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高溫壓電振動能量回收器件和高溫驅動器
傳統PZT壓電陶瓷應用廣泛，但在居里溫度較低，環境溫度較高時，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應用范圍的進一步拓展，一些極端條件對壓電陶瓷的應用提出了新的挑戰。北京大學工學院實驗室利用高居里點的鈧酸鉍 - 鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于 d31模式和d33模式的應用于高溫環境中的壓電振動能量回收器，器件可以穩定地工作在 150℃以上的高溫環境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數和相應的輸出功率比室溫時提高一倍以上。
與壓電能量回收器不同的是，壓電驅動器是一種利用壓電效應，將電能轉化為機械能實現納米級驅動的器件，壓電驅動器利用壓電材料的準靜態逆壓電效應實現10微米至100微米的微小位移；同時，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動效應制備高溫壓電馬達。
北京大學
2021-04-13
電子元器件激光機飲料瓶蓋激光打碼噴碼機
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上海康彥電子科技有限公司
2021-08-23
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設計技術
大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價格低廉等方面的優勢已經成為基站、廣播電視發射機、航空電子、雷達等領域等應用最廣泛的射頻功率器件。 本團隊利用優化的法拉第屏蔽罩結構和版圖布局技術，基于國內8英吋工藝技術平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設計與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
電子科技大學
2021-04-10
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設計技術
本團隊利用優化的法拉第屏蔽罩結構和版圖布局技術，基于國內8英吋工藝技術平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能夠提供完整的RF LDMOS器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10
一種基于超材料結構的微波功率傳感器
本發明公開了一種基于超材料結構的微波功率傳感器，包括基板、輸入微帶信號線、懸臂梁結構輸入微帶信號線、懸臂梁結構輸出微帶信號線、輸出微帶信號線、叉指結構、開路短截線電感以及微帶線地線，該微波功率傳感器是在基板上放置由懸空的叉指結構和開路短截線電感構成的超材料結構，當輸入的微波功率發生變化時，微波功率對相互平行、懸空的叉指結構的吸引，導致叉指結構的位移，從而使得叉指電容和開路短截線電感構成的超材料結構產生相應的相移輸出，通過檢測超材料結構的相移，實現微波功率的測量，本發明靈敏度高，且為相移輸出，測量誤差小，同時還具有結構簡單、成本低、體積小、功耗低、工藝兼容等優勢。
東南大學
2021-04-11
用于高效協同組播通信中繼選擇和功率控制法
本發明采用的模型將協同組播通信的每個組播分為兩個時隙。在第一時隙，基于在第一個時隙中是否成功接收到數據，將均勻分布的N個用戶劃分為兩個集合S和F，其中，S代表成功用戶集，F代表失敗用戶集。在第二時隙，成功用戶將數據轉發給失敗用戶。與傳統方法相比，本發明設計的最佳中繼概率Pa*和最佳中繼功率值p11*，能實現協同組播通信支持任意數據傳輸率的能效最大化。
電子科技大學
2021-04-10
一種降低 OFDMA 系統信號峰均功率比的方法
本發明公開了一種降低 OFDMA 系統信號峰均功率比的方法， 具體為：在發射端，將用戶輸入的數據經過 LDPC 編碼器進行編碼， 生成擁有多個可反轉子集的編碼碼字，再進行調制；將調制后的數據 映射至用戶分配到的子載波上，構造多個可反轉頻域符號集合；通過 對構造的可反轉頻域符號集合進行獨立的反轉以降低 OFDMA 系統信 號的峰均功率比；在接收端，將接收到的信號經傅里葉變換后再進行 子載波解映射和解調制，得到每個用戶對應的接收信息，并采用 LDPC 譯碼器進行譯碼，從得到的譯碼碼字中提取出相位反轉信息以恢復原 始信息；本發明能有效地降低 OFDMA 系統信號的峰均功率比，且不 需要發送邊帶信息，提高系統的頻譜利用率，降低系統的復雜度，同 時具有良好的糾錯性能。
華中科技大學
2021-04-11
一種用于異構網絡上行鏈路的功率控制方法
本發明公開了一種用于異構網絡(HetNet)上行鏈路的功率控制方 法，具體為：首先定位用戶設備(UE)與對應接入點(AP)的距離，即 UE 向對應 AP 發送上行導頻信號，AP 接收上行導頻信號后根據導頻信號 經歷的路徑損耗確定 UE 與對應 AP 的距離。在同一個微小區內，對離 AP 不同距離的用戶提供不同的上行功率，此上行功率與距離呈冪函數 遞減的關系，即用戶距離 AP 越近，發射的上行功率越大。本發明 AP 和 UE 的位置分別建模為兩個獨立的齊次泊松點分布(PPP 分布)，并借 助隨機幾何研究該系統的性能。仿真結果分析證明，與傳統的功率控 制策略相比，本發明在提高平均傳輸速率的同時，也在一定程度上優 化了能量效率，從而使整個系統的性能得到有效提升。
華中科技大學
2021-04-11
智能功率驅動芯片設計及制備的關鍵技術與應用
一、創新點： 1.創新1-高低壓兼容工藝技術：世界首個P-sub/P-Epi高低壓兼容浮置沉底工藝平臺 2.創新2-抗瞬時電沖擊電路技術：國際最高品質因子600V等級浮柵控制芯片 3.創新3-低損耗功率器件技術：超低開關損耗階梯柵氧600V超結功率器件 4.創新4-高功率密度互聯技術：國內首款微型智能功率驅動芯片及600V單片智能功率驅動芯片。 二、產出情況： 被Amazon、Philips、Samsung、美的等100多家國內外公司采用，項目新增銷售27.2億元，新增利潤4.9億元，新增創匯3115.5萬美元，解決了我國智能功率驅動芯片的“卡脖子”問題。 1.智能生活家電領域累計銷售超16億顆，市場占有率全國第一（超過40%） 2.首次實現國產智能功率驅動芯片應用于高鐵空調控制器 3.唯一一款應用于智能電表的國產功率芯片，解決了我國智能電表系統的戰略安全問題 4.在新能源交通工具領域出貨量超30億顆 成功應用于亞馬遜無人倉儲機器人，首批供貨超過1萬套。
東南大學
2021-04-13
大功率半導體激光器外延與芯片制備
成果簡介本項目在國家973計劃、863計劃等研究成果基礎上，跟蹤國際趨勢，形成9**nm 大功率單發光條半導體激光器，輸出功率大于12W，壽命1萬小時。主要優勢：（1 ）填補國內空白。（2 ）易于光纖耦合。（3 ）多種波長可選。應用簡介所處研發階段：中試階段適合應用領域：直接光加工、
北京工業大學
2021-04-14