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項目簡介 地面上運行的水泵工作時要求有一定的安裝高度，即吸程，若泵至水面的距離高于 吸程，水泵就不能正常工作。目前，由于地表水位的日益下降，吸程不斷增加，很多柴 油機噴灌泵不能正常運行。針對這種應(yīng)用需求，開發(fā)出安裝高度達(dá) 15 米的射流—離心泵 裝置，裝置流量達(dá)到 20m3 /h 以上，能滿足無電地區(qū)噴灌、滴灌的需求。 適用范圍、市場前景 適用范圍：農(nóng)業(yè)節(jié)水灌溉等領(lǐng)域。 市場前景：結(jié)構(gòu)簡單、價廉物美、性能優(yōu)良等特點，市場前景看好。

在煉油、石油化工生產(chǎn)過程中，換熱器不僅是保證生產(chǎn)過程正常運轉(zhuǎn)不可缺少的設(shè)備，而 且是回收生產(chǎn)過程中存在的大量余熱并加以充分利用的重要設(shè)備。 調(diào)查顯示90%以上的換熱器存在污垢問題，在工業(yè)生產(chǎn)過程中由于污垢造成的浪費和損失 非常嚴(yán)重。在美國和英國等工業(yè)發(fā)達(dá)國家，污垢造成的總損失約占國內(nèi)生產(chǎn)總值的0.25%。污 垢是在與流體相接觸的過程中，固體表面上逐漸積聚起來的一層固態(tài)或軟泥狀物質(zhì)。污垢會降 低換熱設(shè)備運行效率，加大換熱設(shè)備的功率消耗。換熱器結(jié)垢后，不但造成換熱器能力下降， 裝置能耗增加，還導(dǎo)致?lián)Q熱器運轉(zhuǎn)周縮短，嚴(yán)重時將造成裝置加工能力下降甚至導(dǎo)致非計劃停 工檢修，影響裝置的安全穩(wěn)定長周期運行。 表面工程技術(shù)通過改變材料表面的特性，可以有效強化冷凝傳熱和防治污垢在傳熱表面的 沉積。因此，解決換熱設(shè)備，尤其是伴有相變傳熱的冷凝器等的結(jié)垢和傳熱強化問題，在日益 強調(diào)節(jié)能降耗的今天，具有特別重要的意義。相對于其他諸如添加功能化學(xué)品、采用流化床、 施加物理場等方法，表面工程技術(shù)方法具有更寬的適用范圍。 華東理工大學(xué)針對在用涂層熱阻高、壽命短等問題，開發(fā)出納米強化復(fù)合鎳基金屬涂層， 強化了涂層的阻垢耐蝕性能，并有很好的強化冷凝性能，并應(yīng)用到焦化裝置的富胺液加熱器， 節(jié)能效果顯著。

已有樣品/n64Mb ReRAM 芯片和內(nèi)嵌ReRAM IP 的SOC 由紫光國芯等單位共同設(shè)計，在實現(xiàn)基于ReRAM 存儲機理和單元特性的讀寫電路、芯片構(gòu)架、可測試性設(shè)計、冗余設(shè)計、糾錯設(shè)計和系統(tǒng)訪問管理等關(guān)鍵技術(shù)方面實現(xiàn)了突破和創(chuàng)新。兩款芯片均已經(jīng)在相關(guān)驗證系統(tǒng)完成了應(yīng)用演示等相關(guān)測試，其中64Mb ReRAM 芯片可成功實現(xiàn)數(shù)據(jù)文件、圖形文件及多媒體文件的讀寫編輯及實時播放操作，在功耗、速度和壽命等方面取得了令人滿意的效果。

本發(fā)明公開了一種阻性傳感器陣列測量裝置，所述阻性傳感器陣列為共用行線和列線的阻性傳感器陣列；該測量裝置包括：標(biāo)準(zhǔn)電阻行，其包括一行N個標(biāo)準(zhǔn)電阻，被增設(shè)于阻性傳感器陣列中，從而得到一個新的共用行線和列線的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個運算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線一一對應(yīng)，各運算放大器的反相輸入端、輸出端分別通過一根連接線與其所對應(yīng)行線連接；控制器，其具有至少(M+1)個IO端口以及至少N個ADC采樣端口，其中的(M+1)個IO端口與（M+1）個運算放大器的同相輸入端一一對應(yīng)連接，其中

"專業(yè)測量低阻的發(fā)明儀器：可測最低阻值0.000001Ω；在實際應(yīng)用中，還可測0.000001V的交流電壓和0.000001A的交流電流。 "

隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長，傳統(tǒng)計算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計算需求。與此同時，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過引入憶阻器新器件、模擬計算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實現(xiàn)計算能力的飛躍。 目前被廣泛使用的經(jīng)典馮·諾依曼計算架構(gòu)下數(shù)據(jù)存儲與處理是分離的，存儲器與處理器之間通過數(shù)據(jù)總線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，在面向大數(shù)據(jù)分析等應(yīng)用場景中，這種計算架構(gòu)已成為高性能低功耗計算系統(tǒng)的主要瓶頸之一：數(shù)據(jù)總線的有限帶寬嚴(yán)重制約了處理器的性能與效率，且存儲器與處理器之間存在嚴(yán)重性能不匹配問題。憶阻器存算一體系統(tǒng)把傳統(tǒng)以計算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu)，其直接利用阻變器件進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲與處理，通過將器件組織成為交叉陣列形式，實現(xiàn)存算一體的矩陣向量乘計算。憶阻器存算一體系統(tǒng)可以避免數(shù)據(jù)在存儲和計算中反復(fù)搬移帶來的時間和能量開銷，消除了傳統(tǒng)計算系統(tǒng)中的“存儲墻”與“功耗墻”問題，可以高效、并行的完成基礎(chǔ)的矩陣向量乘計算，未來極有潛力成為支撐人工智能等新興應(yīng)用的核心技術(shù)。 清華大學(xué)吳華強教授團隊實現(xiàn)了材料與器件、電路設(shè)計、架構(gòu)和算法的軟硬件協(xié)同等多方面原始創(chuàng)新，解決了系統(tǒng)精度損失等被廣泛關(guān)注的難題： 材料與器件創(chuàng)新。科研團隊選擇了電學(xué)特性穩(wěn)定的二氧化鉿作為憶阻層核心材料，提出了通過插入少量氧化鋁層來固定離子分布、抑制晶粒間界形成的新理論，提出了引入熱增強層的新原理器件結(jié)構(gòu)，成功抑制了憶阻器非理想特性的產(chǎn)生。 電路設(shè)計創(chuàng)新。開發(fā)了一套憶阻器與晶體管的混合電路設(shè)計方法，提出“差分電阻”設(shè)計思想，采取源線電流鏡限流設(shè)計，抑制了憶阻器電路中可能產(chǎn)生的各種計算誤差。 算法創(chuàng)新。提出了混合訓(xùn)練算法，僅用小數(shù)據(jù)量訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)并只更新最后一層網(wǎng)絡(luò)的權(quán)重，即可將存算一體硬件系統(tǒng)的計算精度達(dá)到與軟件理論值相同的水平。 “技術(shù)鏈”創(chuàng)新。從“單點技術(shù)突破”拓展到“技術(shù)鏈突破”，開發(fā)了針對憶阻器存算一體芯片的電子設(shè)計自動化（EDA）工具，打通了從電路模塊設(shè)計到系統(tǒng)綜合再到芯片驗證的設(shè)計全流程。 上述理論和方法發(fā)表于《自然》《自然·納米技術(shù)》《自然·通訊》等國際頂級期刊，以及被譽為“集成電路奧林匹克”的“國際固態(tài)電路大會”等頂級學(xué)術(shù)會議。研究成果被“國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖”和30多部綜述文章長篇幅引用。團隊已在該研究方向申請國內(nèi)外專利72項，其中30項已獲得授權(quán)，知識產(chǎn)權(quán)完全自主可控。 團隊已研制出全球首款憶阻器存算一體芯片和系統(tǒng)，集成了8個憶阻器陣列和完整的外圍控制電路，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了計算設(shè)備的算力。全系統(tǒng)的計算能效比當(dāng)前主流的人工智能計算平臺——圖形處理器（GPU）高兩個數(shù)量級。團隊還設(shè)計了一款基于130nm工藝研制的完整憶阻器存算一體芯片，在MNIST數(shù)據(jù)集上計算速度已超過市面上28nm工藝的四核CPU產(chǎn)品近20倍，能效有近千倍的優(yōu)勢。

項目成果/簡介:隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長，傳統(tǒng)計算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計算需求。與此同時，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過引入憶阻器新器件、模擬計算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實現(xiàn)計算能力的飛躍。

現(xiàn)有的有機氮測定方法主要基于差減法，存在多方面測定的累加誤差，結(jié)果難免不夠精確和可靠。本發(fā)明技術(shù)是一種體積排阻色譜聯(lián)用型氮檢測器及應(yīng)用，其對有機氮的檢測原理在于通過體積排阻色譜柱實現(xiàn)有機氮和無機氮的分離，然后通過石英螺旋管結(jié)合紫外氧化的方式將有機氮轉(zhuǎn)變?yōu)橄鯌B(tài)氮，通過紫外檢測器檢查硝態(tài)氮在220nm的紫外吸收，實現(xiàn)定量分析。

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