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高速棒線材控軋控冷過程組織演化模擬及性能預報
高速棒線材軋制產品質量控制的關鍵是采用合理的軋制及軋后冷卻工藝，決定棒線材使用性能的主要因素是軋制過程奧氏體的晶粒度變化規律及軋后冷卻過程的組織演化規律（如鐵素體、珠光體等在冷卻過程的組織演化行為）。高速棒線材軋制過程中存在的主要問題是由于軋制及冷卻工藝不合理導致的產品性能不穩定或不合格。本項目根據物理模擬及定量組織分析，建立彈簧鋼控軋控過程的組織演化動力學模型，結合剛塑性有限元法及人工神經網絡算法，建立了智能化彈簧鋼控軋控冷過程組織性能預測系統。該系統對實際生產中工藝優化具有重要指導意義。
北京科技大學
2021-04-11
超高頻RFID標簽芯片
射頻識別（Radio Frequency Identification-RFID）技術被公認是21世紀最有發展前途的信息技術之一，已廣泛應用于生產、零售、物流、交通、醫療、消費、旅游、國防等各個領域。超高頻（UHF）RFID技術憑借其無源遠距離多標簽快速識別的優勢，能廣泛應用于智能物流、智能交通、 物品質量追溯、公共安全管理、智慧城市等物聯網系統，顯著提高各行各業的管理效率，降低成本，具有最為廣闊的市場規模和發展潛力，已成為RFID及物聯網產業下一個爆發式增長點。 本團隊在2008年度廣東省重大科技專項的支持下，研究突破了低功耗低壓射頻/模擬/數字電路及SOC架構、高效率整流電路、多標簽防碰撞、高穩定時鐘電路等共性關鍵技術，掌握了基于CMOS工藝的高識別靈敏度的超高頻RFID標簽芯片設計、測試與驗證、質量可靠性保障等核心技術，已獲得授權發明專利7項、公開的發明專利申請8項，發表論文30多篇。自主設計開發出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標準的四款超高頻RFID標簽芯片，通過了賽寶實驗室（工信部五所）的測試認證，超高頻RFID標簽芯片測試性能達到Impinj等國際主流公司同期同類產品技術指標。在此基礎上，自主設計開發出具有溫度感知功能的超高頻RFID標簽芯片、具有開關狀態數監測的超高頻RFID標簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯網標簽芯片等樣品。 超高頻RFID標簽芯片主要技術指標： ？ 技術標準：ISO18000-6B/6C ？ 工作頻率：840-960MHz ？ 識別（讀取）靈敏度：-15dBm ？ 讀寫距離：讀8 米/寫5 米(與天線形式及當地無線電頻率規范相關) ？ 識別速率：>100次/秒 ？ 存儲容量：256、512、1000bits ？ 前向鏈路速率：10-40kbps（6B）/40-160kbps(6C) ？ 反向鏈路速率：40-80kbps（6B）/160-640kbps(6C) ？ 工作溫度：-40 —850C ？ 數據保存時間：10年 ？ 寫入次數：100000
電子科技大學
2021-04-10
低功耗醫療健康芯片設計
傳統的體外生理信號監測如心電、腦電等基于濕電極在電極皮膚建立穩定且低阻抗的接觸,需要凝膠，不易佩戴且容易滋生細菌感染等。使用干電極是可穿戴和醫療健康芯片的必然趨勢。但目前的商業芯片在干電極下無法使用，存在諸多性能上的缺陷，諸如功耗、輸入阻抗、共模抑制比等方面均無法滿足要求。在對國內外相關技術的研究和綜述的基礎上，我們提出了提出一種基于干電極的信號采集芯片。經流片驗證，可以提供足夠的空間分辨率，功耗在μW級別。同時該技術采用了實驗室積累多年的低功耗集成電路設計技術。以下是兩款超低功耗干電極腦電與心電采集芯片及其應用場景。其中腦電芯片可以在耳道采集腦電信號，方便舒適，易于集成，其產業化已經在逐步推行。
電子科技大學
2021-04-10
LED 芯片高速自動分選機
1.本外觀設計產品的名稱：LED 芯片高速自動分選機。2.本外觀設計產品的用途：用于對 LED 芯片執行自動分選的裝置。3.本外觀設計的設計要點：分選機的整體形狀和圖案，及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設計要點的圖片或者照片：立體圖。5.該裝置的頂面和底面未涉及產品設計要點且不常見，故省略俯視圖和仰視圖。
華中科技大學
2021-04-11
超高頻RFID標簽芯片
自主設計開發出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標準的四款超高頻RFID標簽芯片，通過了賽寶實驗室（工信部五所）的測試認證，超高頻RFID標簽芯片測試性能達到Impinj等國際主流公司同期同類產品技術指標。在此基礎上，自主設計開發出具有溫度感知功能的超高頻RFID標簽芯片、具有開關狀態數監測的超高頻RFID標簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯網標簽芯片等樣品。
電子科技大學
2021-04-10
超高速模數轉換芯片
超高速模數轉換器是數據采集系統的核心,廣泛應用于寬帶通信、數據捕獲系統、軟件無線電、射頻消費類電子等領域,是國外長期禁運的核心電子元器件。
電子科技大學
2021-04-10
大功率高端LED芯片
LED具有長壽命、節能環保、微型化等優點，是目前最具競爭力的新一代綠色照明光源。突破高發光效率的功率型高端LED芯片技術，將加快實現LED在通用照明、可見光通信、高端顯示等領域的應用。在國家863計劃、廣東省戰略性新興產業LED專項等重大項目的支持下，項目團隊成功開發出效率超過130lm/W的高壓LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒裝薄膜LED芯片，相關技術指標處于國內領先水平。相關成果發表在Nanoscale Research Letters等國際權威期刊上，申請了22 項國家專利，其中已授
華南理工大學
2021-04-14
快照式光譜成像芯片
利用超表面與圖像傳感器集成的新方案實現快照式光譜成像芯片，結合計算光譜分析原理及重建算法，研制出了可見光波段、高精度的光譜成像芯片。
清華大學
2021-02-24
一種紅外聚光芯片
本發明公開了一種紅外聚光芯片。該芯片包括圓柱形的液晶調相架構，其包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電隔離層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、第二電隔離層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；圖形化電極層由圓形導電膜和同心設置在圓形導電膜外圍的至少一個圓環形導電膜構成，圓形導電膜的直徑大于與其相鄰的圓環形導電膜的徑向寬
華中科技大學
2021-04-14
?碳納米管芯片技術
芯片是信息科技的基礎與推動力。然而，現有的硅基芯片制造技術即將觸碰其極限，碳納米管技術被認為是后摩爾技術的重要選項。相對于傳統的硅基CMOS晶體管，碳納米管晶體管具有明顯的速度和功耗綜合優勢。IBM的理論計算表明，若完全按照現有二維平面框架設計，碳納米管技術相較硅基技術具有15代、至少30年以上的優勢。此外，Stanford大學的系統層面的模擬表明，碳納米管技術還有望將常規的二維硅基芯片技術發展成為三維芯片技術，將目前的芯片綜合性能提升1000倍以上，從而將物聯網、大數據、人工智能等未來技術提升到一個全新高度。
北京大學
2021-02-01