關于狄拉克半金屬中量子輸運研究的新進展
在高晶體質(zhì)量的狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測到手征反常導致的負磁電阻效應(Nat. Commun. 6, 10137 (2015));并借助于納米線比表面積大的優(yōu)勢,測量到起源于拓撲表面態(tài)輸運的π A-B效應(Nat. Commun. 7, 10769 (2016); Phys. Rev. B 95, 235436(2017))。 最近,他們通過輸運測量首次在狄拉克半金屬Cd3As2納米線中觀測到連續(xù)體態(tài)和離散表面態(tài)耦合產(chǎn)生的Fano共振現(xiàn)象。研究表明直徑約為60 nm的Cd3As2納米線的表面態(tài)能帶會發(fā)生劈裂,通過柵壓調(diào)制費米能級到一個表面態(tài)子能帶的帶底時,會呈現(xiàn)出零偏壓微分電導峰;在磁場作用下,由于塞曼效應,零偏壓電導峰會發(fā)生劈裂,測量得到表面態(tài)的朗德因子為32;Fano共振進一步導致零偏壓微分電導峰隨偏置電壓具有非對稱的線形,并可能對材料中起源于“外爾軌道”的量子振蕩頻率產(chǎn)生修正。這項工作對于深入研究拓撲半金屬的輸運性質(zhì),以及設計實現(xiàn)可電學調(diào)控的Fano體系有著重要意義。圖1. Cd3As2納米線中量子限制效應引起的電導振蕩;(b)柵壓調(diào)制的微分電導譜。
北京大學
2021-04-11