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微波毫米波電路測(cè)試系統(tǒng) 招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在南京市建鄴區(qū)西城路300號(hào)君泰國(guó)際大廈C座3樓獲取招標(biāo)文件，并于2022年07月06日 14點(diǎn)30分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。

摻鋁氧化鋅薄膜（ AZO ）成本低廉、無毒環(huán)保，溶膠凝膠法制備 AZO 薄膜具有工藝簡(jiǎn)單、成膜均勻性好、易于精確摻雜等優(yōu)點(diǎn)，而后續(xù)處理工藝則是提高溶膠凝膠法制備的透明導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵。為此我們研究 105  到  10-4 Pa 大真空度范圍退火條件下的電阻率變化規(guī)律，發(fā)現(xiàn)：電阻率的降低集中在相對(duì)狹窄的真空度范圍，其中在 100 Pa  到 10 Pa  之間，電阻率陡降了 2 個(gè)數(shù)量級(jí)。電阻率在 10 Pa  退火時(shí)達(dá)到最小值，繼續(xù)提高真空度（減低氣壓），電阻率不再繼續(xù)降低。這一研究結(jié)果不僅澄清了以往對(duì)溶膠 - 凝膠法制備透明薄膜后續(xù)工藝處理的模糊認(rèn)識(shí)，而且對(duì)實(shí)際生產(chǎn)工藝具有重要的指導(dǎo)意義，例如以此為根據(jù)，選擇合適的真空度退火，達(dá)到既滿足產(chǎn)品的性能指標(biāo)，又能節(jié)能減排的最佳效果。 XRD 與 XPS  的分析表明中真空下氧空位、鋅填隙、以及 Al3+  對(duì) Zn2+  離子的取代是中真空度下電阻率陡降的主要原因。此外，利用  Ar+ 離子對(duì)退火后的樣品進(jìn)行反濺射清洗，能進(jìn)一步提高電導(dǎo)率。更重要的是能在薄膜表面形成具有一定的凹凸起伏的絨面結(jié)構(gòu)，能將入射太陽光分散到各個(gè)角度。用作太陽能電池電極時(shí)，能有效增強(qiáng)太陽能電池內(nèi)的光吸收材料對(duì)入射太陽光的捕獲，提高光能利用率。

低成本冶金法生產(chǎn)太陽能級(jí)多晶硅的技術(shù)瓶頸是無法實(shí)現(xiàn)真空感應(yīng)熔煉的連續(xù)化生產(chǎn)，因此無法實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。因此，本團(tuán)隊(duì)開展“低成本太陽能級(jí)多晶硅真空除磷連續(xù)化生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)及其產(chǎn)業(yè)化”的研究，重點(diǎn)要解決太陽能級(jí)多晶硅真空感應(yīng)熔煉除磷的連續(xù)化生產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，徹底突破低成本冶金法生產(chǎn)太陽能級(jí)多晶硅的關(guān)鍵工藝技術(shù)瓶頸。

用于制備各向異性熱變形稀土永磁體的真空感應(yīng)熱壓熱變形裝置，包括支撐體、爐體、施壓系統(tǒng)和加熱系統(tǒng)，所述施壓系統(tǒng)包括上壓頭、下壓頭和液壓驅(qū)動(dòng)組件，所述加熱系統(tǒng)包括感應(yīng)線圈及與感應(yīng)線圈連接的感應(yīng)加熱電源，所述爐體為夾層水冷結(jié)構(gòu)，爐體外壁設(shè)有冷卻水進(jìn)口和冷卻水出口，爐門上設(shè)有觀察窗。爐體安裝在支撐體的底座上，下壓頭位于爐體內(nèi)腔并固定在爐體底部用于放置模具，上壓頭位于爐體內(nèi)腔，其上端與伸入爐體內(nèi)腔的液壓驅(qū)動(dòng)組件中的壓桿連接并位于下壓頭的上方，所述壓桿、上壓頭和下壓頭的中心線重合，感應(yīng)線圈位于爐體內(nèi)腔并安裝在與模具的放置位置相適應(yīng)處。該裝置能縮短磁體的冷卻時(shí)間，保證大尺寸磁體的磁性能和提高生產(chǎn)效率。

