量追溯、公共安全管理、智慧城市等物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)，顯著提高各行各業(yè)的管理效率，降低成本，具有最為廣闊的市場規(guī)模和發(fā)展?jié)摿?，已成為RFID及物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)下一個爆發(fā)式增長點。 本團隊在2008年度廣東省重大科技專項的支持下，研究突破了低功耗低壓射頻/模擬/數(shù)字電路及SOC架構、高效率整流電路、多標簽防碰撞、高穩(wěn)定時鐘電路等共性關鍵技術，掌握了基于CMOS工藝的高識別靈敏度的超高頻RFID標簽芯片設計、測試與驗證、質(zhì)量可靠性保障等核心技術，已獲得授權發(fā)明專利7項、公開的發(fā)明專利申請8項，發(fā)表論文30多篇。自主設計開發(fā)出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標準的四款超高頻RFID標簽芯片，通過了賽寶實驗室（工信部五所）的測試認證，超高頻RFID標簽芯片測試性能達到Impinj等國際主流公司同期同類產(chǎn)品技術指標。在此基礎上，自主設計開發(fā)出具有溫度感知功能的超高頻RFID標簽芯片、具有開關狀態(tài)數(shù)監(jiān)測的超高頻RFID標簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯(lián)網(wǎng)標簽芯片等樣品。 超高頻RFID標簽芯片主要技術指標： ？ 技術標準：ISO18000-6B/6C ？ 工作頻率：840-960MHz ？ 識別（讀?。╈`敏度：-15dBm ？ 讀寫距離：讀8 米/寫5 米(與天線形式及當?shù)責o線電頻率規(guī)范相關) ？ 識別速率：>100次/秒 ？ 存儲容量：256、512、1000bits ？ 前向鏈路速率：10-40kbps（6B）/40-160kbps(6C) ？ 反向鏈路速率：40-80kbps（6B）/160-640kbps(6C) ？ 工作溫度：-40 —850C ？ 數(shù)據(jù)保存時間：10年 ？ 寫入次數(shù)：100000

傳統(tǒng)的體外生理信號監(jiān)測如心電、腦電等基于濕電極在電極皮膚建立穩(wěn)定且低阻抗的接觸,需要凝膠，不易佩戴且容易滋生細菌感染等。使用干電極是可穿戴和醫(yī)療健康芯片的必然趨勢。但目前的商業(yè)芯片在干電極下無法使用，存在諸多性能上的缺陷，諸如功耗、輸入阻抗、共模抑制比等方面均無法滿足要求。在對國內(nèi)外相關技術的研究和綜述的基礎上，我們提出了提出一種基于干電極的信號采集芯片。經(jīng)流片驗證，可以提供足夠的空間分辨率，功耗在μW級別。同時該技術采用了實驗室積累多年的低功耗集成電路設計技術。以下是兩款超低功耗干電極腦電與心電采集芯片及其應用場景。其中腦電芯片可以在耳道采集腦電信號，方便舒適，易于集成，其產(chǎn)業(yè)化已經(jīng)在逐步推行。

1.本外觀設計產(chǎn)品的名稱：LED 芯片高速自動分選機。2.本外觀設計產(chǎn)品的用途：用于對 LED 芯片執(zhí)行自動分選的裝置。3.本外觀設計的設計要點：分選機的整體形狀和圖案，及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設計要點的圖片或者照片：立體圖。5.該裝置的頂面和底面未涉及產(chǎn)品設計要點且不常見，故省略俯視圖和仰視圖。

自主設計開發(fā)出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標準的四款超高頻RFID標簽芯片，通過了賽寶實驗室（工信部五所）的測試認證，超高頻RFID標簽芯片測試性能達到Impinj等國際主流公司同期同類產(chǎn)品技術指標。在此基礎上，自主設計開發(fā)出具有溫度感知功能的超高頻RFID標簽芯片、具有開關狀態(tài)數(shù)監(jiān)測的超高頻RFID標簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯(lián)網(wǎng)標簽芯片等樣品。

超高速模數(shù)轉換器是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的核心,廣泛應用于寬帶通信、數(shù)據(jù)捕獲系統(tǒng)、軟件無線電、射頻消費類電子等領域,是國外長期禁運的核心電子元器件。

在后摩爾時代，發(fā)揮多功能、異質(zhì)集成技術的優(yōu)勢和特點，面向存儲系統(tǒng)應用，集成DDR3/DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等，構成具有多功能的存儲微系統(tǒng)芯片。

LED具有長壽命、節(jié)能環(huán)保、微型化等優(yōu)點，是目前最具競爭力的新一代綠色照明光源。突破高發(fā)光效率的功率型高端LED芯片技術，將加快實現(xiàn)LED在通用照明、可見光通信、高端顯示等領域的應用。在國家863計劃、廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)LED專項等重大項目的支持下，項目團隊成功開發(fā)出效率超過130lm/W的高壓LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒裝薄膜LED芯片，相關技術指標處于國內(nèi)領先水平。相關成果發(fā)表在Nanoscale Research Letters等國際權威期刊上，申請了22 項國家專利，其中已授

利用超表面與圖像傳感器集成的新方案實現(xiàn)快照式光譜成像芯片，結合計算光譜分析原理及重建算法，研制出了可見光波段、高精度的光譜成像芯片。

本發(fā)明公開了一種紅外聚光芯片。該芯片包括圓柱形的液晶調(diào)相架構，其包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；圖形化電極層由圓形導電膜和同心設置在圓形導電膜外圍的至少一個圓環(huán)形導電膜構成，圓形導電膜的直徑大于與其相鄰的圓環(huán)形導電膜的徑向寬

芯片是信息科技的基礎與推動力。然而，現(xiàn)有的硅基芯片制造技術即將觸碰其極限，碳納米管技術被認為是后摩爾技術的重要選項。相對于傳統(tǒng)的硅基CMOS晶體管，碳納米管晶體管具有明顯的速度和功耗綜合優(yōu)勢。IBM的理論計算表明，若完全按照現(xiàn)有二維平面框架設計，碳納米管技術相較硅基技術具有15代、至少30年以上的優(yōu)勢。此外，Stanford大學的系統(tǒng)層面的模擬表明，碳納米管技術還有望將常規(guī)的二維硅基芯片技術發(fā)展成為三維芯片技術，將目前的芯片綜合性能提升1000倍以上，從而將物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能等未來技術提升到一個全新高度。