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大尺寸寬禁帶半導體氮化鎵單晶襯底產(chǎn)業(yè)化技術(shù)
在大尺寸寬禁帶/半導體單晶襯底外延設備、材料生長等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出國內(nèi)第一臺用于氮化鎵（GaN）襯底的鹵化物氣相外延（HVPE）系統(tǒng)，研究發(fā)展了獲得高質(zhì)量GaN襯底所需的所有關(guān)鍵技術(shù)并擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，在氮化鎵單晶襯底設備和材料技術(shù)領(lǐng)域已獲授權(quán)國家發(fā)明專利30余項、申請國家發(fā)明專利30余項。在國內(nèi)最早研制出2英寸毫米級GaN單晶襯底，建成6英寸HVPE系統(tǒng)并實現(xiàn)7片2吋及4-6吋GaN均勻生長；研究出創(chuàng)新性的GaN襯底批量制備技術(shù)，即將進行高質(zhì)量、低成本GaN襯底的產(chǎn)業(yè)化應用，為第三代半導體應用奠定了材料基礎。
南京大學
2021-05-10
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一種適應急水流條件大葉藻種子增殖裝置及方法
本發(fā)明公開了一種適應急水流條件大葉藻種子增殖裝置及方法，該裝置包括裝置主體(1)、地上部分(2)、隔板(3)、地下部分(4)，所述裝置主體(1)為一根直徑15cm硬質(zhì)pvc管，長度30cm，管上端3cm處設置隔板(3)，將管分為地上部分(2)和地下部分(4)。本發(fā)明具有種子萌發(fā)率高、成本低廉、操作簡單的特點，適合推廣應用。
青島農(nóng)業(yè)大學
2021-04-11
一種基于超構(gòu)透鏡陣列的大視場集成顯微成像裝置
發(fā)明(設計)人：李濤, 徐貝貝, 祝世寧。本發(fā)明涉及一種基于超構(gòu)透鏡陣列的大視場集成顯微成像裝置。該裝置包括：光源、超構(gòu)透鏡陣列、線偏振片和圖像傳感器；所述線偏振片固定于所述光源的后方，且所述線偏振片位于所述光源的出射光路上；所述超構(gòu)透鏡陣列固定于所述線偏振片的后方，且所述超構(gòu)透鏡陣列位于所述線偏振片的出射光路上；待成像物體位于所述線偏振片和所述超構(gòu)透鏡陣列之間；所述圖像傳感器位于所述超構(gòu)透鏡陣列的后方；所述超構(gòu)透鏡陣列中包括周期性排布的多個超構(gòu)透鏡。本發(fā)明可以實現(xiàn)在不犧牲分辨率不增加工作距離的條件下，擴大成像視場。
南京大學
2021-04-10
2021年度“中國地理科學十大研究進展”發(fā)布
中國地理學會于2022年1月啟動了2021年度“中國地理科學十大研究進展”遴選工作。經(jīng)中國地理學會會士和本會所屬各分支機構(gòu)推薦，以及2021年度“中國地理科學十大研究進展”遴選專家組評審，并經(jīng)過中國地理學會十二屆十一次常務理事會議審議批準，確定“國產(chǎn)地理建模與模擬軟件平臺”等十項成果入選2021年度“中國地理科學十大研究進展”。
中國地理學會
2022-06-08
團中央發(fā)布2023年大學生創(chuàng)業(yè)幫扶計劃工作指引
把促進青年特別是高校畢業(yè)生就業(yè)工作擺在更加突出的位置”的重要要求，共青團中央將在2023年繼續(xù)實施“共青團促進大學生就業(yè)行動。
創(chuàng)青春
2023-01-31
2023年抓好促進知識產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化運用等7大重點工作！
全國知識產(chǎn)權(quán)局局長會議召開
國家知識產(chǎn)權(quán)局政務微信
2023-01-10
復旦大學魏大程團隊提出“分子機電系統(tǒng)”，實現(xiàn)精準生物檢測
魏大程課題組長期致力于研究新型晶體管材料、器件及其在生物、化學和光電傳感等領(lǐng)域的應用。他們提出的“分子機電系統(tǒng)”(MolEMS)，即一種通過DNA分子自組裝而成，通過外電場驅(qū)動，能精準調(diào)控分子識別和信號轉(zhuǎn)化過程的微型裝置。
復旦大學
2022-02-11
一種可控大長徑比納米探針的制備裝置與制備方法
本發(fā)明提供一種可控大長徑比納米探針的制備裝置，通過設置 腐蝕穩(wěn)壓電路、腐蝕電壓切斷電路、探針浸沒判斷電路，與單片機配 合實現(xiàn)對腐蝕過程中的腐蝕電壓、探針浸沒深度、探針提升速度等重 要參數(shù)的精確控制，能夠制備大長徑比、可控長徑比、耐磨損、可回 收、成本低的納米探針。本發(fā)明還提供一種可控大長徑比納米探針的 制備方法，采用探針浸入指定深度后不再停留腐蝕，而是一直不斷提 起探針，從而形成針尖長、針尖曲率半徑平滑變化、長徑比大的新型 納米探針，具有不易磨損、可回收再利用、使用成本低等顯著優(yōu)點， 并通過對腐蝕電
華中科技大學
2021-01-12
Φ1500 大尺寸超精密非球面車復合加工機床及應用工藝
激光核聚變裝置、衛(wèi)星用光學系統(tǒng)、大型天文望遠鏡等國家重大工程及國防尖端技術(shù)對高精度大口徑光學非球面元件（Φ400mm以上）有極大的需求。該類元件屬于硬脆性難加工材料，對非球面表面加工精度的要求也相當高，當前國內(nèi)精密超精密加工技術(shù)及裝備與國外相比仍然存在階段性差距，技術(shù)整體水平落后于發(fā)達工業(yè)國家。 針對國家對高精度大口徑非球面光學元件的重大需求，西安交通大學聯(lián)合國內(nèi)超精密加工領(lǐng)域的優(yōu)勢單位秦川機床、哈爾濱工業(yè)大學、北京空間機電研究所、廈門大學和蘇州大學，首次采用階梯梁結(jié)構(gòu)成功研制出了國內(nèi)首臺1500mm非球面超精密車磨復合加工機床，實現(xiàn)了典型加工件（Φ400mm以上）的面型精度優(yōu)于5μm（PV），粗糙度小于10nm（RMS），同時研制出了1500mm大尺寸工件等應力支撐夾具和高精度工作轉(zhuǎn)臺（軸跳和徑跳均為0.3μm），開發(fā)了測量范圍可達1000mm的大尺寸非球面測量裝置，重復測量精度1μm。
西安交通大學
2021-04-11
大容量碳化硅電力電子產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
已有樣品/n在微電子所的技術(shù)支持和協(xié)助下，株洲中車時代電氣股份有限公司國內(nèi)首條6英寸碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線順利完成技術(shù)調(diào)試，廠務、動力、工藝、測試條件均已完備，可實現(xiàn)4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研發(fā)與制造。與其他半導體材料相比，SiC 具有寬禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高擊穿場強，以及高熱導率等優(yōu)異物理特點，是新一代半導體電力電子器件領(lǐng)域的重要發(fā)展趨勢。
中國科學院大學
2021-01-12