項(xiàng)目介紹： 本項(xiàng)目的研發(fā)工作先后獲得日本學(xué)術(shù)振興會(huì)（JSPS）、日本大阪鹽野（Shiono）香精株式會(huì)社的資助(2005, 04 - 2007, 07)。目前擁有日本授權(quán)專利1項(xiàng)，專利號(hào)：P2008-79558A（日本特許公開）。 大多數(shù)香精香料油的香味和藥用特征主要由含氧組分提供。超臨界二氧化碳可用于從香精香料油中分離含氧組分。但是由于比較低的得率和不穩(wěn)定的分離效果，這一技術(shù)并不能在工業(yè)過程中取代真空精餾。研究表明，超臨界二氧化碳萃餾過程與真空精餾實(shí)際上是互補(bǔ)性很強(qiáng)的過程，配合使用可以成功得到高純度和高得率的香精香料油中的含氧組分；基于這一技術(shù)，與日本大阪市的鹽野香精香料株式會(huì)社（Shiono Flavor Co., Ltd.，Osaka, Japan)共同開發(fā)了從香精香料油副產(chǎn)物中精制香精成分的連續(xù)化萃餾技術(shù)。并獲得日本特許公開（專利）的授權(quán)。

本發(fā)明公開了一種沿面擊穿型兩對(duì)棒極結(jié)構(gòu)觸發(fā)真空開關(guān)；觸 發(fā)真空開關(guān)采用三段式結(jié)構(gòu)，包括上段波紋狀陶瓷外殼，下段波紋狀 陶瓷外殼，中段金屬屏蔽罩，設(shè)置在金屬屏蔽罩內(nèi)的上電極和下電極， 觸發(fā)電極，上電極金屬連桿，上電極法蘭盤，下電極金屬連桿以及下 電極法蘭盤；上電極法蘭盤與上段波紋狀陶瓷外殼連接，下電極法蘭 盤與下段波紋狀陶瓷外殼連接，再與金屬屏蔽罩共同構(gòu)成密閉殼體； 通過上段波紋狀陶瓷外殼連接上電極法蘭盤，以及通過下段波紋狀陶 瓷外殼連接下電極法蘭盤能有效提高上電極法蘭盤與下電極法蘭盤之 間的爬電距離

產(chǎn)品概述： 錦正茂高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)是具備提供高低溫、真空以及磁場(chǎng)環(huán)境的高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái)，它的諸多設(shè)計(jì)都是專用的。因此，高低溫磁場(chǎng)探針臺(tái)的配置主要是根據(jù)用戶的需求進(jìn)行選配及設(shè)計(jì)。例如，要求的磁場(chǎng)值，均勻區(qū)大小、均勻度大小、樣品臺(tái)的尺寸等，均于磁力線在一定區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的磁通密度相關(guān)聯(lián)；位移臺(tái)還可與磁流體密封搭配，實(shí)現(xiàn)水平方向二維移動(dòng)和樣品臺(tái)360度轉(zhuǎn)動(dòng)；除此之外，該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的高精度雙極性恒流電源搭配使用戶，可以磁場(chǎng)的高穩(wěn)定性。因此，該類型的探針臺(tái)主要依據(jù)客戶的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 錦正茂高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)探針臺(tái)配備4個(gè)（可選6個(gè)或8個(gè)）擁有高精度位移的探針臂，同時(shí)配有高精度電子顯微鏡，便于微小樣品的觀察操作。探針可通過直流或者低頻交流信號(hào)，用來測(cè)試芯片、晶圓片、封裝器件等，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、MEMS 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 應(yīng)用范圍： 磁特性測(cè)試、微波特性測(cè)試、直流、RF特性測(cè)試，微電子機(jī)械系統(tǒng)，超導(dǎo)電性測(cè)試，納米電路的光電屬性，量子點(diǎn)和線，高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試，材料測(cè)試，霍爾測(cè)試，電磁輸運(yùn)特性等。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 可選附件： þ 各類DC探針、高頻探針、主動(dòng)式探針、電纜線 þ CCD或C-MOS視頻成像裝置 þ Chuck運(yùn)動(dòng)裝置 þ 電磁鐵系統(tǒng)/超導(dǎo)磁鐵系統(tǒng) þ 1Mpa正壓系統(tǒng)升級(jí) þ 超高溫升級(jí)選件 þ 超高真空升級(jí)選件 þ 各類探針夾具 þ 屏蔽箱 þ 防振桌 þ 轉(zhuǎn)接頭 þ 靜音真空泵 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！

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使用超聲、微波輔助水熱合成的方法制備出不同相貌的 ZnO、Cr@ZnO、CoO@ZnO 等納米復(fù)合顆粒，通過復(fù)合和摻雜改性，分別構(gòu)建 p-n 結(jié)和形成催化活 性位點(diǎn)，提高氣敏性能。