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二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現出優異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區)，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩定性，完全可暴露于空氣中存放數月且保持穩定。
北京大學
2021-04-11
解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質量的層狀Bi2O2Se半導體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導體完整的電子能帶結構信息，測得了電子有效質量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關鍵物理參量。?
北京大學
2021-04-11
一種半弧形Bi2Se3超薄納米片的制備方法
本發明涉及一種半弧形Bi2Se3超薄納米片的制備方法，其具體作法是：a、配制混合溶液：分別稱量0.1-1mmol Bi(NO)3·5H2O，0.5-1.5mmol Se，1mmolNa2SO3,將其混合后放入高壓釜內襯。在高壓釜內襯中加入80mL乙醇，用玻璃棒攪拌越5min。b、水熱反應：封閉高壓釜后，將其放入箱式爐加熱至200°C，12h，待自然冷卻后取出。c、離心過濾：將b步反應后所得的溶液超聲5-8分鐘，1000轉/分離心過濾，將濾液于80℃下干燥得灰黑色產物，即為半弧形Bi2Se3超薄納米片。合成步驟少，操作簡單，目的產物物性能優良。
西南交通大學
2016-10-20
用于水凈化的酸化 ZrxSi1-x O2 /Al2O3 自組裝膜和集成設備
膜技術特別是超濾膜技術廣泛應用到海水和水體凈化、化工分離、醫藥和食 品等領域。但是，目前的膜材料耐污染能力和選擇性均有限，且成本高，限制了 膜技術的廣泛應用。該技術通過酸化 ZrxSi1-x O2 /Al2O3 功能材料的制備、在多孔支 撐體表面組裝成自組裝膜和集成設備后具有親水、耐污染、選擇性吸附和凈化的 性能，可廣泛用于海水淡化預處理、含油海水和污水的凈化等，并已進行了 200 升/小時自組裝膜集成設備現場運行，完全可以產業化。 該技術通過酸化 ZrxSi1-x O2 /Al2O3 功能材料的制備、在多孔支撐體表面組裝成自組 裝膜和集成設備，該自組裝膜集成設備對海水和含油海水凈化后可以分別達到碎 屑巖油藏注水 A3 級標準(SY/T 5329-94)和天津市污水綜合排放 1 級標準 (DB12/356—2008)，以及海水淡化反滲透膜的進水(濁度≤0.3NTU, SDI≤4)和向環境 排放及回用的要求(固體懸浮物≤3mg/L，油含量≤8mg/L，COD≤50mg/L)，在 0.1Mpa 壓力下的通量大于 500L/m2h，凈化 1 噸海水的成本約 0.2-0.3 元人民幣，成本低， 可進行重復利用，可代替目前使用的聚合物超濾膜裝置（1.7－2 元，材料無法回 收利用，通量低）。 成果水平：國內領先，2 項發明專利 市場分析及前景：該技術研制的自組裝膜和集成設備已經進行了 200 升/小時自 組裝膜集成設備的現場運行，完全可以進行產業化。年產 100 噸酸化 ZrxSi1-x O2 /Al2O3功能材料需要投資 500 萬元人民幣（包括固定資產和流動資金），可制造處 理 200 萬噸水的自組裝膜集成設備，需要員工 10-15 人，年利潤大約在 1000 萬 人民幣。1 噸酸化 ZrxSi1-x O2 /Al2O3功能材料組成自組裝膜后可處理含油海水 2 萬噸，核 處理 1 噸含油海水需 0.2-0.3 元人民幣。 主要技術指標：該自組裝膜集成設備對海水和含油海水凈化后可以分別達到碎屑 巖油藏注水 A3 級標準(SY/T 5329-94)和天津市污水綜合排放 1 級標準 150天津大學科技成果選編 (DB12/356—2008)。 合作方式：融資 1000 萬
天津大學
2021-04-11
探頭式氧氣傳感器O2S
產品詳細介紹 探頭式氧氣傳感器O2S 一、產品簡介： 氧氣傳感器采用兩個氧化鋯盤，在其中間是一個密封空間。其中一個盤起的功能是可逆氧氣泵，依次充滿樣品氣和抽空此小空間。另一個盤用于測量氧分壓差比率，得到相對應的傳感電壓。氧化鋯盤作為氧氣泵運行時，需要的700 °C 的溫度由加熱元件產生。氧氣泵使小空間范圍內達到額定的最小和最大壓力所花的時間和環境中氧分壓值具有對應關系。 二、產品特性： 1) 非消耗性的氧化鋯傳感元件 2) 氧壓范圍 2 mbar...3 bar 3) 高穩定性和精度，可測量0…100% 氧 4) 對于其他氣體無交叉干擾 5) 無需溫度穩定 6) 內置加熱元件 7) 加熱器電壓： 4.35 ±0.1 VDC (1.85 A) 8) 允許氣體溫度： -100...400 °C ； 三、產品參數
深圳市新世聯科技有限公司
2021-08-23
介孔ZrO2和Al2O3球形粉體顆粒的制備
