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本發(fā)明公開了ZmCCT9在調(diào)控玉米開花期性狀中的應(yīng)用。實(shí)驗(yàn)證明。本發(fā)明公開的ZmCCT9為如下A1)、A2)或A3)：A1)氨基酸序列是序列3的第1?275位的蛋白質(zhì)；A2)將序列表中序列3的第1?275位所示的氨基酸序列經(jīng)過一個(gè)或幾個(gè)氨基酸殘基的取代和/或缺失和/或添加且具有相同功能的蛋白質(zhì)；A3)在A1)或A2)的N端或/和C端連接標(biāo)簽得到的融合蛋白質(zhì)。實(shí)驗(yàn)證明，本發(fā)明的ZmCCT9及其編碼基因可以調(diào)控植物的開花期，導(dǎo)入ZmCCT9編碼基因并表達(dá)ZmCCT9的植物開花期延長(zhǎng)，敲除ZmCCT9編碼基因的植物開花期縮短，表明，ZmCCT9及其編碼基因可以用來調(diào)控植物開花期。

本發(fā)明涉及基因工程技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了VvSUC27基因(GenBank登錄號(hào)：AF021810)在促進(jìn)植物攝取外界蔗糖中的應(yīng)用以及其在促進(jìn)植物生長(zhǎng)(尤其是在弱光環(huán)境或無光環(huán)境中生長(zhǎng))中的應(yīng)用。本發(fā)明通過過表達(dá)VvSUC27基因，促進(jìn)了植物攝取外界蔗糖，同時(shí)可使轉(zhuǎn)基因植物出現(xiàn)快速生長(zhǎng)的表型，并且可以在微光甚至使無光下快速生長(zhǎng)，證實(shí)了該基因的一個(gè)新的功能應(yīng)用。VvSUC27基因的克隆和轉(zhuǎn)基因的應(yīng)用，有望應(yīng)用于肉質(zhì)根或塊根植物及花卉等植物的培育中，使得植物即使在無光下也能快速生長(zhǎng)，有利于節(jié)約光能減少能源的浪費(fèi)。

本發(fā)明公開了一種高增益低副瓣的毫米波封裝天線，包括引線框架，引線框架上設(shè)有毫米波IC芯片和毫米波天線，毫米波IC芯片與毫米波天線之間實(shí)現(xiàn)高頻互連，還包括封裝罩，封裝罩將毫米波IC芯片與毫米波天線密封在引線框架內(nèi)，毫米波天線包括輻射單元，封裝罩上對(duì)應(yīng)毫米波天線輻射單元的位置處設(shè)有喇叭狀凹槽，喇叭狀凹槽的槽壁表面被金屬覆蓋。本發(fā)明通過在封裝罩上設(shè)計(jì)喇叭狀凹槽，能夠有效提升天線的增益，降低天線的副瓣電平，并且不影響回波損耗性能，從而能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、低成本和高性能的毫米波封裝天線。

該發(fā)明研制了一種超短波的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、不需另加中繼器、不需布傳輸線、不受天氣環(huán)境影響、通信穿透力強(qiáng)，且具有安裝方便、靈活、成本低廉，適應(yīng)多種電壓等級(jí)（如 380V/ 660V/1140V ），能穿過千米高山的遠(yuǎn)程無線遙控水泵裝置。為了克服一般遠(yuǎn)程無線通信受天氣環(huán)境影響大、通信質(zhì)量較差、在野外增加中繼器增強(qiáng)信號(hào)不方便等缺點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜環(huán)境下的無線遠(yuǎn)程遙控供水。該裝置已在臨潼驪山間水井到西安科技大學(xué)水池遠(yuǎn)程遙控應(yīng)用 3 年多，運(yùn)行良好。

有效提高換熱器的傳熱能力是節(jié)能的重要途徑，通過采用更高性能的高效管即可實(shí)現(xiàn)。本裝置為采用新型傳熱方式（高真空度下的噴淋降膜蒸發(fā)）的新產(chǎn)品性能設(shè)計(jì)研制測(cè)試臺(tái)，可用于水及制冷工質(zhì)在水平光管及管束上的噴淋降膜蒸發(fā)傳熱性能試驗(yàn)，目的在于對(duì)降膜蒸發(fā)強(qiáng)化傳熱技術(shù)進(jìn)行研究與開發(fā)。用于制冷工質(zhì)的噴淋降膜蒸發(fā)傳熱性能試驗(yàn)裝置的研發(fā)在國(guó)內(nèi)尚未見公開報(bào)道，本裝置的設(shè)計(jì)與研制有創(chuàng)新性。測(cè)試臺(tái)主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。3）對(duì)水在水平光管及管束上的降膜蒸發(fā)過程進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究，工作參數(shù)（壓力、流量和溫度）范圍應(yīng)符合現(xiàn)有工程實(shí)際使用范圍，可對(duì)噴淋流量、熱流密度、飽和溫度、過熱度及幾何參數(shù)（管徑、間距、管型）等對(duì)換熱性能的影響進(jìn)行重點(diǎn)研究。 測(cè)試臺(tái)主要參數(shù)： 1） 殼程壓力（絕對(duì)壓力）   0.8 -1.0kPa 2） 制冷劑（水）流量   0.5-2.0 kg/m/min， 3） 噴淋水溫            5 ℃ 4） 冷凍水出口水溫      7 ℃ 5） 采用噴淋型式 6） 傳熱溫差最小可達(dá)2℃左右。 測(cè)量及控制精度： 1）測(cè)量精度要求：      溫度±0.1℃，流量±0.04 kg/min，絕對(duì)壓力±0.15% 2）控制精度要求 溫度±0.1℃，流量±0.1 kg/min，絕對(duì)壓力±0.5%， 溫度和流量采用全自動(dòng)控制。

