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本項目利用一種新型結構獨特的兼具準直和選頻功能的混合菲涅爾透鏡衍射光柵光學元件來實現一種小型集成化、窄線寬的半導體激光器。結合混合菲涅爾透鏡衍射光柵光學元件外腔技術，使激光線寬小于50 kHz水平，實現微型化的厘米長度的窄線寬相干激光光源的批量制備。

本發明公開了一種半導體脈沖激光器熱電階梯冷卻方法，包括以下步驟：1)根據半導體脈沖激光器的額定工作溫度 Ts 選擇熱電模塊，將熱電模塊安裝在半導體脈沖激光器內并使用可編程直流電源控制其電壓；2)半導體脈沖激光器在 jt0 時刻釋放熱量 Qc 使半導體脈沖激光器內的溫度上升，可編程直流電源在 jt0 時刻相應地由恒定電壓 Us 調整為階梯電壓并施加在熱電模塊上，以使半導體脈沖激光器的實際工作溫度降低到 Ts±2℃；其中，j 為大于零的正整數。本發明通過給熱電模塊施以合適的階梯電壓，使熱電模塊冷端溫度呈現出衰減振蕩過程，能減小過冷溫度和增益溫度，保證半導體脈沖激光器的溫度要求。

1. 痛點問題 雙頻激光干涉儀以雙頻激光器作光源。國內外，都是在氦氖激光管上加磁場，磁場和原子相互作用（塞曼效應），使氦氖激光器輸出雙頻，這就是激光教科書中的塞曼效應雙頻激光器,常簡稱為雙頻激光器。國內外嘗試用半導體激光器和固體微片激光器的努力都沒有成功。塞曼效應雙頻激光器的缺點是雙頻的間隔（頻差）小，且光子電場振動為圓偏振，前者影響干涉儀測量速度，后者帶來幾納米十幾納米的非線性誤差，這就是塞曼效應雙頻激光器的天花板。本項目課題組曾經嘗試用晶體石英，外加力的應力雙折射使氦氖激光器產生雙頻，但其組裝方式等不夠理想，穩定性需提高，產品化困難。 2. 解決方案 鑒于塞曼效應雙頻激光器性能提高遇到的瓶頸，本項目提供一種用激光內雕技術使激光器輸出頻率差，其賦值精確，裝配不帶來不穩定。本項目雖然是氦氖雙頻激光器制造過程中的一個工藝或物理過程，但在精密測量領域意義重大，影響深遠。 合作需求 尋求本領域合適的合作伙伴，把這種采用新工藝的雙頻激光器裝于干涉儀，并把這種雙頻激光干涉儀推向市場。

1. 痛點問題 激光雷達在自動駕駛等領域有重要應用?；谡{頻連續波技術的激光雷達（FMCW Lidar）有著探測距離遠、抗干擾和同時測速等優勢，被認為是最具應用潛力的激光雷達。激光光源是FMCW激光雷達的核心器件之一，FMCW光源的調頻非線性會嚴重影響激光雷達的分辨率，導致有效工作距離縮短，阻礙激光雷達性能的提升。 2. 解決方案 本成果預期解決目前調頻連續波激光雷達（FMCW Lidar）中光源調頻非線性的問題。本成果提出一種基于硅基外腔芯片的窄線寬激光器，通過無源硅基外腔芯片反射波長中心頻率和反射相位的聯合調諧，可以實現高線性的激光輸出頻率調諧，其原理架構與和實驗驗證結果如圖1所示。從而突破了傳統FMCW光源直接通過電流調制進行調頻導致的非線性限制，直接產生高線性連續調頻光信號。 合作需求 1、需要融資1800~2000萬元，完成研發實驗室及一期生產線的建設，以及前期工程樣品的開發； 2、需要800平米左右萬級超凈廠房及配套辦公面積，希望有興趣的地區或者園區能夠提供優惠的政策與支持； 3、歡迎FMCW激光雷達廠家及其它對FMCW光源有需求的客戶合作，聯合測試、共同開發； 4、歡迎在硅光設計、光有源、無源耦合及自動化生產等方面的技術、管理專家加盟，共同打造激光雷達的中國光芯，共創美好未來。

