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彈簧組件限位拉壓循環試驗巖石試樣固定裝置，由下位夾具和上位夾具組成，下位夾具包括與試驗機底部加載座連接的下接頭、固定試樣的下端帽、連接下接頭與下端帽的下鏈條、第一中心限位機構、第二中心限位機構和第一液壓機構；上位夾具包括與試驗機頂部加載座連接的上接頭、固定試樣的上端帽、連接上接頭與上端帽的上鏈條、第三中心限位機構、第四中心限位機構和第二液壓機構；各中心限位機構均由彈簧限位組件、支撐件和轉接板組成，彈簧限位組件包括圓環形支座、三根螺桿、三個帶有外螺紋和內螺紋的螺套、三根限位彈簧和三個限位體；第一液壓機構、第二液壓機構均包括圓環形活塞及與圓環形活塞組合的圓環形油缸。

本發明公開了一種實現氣動肌肉對拉機制的動力輸出裝置，包括支撐架，支撐架上安裝有第一氣動肌肉、第二氣動肌肉、第一拉伸彈簧、第二拉伸彈簧和圓盤組件，圓盤組件通過水平轉軸安裝在支撐架上，圓盤組件包括依次安裝在水平轉軸上的第一圓盤、第一推動盤、第一轉動盤、動力輸出圓盤、第二轉動盤、第二推動盤和第二圓盤。本發明采用了第一氣動肌肉和第二氣動肌肉，從仿生學的角度出發，依據人的肌肉作用特點，將氣動肌肉對拉的理念運用到動力輸出裝置中，突破了氣動肌肉無法直接用于實現對拉機制的傳統思維，具有結構簡單、安全系數高、易于實現

本實用新型公開了一種實現氣動肌肉對拉機制的動力輸出裝置，包括支撐架，支撐架上安裝有第一氣動肌肉、第二氣動肌肉、第一拉伸彈簧、第二拉伸彈簧和圓盤組件，圓盤組件通過水平轉軸安裝在支撐架上，圓盤組件包括依次安裝在水平轉軸上的第一圓盤、第一推動盤、第一轉動盤、動力輸出圓盤、第二轉動盤、第二推動盤和第二圓盤。本實用新型采用了第一氣動肌肉和第二氣動肌肉，從仿生學的角度出發，依據人的肌肉作用特點，將氣動肌肉對拉的理念運用到動力輸出裝置中，突破了氣動肌肉無法直接用于實現對拉機制的傳統思維，具有結構簡單、安全系數高、

本發明公開了一種微型皮拉尼計與體硅器件集成加工的方法。集成加工的方法包括：在硅基片正面制備體硅器件所需的絕緣層及電路引線；在硅基片的背面或正面沉積一層絕緣隔熱材料，刻蝕去除其四周部分得到絕緣隔熱層；在絕緣隔熱層上制備加熱體和電極；在沒有加熱體的一面制備圖形化的光刻膠掩膜；在有加熱體的一面沉積金屬膜；將金屬膜粘貼在表面有氧化層的硅托片上；對有光刻膠掩膜的一面進行感應耦合等離子體干法刻蝕，刻穿硅基片；去除光刻膠掩膜和金屬膜，得到集成結構。本發明能有效提高皮拉尼計的制備與其它工藝的兼容性，解決皮拉尼計與體

產品詳細介紹手機信號屏蔽器(又名手機******/隔斷器/抑制器/截斷器/隔離器/會議信息保密機)是是我廠采用國外先進技術，針對主要針對國內高考、成人高考、自學考試及各類大專院校在考試過程中，一些不法分子利用手機作弊的現狀，且同時結合各類中級、高級中學學生利用手機在上課時間亂發短信的現狀，以及政機關、企業各類大中小型會議室、音樂廳、影劇院等嚴肅的場所中手機所帶來的煩惱和吵雜根據國內移動通信實際情況精心研制成功的高科技產品,它能在半徑1—20米范圍（50-250平方米）內隔斷GSM/CDMA/DCS/PHS/3G手機信號,使手機無法打出和接聽,但又不會干擾其它電子教學設備工作,手機離開隔斷范圍,即可恢復正常使用。還學校一份潔凈，還會議一份寧凈。 ※產品特點※ 1、  屏蔽GSM/CDMA/DCS/PHS/3G五路頻段 2、  采用鋁合金拉絲外殼，面板可以根據客戶需要貼牌或絲印標志（免費提供絲印服務） 3、  發射功率4W，每根天線1W 4、  有效屏蔽距離1-20米可調（出廠前根據客戶要求調試） 5、  對人體無任何損害   ※適用場所※ 1、  高考、成人高考、自學考試及各類大專院校 2、  黨政機關、企業各類大中小型會議室、音樂廳、影劇院 3、  看守所、勞改隊、大中小型監獄 4、  加油站、油庫、油田、加氣站等易燃易爆場所   ※售后服務※ 一年內包換、三年內包修   ※性能指標※     序號 技術標準 技術參數     1 CDMA/GSM頻段發射頻率 869-960MHz   2 DCS/PHS頻段發射頻率 1805-1920MHz   3 TD－SCDMA頻段發射頻率 2005-2035MHz   4 CDMA2000/WCDMA頻段發射頻率 2110-2170MHz   5 電源 電源輸入AC160V-240V 輸出DC 5V   6 尺寸 185mm(L)×137mm(W) ×60mm(H)   7 重量 約2000克   8 隔離范圍 1-20米（約50-250平方米）   9 可作用手機類型 所有3G手機/139/138/137/136/135/133/131/130/小靈通等   10 使用環 境條件 溫度 -10 to –55℃   相對濕度 ≤90%(RH)   大氣壓力 86-106kPa  

本發明公開了一種適用于陶瓷PTC裝配技術的拉膜與切膜裝置。包括送膜機構、拉膜機構和切膜機構，機架上沿薄膜傳送方向依次設有送膜機構、切膜機構和拉膜機構，切膜機構包括固定在機架上的壓板組件和刀片組件，壓板組件安裝在刀片組件上方；壓板組件包括前撐板氣缸、前撐板氣缸頂桿、前撐板、壓板、后撐板、壓板氣缸和壓板氣缸頂塊，拉膜機構包括拉膜電機、拉膜絲桿、拉膜滑軌和用于夾膜的拉膜夾板組件。本發明采用自動拉膜、切膜技術，相比手工拉膜、切膜技術，極大提高了生產效率。

在高晶體質量的狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測到手征反常導致的負磁電阻效應（Nat. Commun. 6, 10137 (2015)）；并借助于納米線比表面積大的優勢，測量到起源于拓撲表面態輸運的π A-B效應(Nat. Commun. 7, 10769 (2016); Phys. Rev. B 95, 235436（2017）)。 最近，他們通過輸運測量首次在狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測到連續體態和離散表面態耦合產生的Fano共振現象。研究表明直徑約為60 nm的Cd3As2納米線的表面態能帶會發生劈裂，通過柵壓調制費米能級到一個表面態子能帶的帶底時，會呈現出零偏壓微分電導峰；在磁場作用下，由于塞曼效應，零偏壓電導峰會發生劈裂，測量得到表面態的朗德因子為32；Fano共振進一步導致零偏壓微分電導峰隨偏置電壓具有非對稱的線形，并可能對材料中起源于“外爾軌道”的量子振蕩頻率產生修正。這項工作對于深入研究拓撲半金屬的輸運性質，以及設計實現可電學調控的Fano體系有著重要意義。圖1. Cd3As2納米線中量子限制效應引起的電導振蕩；(b)柵壓調制的微分電導譜。