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硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線、兩個(gè)熱電偶和隔直電容所構(gòu)成，熱電偶是由金屬臂和半導(dǎo)體
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合Ｔ型結(jié)間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合Ｔ型結(jié)間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)儀器是由傳感器、模數(shù)轉(zhuǎn)換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線終端的間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考信號(hào)合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測(cè)合成功率，從而
東南大學(xué)
2021-04-14
基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結(jié)間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)器，主要實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)包括由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、Ｔ型結(jié)、間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。功率通過第一間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)，分別同兩路等分后的參考
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)直接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)傳輸線、兩個(gè)熱電偶和一個(gè)隔直電容所構(gòu)成，每個(gè)熱電偶
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設(shè)置有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)連接著兩個(gè)間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間設(shè)置有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導(dǎo)、兩個(gè)終端電阻以及熱電堆所構(gòu)成，熱電堆是由兩種不同的半導(dǎo)體
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基微機(jī)械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基微機(jī)械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率合成／分配器和間接加熱式微波功率傳感器。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)結(jié)構(gòu)相同的懸臂梁在ＣＰＷ中央信號(hào)線上方，用于耦合部分待測(cè)信號(hào)，通過錨區(qū)與功率合成器相連，耦合信號(hào)的功率相等，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號(hào)線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號(hào)通過功率分配器分成兩路信號(hào)，分別與兩路懸臂梁耦合的信號(hào)通過功率合成器合成，功率合成器的輸出端連接到間接加熱式微波功
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基微機(jī)械懸臂梁耦合直接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基微機(jī)械懸臂梁耦合直接加熱在線式毫米波相位檢測(cè)器，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率合成／分配器和直接加熱式微波功率傳感器。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)左右對(duì)稱，兩個(gè)懸臂梁在ＣＰＷ中央信號(hào)線上方，結(jié)構(gòu)相同，用于耦合部分待測(cè)信號(hào)，通過錨區(qū)與功率合成器相連，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號(hào)線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學(xué)短路。參考信號(hào)通過功率分配器分成兩路信號(hào)，分別與兩路懸臂梁耦合的信號(hào)通過功率合成器合成，功率合成器的輸出端連接到直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行功
東南大學(xué)
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)間接式毫米波相位檢測(cè)器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結(jié)間接式毫米波相位檢測(cè)器是由共面波導(dǎo)傳輸線傳輸線、縫隙耦合結(jié)構(gòu)、移相器、單刀雙擲開關(guān)、Ｔ型結(jié)功分器、Ｔ型結(jié)功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構(gòu)成，整個(gè)結(jié)構(gòu)基于高阻Ｓｉ襯底制作，其上有四個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)，上方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率測(cè)量，下方的兩個(gè)縫隙耦合結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的相位測(cè)量，在前后縫隙之間有一個(gè)移相器；Ｔ型結(jié)功分器和Ｔ型結(jié)功合器是由共面波導(dǎo)傳輸線傳輸線、扇形缺陷結(jié)構(gòu)和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器由共面波導(dǎo)傳輸線傳輸線、兩個(gè)終端電阻以及熱電堆所構(gòu)成，熱
東南大學(xué)
2021-04-14
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硅通孔結(jié)構(gòu)
本實(shí)用新型公開了一種硅通孔結(jié)構(gòu)，其形成于硅片上，并包括摻雜粒子構(gòu)成的導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)，絕緣區(qū)與所述導(dǎo)電區(qū)摻雜的粒子的極性相反，所述導(dǎo)電區(qū)表面覆蓋有金屬電極，所述硅片的表面除所述金屬電極之外的區(qū)域覆蓋有絕緣層。本實(shí)用新型硅通孔結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于：通過粒子摻雜方式形成硅通孔結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)，導(dǎo)電區(qū)和絕緣區(qū)的基體都還是硅片本身，避免了目前硅通孔技術(shù)中金屬和硅片熱膨脹系數(shù)不同造成的熱應(yīng)力問題，能夠提高器件的可靠性和壽命。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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硅光子平臺(tái)開發(fā)
已有樣品/n成功開發(fā)了系列硅光子流片工藝模塊和初版PDK，其中標(biāo)準(zhǔn)單元庫主要包括單模波導(dǎo)、Y-分支、光交叉器、耦合光柵等無源器件，而最近有源工藝的成功開發(fā)，將向標(biāo)準(zhǔn)單元庫中添加加熱電極、調(diào)制器和Ge 光電探測(cè)器等有源器件。此次有源器件流片的成功，加上先導(dǎo)中心2016年上半年開發(fā)成功的硅光子無源工藝及器件（圖3），使微電子所硅光子平臺(tái)已具有為業(yè)界提供基于180nm工藝的硅光子流片服務(wù)的能力，成為國內(nèi)首個(gè)基于8英寸CMOS工藝線向用戶
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12