西安科技大學(xué)煤礦支護(hù)研發(fā)中心王曉利教授創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)多年從事井下支護(hù)及材料研究，開發(fā)出的速聯(lián)膠凝材料，具有完全自主產(chǎn)權(quán)。在神東煤炭集團(tuán)公司布爾臺(tái)煤礦、補(bǔ)連塔煤礦底板快速硬化中得到了應(yīng)用。

西安科技大學(xué)從 1988 年開始就對(duì)煤層自燃火災(zāi)預(yù)測(cè)及防滅火新技術(shù)的研究與應(yīng)用。對(duì)煤的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和煤層自燃的特點(diǎn)，通過對(duì)煤自燃預(yù)測(cè)理論和防滅火新理論的系統(tǒng)研究，開發(fā)出了煤層自燃火災(zāi)預(yù)測(cè)技術(shù)和防滅火新技術(shù)，并重點(diǎn)在煤礦井下煤層自燃火災(zāi)的預(yù)測(cè)和防治中進(jìn)行了廣泛推廣和應(yīng)用，較好地解決了制約我國(guó)煤炭工業(yè)科技進(jìn)步的關(guān)鍵問題之 ——— 煤層自燃火災(zāi)的預(yù)測(cè)和防治問題，取得明顯的社會(huì)和經(jīng)濟(jì)效益，于 2002 年獲得了國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)。目前該技術(shù)已在全國(guó) 20 多個(gè)省得到應(yīng)用。

本發(fā)明公開了一種具有車削區(qū)溫度解耦功能的刀具，包括車削刀桿和安裝在車削刀桿上的刀片，在刀片內(nèi)有二個(gè)測(cè)試微細(xì)盲孔，分別用于布置高溫光纖光柵，一個(gè)盲孔位于刀具前刀面正下方，另一個(gè)盲孔亦位于刀片內(nèi)部，盲孔底部緊靠刀尖位置。所述一個(gè)盲孔的軸線垂直于切削刃，盲孔底部距離切削刃 0.2 至 0.8mm，盲孔距離前刀面為 0.5 至 1.2mm，并偏出刀尖 1 至 1.5mm 位置，用于測(cè)試刀屑接觸面的溫度分布。所述另一個(gè)盲孔距離刀尖外表面 0.2 至 0.5mm，盲孔軸線與前刀面夾角為 20 至 30°，并指向刀片內(nèi)部。本發(fā)明可以在車削微區(qū)域內(nèi)實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)測(cè)量，動(dòng)態(tài)特性好，能較好的對(duì)切削微區(qū)生熱進(jìn)行解耦，具有較強(qiáng)的微區(qū)域測(cè)試特性，較好的溫度動(dòng)態(tài)顯示特性，以及較高的測(cè)試精度。

