葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 激光系列產(chǎn)品 >> 激光能量計(jì)/功率計(jì) >> Vector S310激光功率計(jì)表頭特點(diǎn)大尺寸液晶屏功率/能量測量模式統(tǒng)計(jì)模式高級EMI/RFI保護(hù)模式自動(dòng)斷路器RS-232接口IEEE 488接口模擬輸出可選衰減修正液晶背景燈可選科學(xué)符號顯示支持LabView 產(chǎn)品名稱： Astral S系列激光功率計(jì)產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 激光能量計(jì)/功率計(jì)產(chǎn)品編號： 21113533716產(chǎn)品信息： 產(chǎn)品名稱： VECTOR 系列焦熱電激光功率計(jì)探頭產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 激光能量計(jì)/功率計(jì)產(chǎn)品編號： 2111324616產(chǎn)品信息： 產(chǎn)品名稱： Astral系列大孔徑激光功率計(jì)探頭產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 激光能量計(jì)/功率計(jì)產(chǎn)品編號： 21113211116產(chǎn)品信息： 產(chǎn)品名稱： Ultra系列超級激光功率計(jì)探頭產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 激光能量計(jì)/功率計(jì)產(chǎn)品編號： 2111316116產(chǎn)品信息： 產(chǎn)品名稱： Astral系列激光功率計(jì)光電二極管探頭產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 激光能量計(jì)/功率計(jì)產(chǎn)品編號： 21113141916產(chǎn)品信息： 產(chǎn)品名稱： Astral S系列光電二極管激光功率計(jì)產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 激光能量計(jì)/功率計(jì)產(chǎn)品編號： 21110394916產(chǎn)品信息： 產(chǎn)品名稱： VECTOR H410激光能量計(jì)/功率計(jì)表頭產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 激光能量計(jì)/功率計(jì)產(chǎn)品編號： 21110264716產(chǎn)品信息： 產(chǎn)品名稱： Vector S310激光功率計(jì)表頭產(chǎn)品類別： 激光系列產(chǎn)品 → 激光能量計(jì)/功率計(jì)產(chǎn)品編號： 21110143516產(chǎn)品信息：

隨著便攜式電子設(shè)備的快速發(fā)展，將微型電子設(shè)備運(yùn)用到可穿戴設(shè)備或者作為生物植入物的可行性越來越大。用柔性電子器件來替代傳統(tǒng)的硬質(zhì)電子器件的重要性也愈加凸顯，如何解決柔性電子設(shè)備的儲(chǔ)能問題，是實(shí)現(xiàn)這些可能性的重要因素之一。 本成果設(shè)計(jì)并制備了一種新型柔性微型超級電容器，其具有制備工藝簡單，成本較低，適用于各種粉末狀電極材料等特點(diǎn)。

電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經(jīng)開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內(nèi)最早開展GaN-on-Si功率半導(dǎo)體技術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強(qiáng)型功率晶體管及其集成技術(shù)方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽(yù)為“器件奧林匹克”的國際頂級會(huì)議IEDM上報(bào)道了GaN-on-Si開關(guān)模式Boost轉(zhuǎn)換器，國際上首次實(shí)現(xiàn)了GaN-on-Si單片集成增強(qiáng)型功率晶體管和功率整流器

作為第三代半導(dǎo)體代表性器件.硅基GaN開關(guān)器件由于具有更小的FOM.能夠把開關(guān)頻率推到MHz應(yīng)用范圍，突破了傳統(tǒng)電源功率密度和效率瓶頸(功率密度提高5-10倍).且具有成本優(yōu)勢，滿足未來通信、計(jì)算電源、汽車電子等各方面需求,開展相關(guān)領(lǐng)域的研究對我國在下一代電力電子器件產(chǎn)業(yè)的全球競爭中實(shí)現(xiàn)彎道超車,具有重要意義。然而,器件物理特殊性需要定制化柵驅(qū)動(dòng)電路和采用先進(jìn)的環(huán)路控制策略，最大程度提高GaN開關(guān)應(yīng)用的可靠性,發(fā)揮其高頻優(yōu)勢。