采用自主創新的霧化反應法新工藝，能夠制備出介孔ZrO2和Al2O3等球形粉體顆粒，通過進一步的技術研究和開發，實現顆粒粒徑和顆粒微結構可控的介孔ZrO2和Al2O3等球形粉體顆粒制備技術。目前行業上制備出的ZrO2和Al2O3等球形粉體主要為實心顆粒，顆粒球形度不太好，本方法制備的ZrO2和Al2O3等球形粉體球形度好，有利于成型；介孔結構，顆粒密度小，節省鋯資源。 應用范圍： 固體催化劑或載體；人工骨原材料和口腔材料；藥物釋放；氧氣傳感器等。
北京交通大學
2021-04-13
可定制外型結構氧氣傳感器O2S-FR-T2-18X
產品詳細介紹 可定制外形結構氧氣傳感器O2S-FR-T2-18X 一、產品簡介： 氧氣傳感器采用兩個氧化鋯盤，在其中間是一個密封空間。其中一個盤起的功能是可逆氧氣泵，依次充滿樣品氣和抽空此小空間。另一個盤用于測量氧分壓差比率，得到相對應的傳感電壓。氧化鋯盤作為氧氣泵運行時，需要的700 °C 的溫度由加熱元件產生。氧氣泵使小空間范圍內達到額定的最小和最大壓力所花的時間和環境中氧分壓值具有對應關系。 二、產品特性： 1) 非消耗性的氧化鋯傳感元件 2) 氧壓范圍 2 mbar...3 bar 3) 高穩定性和精度，可測量0…100% 氧 4) 對于其他氣體無交叉干擾 5) 無需溫度穩定 6) 內置加熱元件 7) 加熱器電壓： 4.35 ±0.1 VDC (1.85 A) 8) 允許氣體溫度： -100...250 °C ； 9) 線性輸出信號 三、產品參數
深圳市新世聯科技有限公司
2021-08-23
La2O3-Al2O3熱障涂層中稀土氧化物的作用及高溫相穩定機理研究
本成果研究了不同制備工藝對制備出的噴涂粉末形貌與性能的影響，通過測試不同的La2O3的添加方式以及添加量的涂層的性能，探討了稀土氧化物La2O3對Al2O3等離子涂層性能的影響，及La2O3在等離子涂層中的作用，同時對噴涂粉末與涂層的相態及高低溫條件下的相穩定性進行了研究，找出了在高溫下長時間保持相穩定性的涂層。得出的主要結論有： (1). 使用納米粉體顆粒團聚的方法可以制備符合出符合等離子噴涂要求的粉末，同時其制備出的涂層性能優于傳統微米級粉末涂層。 (2). 添加部分La2O3可以抑制Al2O3涂層中晶粒長大，且Al2O3- La2O3涂層更致密，與Al2O3涂層相比，Al2O3- La2O3涂層在抗擊熱沖擊、抵抗熱氧化、涂層結合強度方面均有部分提高，但涂層隔熱性能與Al2O3涂層相當。 (3). Al2O3涂層中添加部分La2O3與MgO可以制備穩定相的LMA，制備的LMA涂層呈現板片狀結構特點，有利于降低涂層內部殘余應力，因而可提升涂層性能，其在結合強度、抗擊熱沖擊、抗氧化及隔熱性能發面均優于Al2O3- La2O3涂層與Al2O3涂層。 (4). 在1400℃下保溫100h，Al2O3涂層與Al2O3- La2O3涂層均會發生γ→α晶形轉變，影響涂層的性能，而LMA涂層可保持相穩定性。LMA等離子涂層因其優異的性能可做為傳統Al2O3涂層和Y-PSZ涂層的替代者。
北京科技大學
2021-04-11
Fe2O3 層狀納米陣列、具有層狀結構的 Fe2O3/PPy 柔性復合材 料及制備和應用
本發明涉及一種 Fe2O3 層狀納米陣列、具有層狀結構的 Fe2O3/PPy 柔性復合材料及其二者的制備方法和應用，屬于材料領域。 該 Fe2O3 層狀納米陣列利用特定規格的 ZnO 納米棒模板作為原料制 備，該 Fe2O3/PPy 柔性復合材料采用氣相原位化學聚合法復合 Fe2O3 層狀納米陣列和 PPy 得到。氣相原位聚合方法更為簡單、易實現，可 控性較好。Fe2O3 層狀納米陣列具有特殊的層狀結構，具有比表面高
華中科技大學
2021-04-14
高性能Al2O3彌散強化銅合金
根據強化手段的不同, 高強化銅合金可分為兩類: 沉淀強化銅合金和彌散強化銅合金。沉淀強化銅合金是利用過飽和固溶體的脫溶沉淀, 通過時效熱處理, 達到強化效果。但沉淀析出相在高溫下會聚集長大或重新固溶于基體中, 隨著強化相的消失, 沉淀強化作用也隨之消失, 從而限制了這類銅合金的使用溫度和應用范圍。目前被大量使用的鉻鋯銅合金就屬于這一類, 其表現為導電、導熱性損失較大，軟化溫度低(僅為500℃) 等。因此,鉻鋯銅合金在做點焊電極材料使用時經常出現變形、粘附、使用壽命不長及熔敷現象, 頻繁的整修和更換電極嚴重影響了工作效率的提高。彌散強化銅合金則是通過在金屬基體中引入高度分散的熱穩定性強的第二相質點，阻礙位錯運動，以達到提高強度的目的。而Al2O3粒子硬度高, 熱力學和化學穩定性高，熔點高，在接近銅基體熔點的溫度下也不會明顯粗化，可以有效提高合金的高溫強度和硬度。因此，Al2O3彌散強化銅合金可以用在電阻焊電極、集成電路引線框架、微波管結構導電材料、高速列車架空導線、熱核實驗反應堆、連鑄結晶器等方面。本研究開發的Al2O3彌散強化銅合金在保證傳統工藝內氧化、還原徹底性和燒結致密性的前提下簡化了工藝過程降低了生產成本。 主要性能指標 1.抗拉強度σb：420～560MPa； 2.延伸率：12～20%； 3.導電率：78～85%IACS； 4.軟化溫度：900℃； 5.導熱率：320～340W/ m·K； 6.電阻焊電極使用壽命為傳統Cr-Zr-Cu合金的3倍以上
上海理工大學
2021-04-11