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高性能鋰氟電池生產技術
和傳統電池相比，鋰氟電池以電壓穩定、適應溫度廣和體積輕等優點被運用在極端工作條件下，如植入式醫療器械供電設備、汽車報警器、輪胎測試器、工業控制主板，智能電子標簽和緊急疏散設備電源系統等。氟化碳納米管作為鋰氟電池的陰極材料，以良好的機械、光電、熱穩定以及生物兼容性受到電池材料行業的廣泛關注，它的可控制備是鋰氟電池制造中的關鍵技術所在。這項技術作為高能電池儲備項目，技術附加值極高，具有良好的應用前景和投資價值。 目前，氟化納米碳管的合成技術可以滿足大規模工業化生產的需求，相關生產技術難點均已得到有效解決。該項技術已經成功運用在美國Contour Energy System能源公司，使它成為世界上首家可以批量生產用于高性能鋰氟電池電極材料的公司。此項技術成熟度高，投資風險小，可持續性強。
北京航空航天大學
2021-04-13
高性能n-型有機半導體
在梯形雙噻吩酰亞胺小分子的基礎上，設計并成功合成了一系列具有半梯形結構的全受體類型均聚物PBTIn（n = 1-5），并深入研究了這些材料的構性關系。實驗表明，均聚物的聚合方法選擇至關重要，通過Stille和Yamamoto偶聯方法對比發現，Stille聚合能夠得到高分子量、低缺陷態、高性能的高分子半導體；采用全受體結構能夠有效拉低前沿軌道能級，基于這些均聚物材料的有機薄膜晶體管都表現出良好的單極性n-型性能，晶體管器件的關電流僅為10 ?9 -10 ?10 A，電流開關比高達10 6 ；晶體管遷移率性能與構建單元長度反向關聯，PBTI1的最高電子遷移率為3.71 cm 2 V -1 s -1 ，該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀錄，比PBTI5的電子遷移率高出兩個數量級。? 通過深入表征發現，這一系列全受體類型均聚物表現出來的晶體管遷移率趨勢與其半導體薄膜結構有序度直接相關。拉曼光譜表明，梯形構建單元共軛長度的增加帶來較大的單體間扭轉角，影響聚合物骨架的平面性。同步輻射X射線衍射表明，梯形構建單元的增長使得聚合物薄膜中π-π堆積方向的結晶性降低，不利于電子的分子間傳輸。這些結果表示，較長的單體結構會對聚合物薄膜形貌和載流子傳輸造成負面影響，因此發展更長的梯形構建單元對全受體類型均聚物遷移率的提升不會帶來幫助。該研究表明全受體結構是實現高性能單極性n-型聚合物材料的有效途徑，同時為n-型梯形小分子和聚合物的結構設計和發展提供重要參考依據。
南方科技大學
2021-04-13
高性能水性環氧固化劑
北京工業大學
2021-04-14
高性能納米瀝青的開發與研究
北京工業大學
2021-04-14
高性能自發熒光斷層成像重建方法
北京工業大學
2021-04-14
生產高性能鋁材的聯合新技術
以傳統鋁合金為基體，高溫熔煉時引入微納尺度的增強粒子，通過強化基體，制備出微納粒子強化鋁基復合材料；并在熔煉過程中選擇性施加電場、磁場、超聲場等物理場，制備的材料具有粒子生成效率高、產量大和高彌散分布的特征；進一步在復合磁場下進行連續鑄造成型，鑄態材料具有致密度高、晶粒細小、粒子彌散、組織差異小的特征。根據鋁合金組分含量差異進行差異性后處理：對于鑄造鋁合金，比如 ZL101 等，按照固溶時效制度處理后進入低溫時效循環處理；對于變形鋁合金，比如六系列和七系列鋁合金，鑄造成型后要進行均質處
江蘇大學
2021-04-14
高性能壓電材料制備技術及其應用
內容介紹： 本項目在研究壓電材料各向異性和微結構相圖基礎上，針對鈣鈦礦結 構壓電陶瓷和有機壓電聚合物，釆用獨特工藝，制備了高性能低成本壓 電陶瓷，實現了新型陶瓷成分設計、微結構表征和性能優化；結合第一 性原理密度泛函方法，建立了高性能有機壓電聚合物的組織設計、結構 調控、性能分析的理論和準則。
西北工業大學
2021-04-14
新型超高耐磨性能合金
提出通過晶粒結構納米化、晶界原子偏聚和引入高密度共格納米析出相的策略實現了合金在室溫及高溫環境下的超高耐磨性能。課題組研究人員在對合金相圖大量篩選和熱力學計算基礎上，選取等原子比TiMoNb合金為模型體系，從經典的強化機制出發設計成分和制備工藝，主要的強化思路包括以下幾個方面：一是固溶強化：Ti、Mo、Nb三種元素相互之間有著極大的固溶度，其中Mo
南方科技大學
2021-04-14
綠色環保、高性能復合結構材料
采用生態環保、高性能纖維復合結構材料，來代替傳統的資源型、高能耗的水泥、鋼材，建造工程結構構件，具有輕質高強、生態環保、可設計性好、耐久等特點，是綠色建材的重要研究方向工程復合木結構： 采用楊木等速生樹種為主要原料，通過高性能的環保
南京工業大學
2021-04-14
高性能紅外光電探測器件
紅外光電探測器在國防軍事方面有重要的應用前景，比如紅外制導、紅外追蹤、夜視儀等等。目前國外使用的主流紅外光電探測器是基于碲鎘汞的制冷型探測器和氧化釩/非晶硅的非制冷型探測器。對于碲鎘汞探測器來說，一方面在高質量的材料生長上存在很大的挑戰；另一方面它需要輔助制冷裝置來提供 77 K 的低溫環境，極大地限制了其便攜性和廣泛使用性。而基于氧化釩/非晶硅的非制冷型探測器由于其熱輻射引發電阻變化的機制極大地限制了探測率（小于 10
南京大學
2021-04-14