高功率超短脈沖激光技術(shù)在激光精細(xì)加工和激光 3D 打印等領(lǐng)域表現(xiàn)出很大的優(yōu)勢，可以提供十微米以下甚至亞微米級的加工精度，市場應(yīng)用前景廣闊。由于高功率超短脈沖激光的脈沖寬度非常窄（工業(yè)應(yīng)用通常在百飛秒至幾十皮秒量級），單脈沖能量較大，峰值功率非常高，普通實(shí)芯石英光纖  受限于材料的非線性和損傷閾值低的問題，無法傳輸如此高功率的超短脈沖。現(xiàn)在大多采用空間光路 反射輸出，這大大增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性，限制了其應(yīng)用范圍。 北工大基于國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目，制備了高性能的無節(jié)點(diǎn)空芯反諧振光纖，該光纖纖芯為空氣   結(jié)構(gòu)，這就避免了材料的吸收，可以大大提高光纖的損傷閾值，進(jìn)而可用來傳輸高功率超快激光。這 種高性能無節(jié)點(diǎn)空芯反諧振光纖利用改裝的特種光纖拉絲塔通過堆積和拉制的方法拉制而成。目前， 國際范圍內(nèi)僅有少數(shù)科研單位和一家法國 GLO Photonics 公司具有制備該光纖的能力，并且銷售價(jià)格較高（約 20,000 元 / 米），阻礙了其工業(yè)化應(yīng)用進(jìn)程。

?  成果簡介：高功率大轉(zhuǎn)矩交流感應(yīng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)峰值轉(zhuǎn)矩達(dá)1400Nm，應(yīng)用效果良好；車用高效大功率永磁同步電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)填補(bǔ)了國內(nèi)該領(lǐng)域的空白，突破了高速穩(wěn)定弱磁調(diào)速技術(shù)難，比功率大于1.45kW/kg。該成果已在大洋電機(jī)、北京公交集團(tuán)、627廠、福田、618廠、山東華盛集團(tuán)、北京飛馳綠能、安徽安凱公司等企業(yè)得到推廣應(yīng)用。?  項(xiàng)目來源：自行開發(fā)?  技術(shù)領(lǐng)域：電氣工程、新能源汽車? &n

一種超聲波功率測量系統(tǒng)，本發(fā)明屬于測量儀器，解決現(xiàn)有輻 射力天平法測量超聲波功率對環(huán)境要求較高、儀器達(dá)到穩(wěn)定測量狀態(tài) 所需時(shí)間較長的問題。本發(fā)明包括激光器、擴(kuò)束鏡、衰減片、水槽、成像透鏡、CCD 攝像機(jī)、計(jì)算機(jī)、激光電源和光學(xué)平臺(tái)，所述激光器、 擴(kuò)束鏡、衰減片、水槽、成像透鏡和 CCD 攝像機(jī)沿光路依次固定在光 學(xué)平臺(tái)上，成像透鏡的軸線與激光器 1 發(fā)出的平行光的軸線重合，CCD 攝像機(jī)放置在成像透鏡的焦點(diǎn)上，用于接收衍射圖案，并將該圖像傳

特色及先進(jìn)性；技術(shù)指標(biāo) 電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經(jīng)開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內(nèi)最早開展GaN-on-Si功率半導(dǎo)體技術(shù)研究的團(tuán)隊(duì)。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強(qiáng)型功率晶體管及其集成技術(shù)方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽(yù)為“器件奧林匹克”的國際頂級會(huì)議IEDM上報(bào)道了GaN-on-Si開關(guān)模式Boost轉(zhuǎn)換器，國際上首次實(shí)現(xiàn)了GaN-on-Si單片集成增強(qiáng)型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結(jié)構(gòu)（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結(jié)構(gòu)如圖2所示。新結(jié)構(gòu)較傳統(tǒng)GaN整流器具有更小的導(dǎo)通電阻，更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統(tǒng)SBD正向開啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓（0.6V）和導(dǎo)通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優(yōu)秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標(biāo)準(zhǔn)，MG-HAD在常溫下?lián)舸╇妷撼^1.1kV的儀器測量極限，150 ℃高溫下?lián)舸╇妷簽?70V。本器件結(jié)果能同時(shí)具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優(yōu)值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報(bào)道中為第二高值，見圖5所示。

兩電平與三電平主電路適用于能量四像限運(yùn)行，三電平更適于直流高壓場合，可用于并網(wǎng)逆變，老化電子負(fù)載，蓄電池充放電機(jī)的前級，高功率因數(shù)整流器， 用作微電網(wǎng)與電網(wǎng)間的接口電路，可實(shí)現(xiàn)微網(wǎng)與電網(wǎng)間的能量互換，可用于直流充電樁的前級，實(shí)現(xiàn)網(wǎng)側(cè)的高功率因數(shù)自主知識產(chǎn)權(quán)。