葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

廣泛應(yīng)用于汽車、鍋爐及裝備制造等行業(yè)的不銹鋼焊管是我國(guó)鋼鐵行業(yè)重點(diǎn)發(fā)展的高端不銹鋼精品深加工產(chǎn)品，其由鋼帶卷制成管而由鎢極氬弧焊接（TIG）而成，但在高速焊接生產(chǎn)過程中會(huì)出現(xiàn)咬邊和駝峰焊道成形缺陷，成為不銹鋼管高效焊接生產(chǎn)的技術(shù)“瓶頸”和行業(yè)技術(shù)發(fā)展的堵點(diǎn)、難點(diǎn)。基于此，通過研究揭示不銹鋼管TIG焊接生產(chǎn)提速后出現(xiàn)的咬邊、駝峰焊道表面成形缺陷形成機(jī)理，提出利用輔助TIG電弧對(duì)熔池進(jìn)行熱力聯(lián)合調(diào)控抑制高速TIG焊接過程中咬邊和駝峰焊道的形成，發(fā)明了列置雙TIG電弧（Tandem TIG）高效低能耗焊接工藝，將咬邊和駝峰焊道缺陷防止在萌芽狀態(tài)；與單TIG焊相比，焊接速度提高1倍以上，能耗降低20%以上，很好地解決了焊接高質(zhì)量和高效率難平衡的問題；開發(fā)了鎢極燒蝕在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)和不銹鋼管在線固溶熱處理系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了不銹鋼管高效、低能耗、低成本焊接生產(chǎn)，提升了不銹鋼焊管行業(yè)技術(shù)水平。在此基礎(chǔ)上，基于相同熱力調(diào)控理念開發(fā)了TIG電弧輔助MIG/MAG電弧高速焊接工藝，焊接速度提高75%。項(xiàng)目累計(jì)授權(quán)發(fā)明專利5件，制定團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng)，工信部認(rèn)定節(jié)能技術(shù)1項(xiàng)，獲中國(guó)專利優(yōu)秀獎(jiǎng)等科技獎(jiǎng)勵(lì)6項(xiàng)。項(xiàng)目成果推動(dòng)和引領(lǐng)不銹鋼焊管生產(chǎn)向高效、低能耗方向發(fā)展，具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用前景。 （a）工藝原理 （b）列置雙TIG電弧和熔池圖像 圖1 列置雙TIG電弧高速焊接工藝原理 （c）鐵素體不銹鋼焊管 （d）奧氏體不銹鋼焊管 圖2 不銹鋼管列置雙TIG電弧高速焊接生產(chǎn) 圖3 鎢極燒損在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng) 圖4 奧氏體不銹鋼管高速焊接生產(chǎn)過程中在線固溶熱處理工藝流程

XM-903成人牙列放大模型 ? XM-903成人牙列放大模型可拆分為2部件，顯示乳牙中切牙、乳側(cè)切牙、乳尖牙、第一磨牙和第二乳磨牙的位置、毗鄰牙冠、牙頸、牙根以及它們之間的排列關(guān)系。 尺寸：放大，27×24×18cm 材質(zhì)：PVC材料

中國(guó)發(fā)明專利ZL202210046308.4：采用無(wú)乳化劑、無(wú)有機(jī)交聯(lián)劑的微流控法制備規(guī)整球形的海洋高分子微球，微球?qū)嵭幕蚩招摹⒘剑?00納米-50微米）、微觀結(jié)構(gòu)可控可調(diào)，可作為吸附材料、藥物香精等載體材料的應(yīng)用。

        技術(shù)成熟度：技術(shù)突破         研發(fā)團(tuán)隊(duì)以設(shè)計(jì)制備寬光譜超材料吸收器和像元級(jí)集成紅外探測(cè)器為研究主線，在超薄寬帶高吸收原理與策略、材料/器件設(shè)計(jì)與制備方面取得了突破性進(jìn)展。圍繞器件吸收率低、噪聲等效溫差（NETD）大、集成兼容性差的難題，提出了無(wú)損與損耗型介質(zhì)結(jié)合、多模諧振耦合光吸收的思路，獲得超薄寬帶高吸收率材料；提出將超薄寬帶高吸收率材料與非制冷紅外探測(cè)器像元級(jí)集成新思路，獲得了寬譜、NETD小、多色探測(cè)的非制冷紅外探測(cè)器，NETD降低3倍，研究成果已在中國(guó)兵器北方夜視廣微科技應(yīng)用轉(zhuǎn)化。         意向開展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開發(fā)資金支持

本發(fā)明公開了一種基于雙路電壓信號(hào)驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微柱鏡芯片，包括：液晶散光微柱鏡陣列、第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口、以及第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口，液晶散光微柱鏡陣列為 m×n 元，其中 m、n 均為大于的整數(shù)，液晶散光微柱鏡陣列采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且上下層之間順次設(shè)置有第一基片、頂層面電極板、電極間絕緣層、頂層圖案化電極板、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⒕W(wǎng)孔狀共地電極板、第二基片，頂層面電極板和網(wǎng)孔狀共地電極板分

本發(fā)明公開了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測(cè)量 方法，包括微流控芯片的設(shè)計(jì)制作、測(cè)量環(huán)境配置、對(duì)準(zhǔn)、單粒子的 捕獲和單粒子環(huán)境的構(gòu)建以及單粒子大角度的散射分布的測(cè)定等相關(guān) 方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于結(jié)合了微流控芯片粒子捕獲技術(shù)，克服 了單粒子的大角度散射、大動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)的光散射特性測(cè)量方法的不足， 實(shí)現(xiàn)了單粒子大角度散射分布的測(cè)量

光收發(fā)芯片是光收發(fā)模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網(wǎng)絡(luò)物理層的主要基礎(chǔ)芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅(qū)動(dòng)器三種。它們被用于光纖傳輸?shù)那岸耍瑏?lái)實(shí)現(xiàn)高速傳輸信號(hào)的光電、電光轉(zhuǎn)換，這些功能被集成在光纖收發(fā)模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發(fā)操作系統(tǒng)及其之上的核心 API 軟件，支撐國(guó)家信息化建設(shè)，并致力于構(gòu)建區(qū)別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態(tài)體系 。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP110集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實(shí)現(xiàn)高級(jí)Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號(hào)通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無(wú)需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無(wú)鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP112集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實(shí)現(xiàn)高級(jí)Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號(hào)通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無(wú)需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無(wú)鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發(fā)芯片,工作在高達(dá)14Gbps的數(shù)據(jù)速率、非常適合以太網(wǎng)和光纖通道應(yīng)用。在EP116的發(fā)射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數(shù)高速系統(tǒng)存在的信號(hào)失真問題。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP116集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過固件實(shí)現(xiàn)高級(jí)Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號(hào)通道極性、去加重)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無(wú)需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無(wú)鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點(diǎn)： 　　3.3供電時(shí)，功耗僅為500mW 　　工作速率高達(dá)10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調(diào)節(jié)觸發(fā)LOS報(bào)警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負(fù)載提供高達(dá)12mA的調(diào)制電流 　　偏置電流高達(dá)19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調(diào)節(jié)調(diào)制輸出的眼圖交叉點(diǎn) 　　工作溫度: -40度 到 90度