利用大規(guī)模集成硅基納米光量子芯片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調(diào)控和量子測(cè)量。 （圖一）基于硅納米光波導(dǎo)的大規(guī)模集成光量子芯片(可實(shí)現(xiàn)對(duì)高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測(cè)量)       集成光學(xué)量子芯片技術(shù)，基于量子力學(xué)基本物理原理，使用半導(dǎo)體微納加工工藝實(shí)現(xiàn)單片集成光波導(dǎo)量子器件（包括單光子源、量子操控和測(cè)量光路，以及單光子探測(cè)器等），可以實(shí)現(xiàn)對(duì)量子信息的載體單光子進(jìn)行處理、計(jì)算、傳輸和存儲(chǔ)等。集成光學(xué)量子芯片具有集成度高、穩(wěn)定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此，該技術(shù)被普遍認(rèn)為是一種實(shí)現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的有效技術(shù)手段。      利用硅基納米光波導(dǎo)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的光量子芯片具有諸多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，例如與傳統(tǒng)微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強(qiáng)、以及工作波長(zhǎng)與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復(fù)雜度僅限于小規(guī)模的演示，如集成少數(shù)馬赫-曾德干涉儀對(duì)光子態(tài)進(jìn)行簡(jiǎn)單操控。因此，我們迫切需要擴(kuò)大集成量子光路的復(fù)雜性和功能性，增強(qiáng)其量子信息處理技術(shù)的能力，從而推進(jìn)量子信息技術(shù)的應(yīng)用。       相干且精確地控制復(fù)雜量子器件和多維糾纏系統(tǒng)是量子信息科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)難點(diǎn)。相對(duì)于目前普遍采用的二維體系量子技術(shù)，高維體系量子技術(shù)具有信息容量大、計(jì)算效率高、以及抗噪聲性強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn)。最近，多維度量子糾纏系統(tǒng)已分別在光子、超導(dǎo)、離子和量子點(diǎn)等物理體系中實(shí)現(xiàn)。利用光子的不同自由度，如軌道角動(dòng)量模式、時(shí)域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態(tài)。然而，實(shí)現(xiàn)高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態(tài)操控和量子測(cè)量，依然面臨很多困難和挑戰(zhàn)。       針對(duì)上述問題，英國(guó)布里斯托爾大學(xué)、北京大學(xué)、丹麥技術(shù)大學(xué)、德國(guó)馬普研究所、西班牙光學(xué)研究所和波蘭科學(xué)院的科研人員密切合作，并取得了突破性進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的多路徑加載高維量子態(tài)方式，即每個(gè)光子以量子疊加態(tài)的形式同時(shí)存在于多條光波導(dǎo)路徑，從而實(shí)現(xiàn)了一個(gè)高達(dá)15×15的高維量子糾纏系統(tǒng)。通過可控地激發(fā)16個(gè)參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復(fù)系數(shù)的高維度量子糾纏態(tài)。通過單片集成通用型線性光路，可對(duì)高維量子糾纏態(tài)進(jìn)行任意操控和任意測(cè)量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時(shí)，團(tuán)隊(duì)充分利用集成光路的高穩(wěn)定性和高可控性，實(shí)現(xiàn)了高保真度的高維量子糾纏態(tài)，如4、8和12維度糾纏態(tài)的量子態(tài)層析結(jié)果分別為96、87% 和 81%保真度，遠(yuǎn)超其他方式制備的高維量子糾纏態(tài)性能。       更重要的是，團(tuán)隊(duì)通過硅基納米光子集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了目前集成度最復(fù)雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個(gè)光量子元器件，包括16個(gè)全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個(gè)光學(xué)移相器、122個(gè)光束分束器、256個(gè)波導(dǎo)交叉結(jié)構(gòu)以及64個(gè)光柵耦合器，從而達(dá)到對(duì)高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測(cè)量。       研究進(jìn)一步利用該高維光量子芯片技術(shù)，驗(yàn)證高維度量子糾纏系統(tǒng)的強(qiáng)量子糾纏關(guān)聯(lián)特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導(dǎo)引不等式等，證明量子物理和經(jīng)典物理定律的重要區(qū)別。例如，對(duì)4維度量子糾纏態(tài)，實(shí)驗(yàn)觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數(shù)，不僅成功違背經(jīng)典物理定律61.9個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差，而且超過普通二維糾纏體系的最大可到達(dá)值的2.8個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差。研究還首次實(shí)現(xiàn)高維量子系統(tǒng)的貝爾自檢測(cè)和量子隨機(jī)放大等新功能，例如，對(duì)3維度最大糾纏態(tài)和部分糾纏態(tài)的自檢測(cè)保真度約為76%，對(duì)14維以下糾纏態(tài)均實(shí)現(xiàn)了量子隨機(jī)放大功能。

首次制備出了基于非鉛雙鈣鈦礦Cs2AgBiBr6的高質(zhì)量薄膜及其太陽能電池。對(duì)于傳統(tǒng)的鉛基鈣鈦礦材料，其結(jié)構(gòu)為APbX3, 如果用一個(gè)一價(jià)金屬和三價(jià)金屬來代替兩個(gè)鉛，即可形成結(jié)構(gòu)式為A2M+M3+X6的雙鈣鈦礦，又名冰晶石。雙鈣鈦礦是一個(gè)非常龐大的家族，理論計(jì)算可以形成這種組合的有超過9000種，目前有350種已經(jīng)被合成。根據(jù)計(jì)算，有11材料有潛力用于光伏器件。目前已經(jīng)被合成的有5種左右，但是鮮有雙鈣鈦礦電池報(bào)到。其主要原因在于很難制備高質(zhì)量的雙鈣鈦礦薄膜。通過自己搭建的低壓輔助設(shè)備首次制備出了高質(zhì)量的雙鈣鈦礦Cs2AgBiBr6薄膜，研究發(fā)現(xiàn)，該薄膜的熱穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于傳統(tǒng)的鉛基有機(jī)－無機(jī)雜化鈣鈦礦材料。將其用做吸光層，制備出了平面異質(zhì)結(jié)太陽能電池。基于該薄膜的電池在空氣中有很好的穩(wěn)定性，對(duì)于無空穴傳輸層的器件在空氣中放置超過4個(gè)月其效率沒有衰減。說明雙鈣鈦礦在太陽能電池的應(yīng)用中有非常大的潛力。相關(guān)成果發(fā)表在《Advanced Science》 （The Dawn of Lead-Free Perovskite Solar Cell: Highly Stable Double Perovskite Cs2AgBiBr6 Film, Adv. Sci. 2018, 5(3), 1700759）。