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鴻合幼教平板一體機HD-I5506E
產品詳細介紹型號：HD-I5506E 背光類型：LED ，顯示尺寸：55”顯示比例：16：9可視角度：178°物理解析度：1920*1080pixel圖像制式/聲音制式：PAL/DK,I音視頻輸入/輸出： 輸入：1個RF、1個USB播放接口+1個USB紅外接口、3個HDMI端口、1路YPbPr/YCbCr/音頻、1個VGA輸入+1個立體聲音頻輸入、1路AV復合、1路RS232端口 輸出：1路AV輸出、1路立體聲音頻多媒體功能： 視頻格式：MPEG1、MPEG2、MPEG4、H264、RM、RMVB、MOV、MJPEG、VC1、Divx、FLV(支持1080P高清解碼） 圖片格式：JPEG、BMP、PNG 音頻格式:WMA、MP3、M4A、（AAC）功耗：標準功耗：<150W，待機功耗工作電壓：AC100-240V，50/60Hz觸摸面材質：防眩光鋼化玻璃感應方式：紅外觸摸感應技術特性：HID免驅觸摸點數：多點觸控，多點書寫書寫方式：手指或書寫筆觸摸分辨率：32767*32767掃描速度：5ms光標速度：125點/s定位精度：0.1mm通訊接口：USB存儲溫度/濕度:-20℃~60℃,10%~90%工作溫度/濕度:0℃~50℃,10%~90%安裝方式:壁掛/支架整機尺寸:1297*779*67mm重量:約47KG
南京凱漠科技有限公司
2021-08-23
一種基于水性環氧樹脂復合的鍍鋅板彩涂無鉻鈍化液
簡介：本發明提供一種基于水性環氧樹脂復合的鍍鋅板彩涂無鉻鈍化液,屬于鍍鋅板的表面處理技術領域。該無鉻鈍化液各組分及其每升含量是:有機樹脂:100~300g/L;有機酸:20~75g/L;無機鹽:2~6g/L;氧化劑:3~12g/L;pH值調節劑:適量;去離子水:余量。采用磷酸作為pH值調節劑調節該無鉻鈍化液的pH值為2~3。本發明的特點是將水性環氧樹脂、有機酸、無機鹽和氧化劑有機結合,作用于鍍鋅板后形成致密的有機無機復合鈍化膜。本發明所提供的無鉻鈍化液有利于簡化鍍鋅板彩涂工藝、降低成本。本發明不含有任何價態的鉻,是一種環保型的無鉻鈍化液。
安徽工業大學
2021-04-13
一種鐵鋁合金制成的螺旋狀高效低阻濾芯
（專利號：ZL 201510665213.0） 簡介：本發明公開了一種鐵鋁合金制成的螺旋狀高效低阻濾芯，屬于除塵器的濾芯設計領域。該濾芯由鐵鋁合金濾料制成，并彎曲成螺旋狀，濾芯本體由金屬格網支撐。濾芯主要由濾芯本體、排風管、脈沖反吹聯動裝置、頂蓋和閥門等裝置組成，濾芯本體為圓柱狀螺旋式結構，螺旋式濾芯本體孔徑從內到外呈等差數列減小。在實際運行中，煙氣經濾芯逐層過濾后，大部分粉塵被阻留在濾芯外面，凈化后的氣體進入里層濾芯逐層過濾，最終再通過排煙管排入下道工序。本發明解決了目前市場上除塵器除塵效率低、抗高溫、抗硫化性能弱的核心問題。
安徽工業大學
2021-04-11
鐵電量子隧道結亞納秒超快憶阻器的研究
中國科學技術大學李曉光團隊在前期研究基礎上，基于鐵電隧道結量子隧穿效應，實現了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構建存算一體人工神經網絡，該成果在線發表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結，其中鐵電勢壘層厚為6個單胞（約2.4nm）。基于隧道結能帶的設計，以及其對阻變速度、開關比、操作電壓的調控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機械硬盤的速度約為1ms, 固態硬盤的約為1-10ms）、開關比達2個數量級，且其600ps的阻變速度在85℃時依然穩定（工業測試標準）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個量級；一個存儲單元具有32個非易失阻態；寫入的信息預計可在室溫穩定保持約100年；可重復擦寫次數達108-109次，遠超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環境下仍能進行信息的寫入，可實現高溫緊急情況備用。
中國科學技術大學