產品詳細介紹 產品名稱： 高功率半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 12281271316產品信息： 產品名稱： LCM-LL-250型 綠光微功率激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 61910274716產品信息： 產品名稱： 375nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118957316產品信息： 產品名稱： 藍光405 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118956016產品信息： 產品名稱： 藍光473 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189545816產品信息： 產品名稱： 綠光523 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118954116產品信息： 產品名稱： 綠光532 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189525516產品信息： 產品名稱： 黃光556nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189511616產品信息： 產品名稱： 黃光561nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189501816產品信息： 產品名稱： 黃光589nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118949416產品信息： 產品名稱： 黃光593nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189474716產品信息： 產品名稱： 紅光635nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189455616產品信息： 產品名稱： 紅光639nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189445316產品信息： 產品名稱： 紅光 671 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189393016產品信息： 產品名稱： 690 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189384116產品信息： 產品名稱： 457 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118937916產品信息： 產品名稱： 445 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189343316產品信息： 產品名稱： 375 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189323116產品信息： 產品名稱： 拉曼780 nm 半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118929816產品信息： 產品名稱： 785 nm 半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 118927716產品 產品名稱： 808 nm半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189252716產品信息： 產品名稱： 830nm 半導體激光器產品類別： 激光系列產品 → 半導體激光器產品編號： 1189233916產品信息： 信息： 【激光系列產品】 光纖激光器  多模泵浦激光器  激光二極管未封裝bar  激光二極管冷卻裝置  激光器電源  氦氖激光器  CO2激光器  半導體泵浦激光器  氬離子激光器  氦鎘激光器  氮分子激光器  皮秒激光器  激光二極管電源  激光光譜測量  激光能量計/功率計  激光雕刻、打標、切割機  激光二極管模塊  深紫外、紫外固體激光器  超快飛秒激光器  熱電制冷產品  激光光束定位系統  激光光束分析儀  視頻顯微鏡測量系統  激光準直器  多通道激光功率計  半導體激光器  激光測距儀  紅外激光顯示卡  調Q激光器  激光護目鏡  光學平臺  光學調整架  光學微調架  可調嵌入式光學調整架  傾斜位移臺  通用調整臺  光學延遲線  手動位移臺  XY位移臺  光學旋轉臺  角位移調整臺  激光器附件  可變光闌  擴束鏡  拉曼激光器  大功率光纖耦合激光器  單模垂直腔面發射激光器  緊湊型氬離子激光器  新型氬離子激光器 

本發明公開了一種用于光纖激光器的包層光剝離器及其制作方 法，該剝離器包括包層光纖、多段光柵和冷卻管套，其制作方法是在 裸露的光纖內包層外表面上涂覆折射率大于或等于內包層折射率的紫 外光刻膠，然后在紫外光刻膠上刻蝕多段光柵，通過多段光柵的衍射 將內包層內殘余光剝離出來；將制作好的多段光柵套在金屬管中，并 用密封套密封，該金屬管壁鋪滿吸熱材料，將剝離出的內包層光吸收， 通入流通的冷卻水將產生的熱量帶走。本發明通過采用不同

本發明公開了一種用于光纖激光器的包層光剝離器及其制作方 法，該剝離器包括包層光纖、多段光柵和冷卻管套，其制作方法是在 裸露的光纖內包層外表面上涂覆折射率大于或等于內包層折射率的紫 外光刻膠，然后在紫外光刻膠上刻蝕多段光柵，通過多段光柵的衍射 將內包層內殘余光剝離出來；將制作好的多段光柵套在金屬管中，并 用密封套密封，該金屬管壁鋪滿吸熱材料，將剝離出的內包層光吸收， 通入流通的冷卻水將產生的熱量帶走。本發明通過采用不同結構的光 柵來調整包層光的透過率,達到高效均勻剝離的目的，避免剝離器出現 過熱點，保

本發明公開了一種提高激光轉盤斬波調 Q 性能的裝置及包含該 裝置的調 Q 激光器，裝置包括位于諧振腔內部或外部的伽利略望遠鏡 裝置以及位于諧振腔內部用于對壓縮后的激光光束進行調 Q 的轉盤斬 波調 Q 器件。激光介質為一個時，第一伽利略式望遠鏡裝置位于諧振 腔之內，用于壓縮激光光束直徑，以減少 Q 開關時間增強調 Q 效果； 激光介質大于一個時，第二伽利略式望遠鏡裝置位于諧振腔之外，由 各路激光諧振腔共用，用于將多路

本發明提供了一種基于多光子吸收的染料摻雜液晶隨機激光器，包括玻璃基片以及其上順序附著的固化層和混合層，所述固化層為光控染料與表面聚合材料的飽和溶液固化形成的薄膜，所述混合層為液晶與激光染料的混合溶液層。本發明基于多光子吸收效應，泵浦光處于長波段在激光器表層的損耗較少，可穿透表層到達介質內部，使多光子吸收發生在激光器較深處，對隨機激光器的厚度沒有特殊要求，能有效提高泵浦效率。并且，多光子泵浦光源的長波段光子能量較低，可減少對材料的損害，防止發生短波段光子引起的材料變性的問題。

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