大尺寸寬禁帶半導體氮化鎵單晶襯底產業化技術
在大尺寸寬禁帶/半導體單晶襯底外延設備、材料生長等方面做出了突出的工作。2001年始,研制出國內第一臺用于氮化鎵(GaN)襯底的鹵化物氣相外延(HVPE)系統,研究發展了獲得高質量GaN襯底所需的所有關鍵技術并擁有自主知識產權,在氮化鎵單晶襯底設備和材料技術領域已獲授權國家發明專利30余項、申請國家發明專利30余項。在國內最早研制出2英寸毫米級GaN單晶襯底,建成6英寸HVPE系統并實現7片2吋及4-6吋GaN均勻生長;研究出創新性的GaN襯底批量制備技術,即將進行高質量、低成本GaN襯底的產業化應用,為第三代半導體應用奠定了材料基礎。
南京大學
2021-05-10