2021-04-10
一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置
本發明公開了一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號產生裝置，包 括憶阻器控制電路、方波振蕩電路、超寬帶脈沖產生電路和倍壓電路； 方波振蕩電路的輸入端連接憶阻器控制電路，倍壓電路的輸入端連接 至方波振蕩電路的第一輸出端，脈沖產生電路的第一輸入端連接至倍 壓電路的輸出端，第二輸入端連接至方波振蕩電路的第二輸出端。憶 阻器控制電路包括三極管，方波振蕩電路包括 TTL 門電路、憶阻器、 射極放大電路，超寬帶脈沖產生電路包括反相器、R
華中科技大學
2021-04-14
基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的多值存儲單元、讀寫電路及其·717·操作方法；所述基于憶阻的多值存儲單元是利用憶阻器的阻變特性，由多個憶阻器以特殊的連接方式構成。這種連接方式組成的多值存儲單元繼承了憶阻器，體積小，功耗低，可拓展性強的優點。相較于傳統憶阻器存儲結構，所述多值存儲結構提供了更大的存儲空間，為存儲器設計提供了一種新的思路。所述多值存儲單元的讀寫電路包括存儲單元、控制開關以及電壓比較電路。所述讀寫
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的圖像識別系統及方法
本發明公開了一種基于憶阻器的圖像識別系統及方法。所述系 統包括圖像信號提取模塊、多個基于憶阻器的神經網絡模塊和識別模 塊；所述識別模塊其輸入端與多個神經網絡模塊的輸出端相連；每個 神經網絡模塊的輸出端與識別模塊的輸入端相連，其輸入端與信號提 取模塊的輸出端相連。所述方法包括以下步驟：（1）獲取待識別灰度 圖像的特征向量并輸入各神經網絡模型；（2）各神經網絡模型根據其 圖像模型對所述特征向量分別進行打分并進行識別；（3
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器實現多層識別的電路及其控制方法
本發明公開了一種基于憶阻器實現多層識別的電路及其控制方 法，來模擬生物大腦的多狀態(認知、熟悉、陌生)認知能力。通過分別 調節第二輸入端與第一輸入端信號脈沖的匹配數目和第二輸入端信號 脈沖幅值來實現多層次脈沖識別。第一輸入端輸入信號代表已存儲在 生物大腦中的樣本信號，第二輸入端輸入信號代表生物大腦接收到外 界環境的刺激信號，這種識別方法的原理是通過控制大腦存儲的樣本 信號和外界環境的刺激信號相互匹配，來調控大腦對于外
華中科技大學
2021-04-14
一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法
本發明公開了一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法， 可編程模塊包括阻變元件、電阻 R1、第一 N 型 MOS 管、第一 P 型 MOS 管、第二 N 型 MOS 管和第二 P 型 MOS 管；第一 N 型 MOS 管 的漏極和第一 P 型 MOS 管的漏極均連接至阻變元件的一端，第一 N 型 MOS 管的源極和第一 P 型 MOS 管的源極連接后與電阻 R1 的一端 連接，第一 N 型 MOS 管的柵極與第一 P 型 MOS
華中科技大學
2021-04-14
基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路及其讀出方法
本發明公開了一種基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路。所述讀出電路包括：行多路選擇器、列多路選擇器、掃描控制器、負恒流源、電壓采樣裝置以及第一運算放大器、第二運算放大器、第三運算放大器；所述負恒流源的輸出端連接第一運算放大器的反相輸入端，第一運算放大器的同相輸入端與第二運算放大器的同相輸入端連接后接地，第二運算放大器的反相輸入端與第二運算放大器的輸出端連接，第三運算放大器的反相輸入端與第三運算放大器的輸出端連接；電壓采樣裝置用于對第三運算放大器的輸出端電壓、第一運算放大器的輸出端電壓進行檢測。本發
東南大學
2021-04-14