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配流冷卻機構及具有該配流冷卻機構的斜盤壓縮機
本發(fā)明公開了一種配流冷卻機構，包括依次相連接的進氣閥片、 閥板、出氣閥片、導流片及冷媒片。所述進氣閥片開設有第一通槽、 第二通槽、第三通槽及第四通槽，所述第一通槽、所述第三通槽、所 述第二通槽及所述第四通槽繞所述進氣閥片的中心軸均勻排布;所述 第一通槽、所述第二通槽、所述第三通槽及所述第四通槽內分別設置 有一級進氣舌簧片、二級進氣舌簧片、三級進氣舌簧片及四級進氣舌 簧片，所述一級進氣舌簧片、所述二級進氣舌簧片、所述三級進氣舌簧片及所述四級進氣舌簧片分別通過彈性變形或者恢復彈性變形，以 控制進入斜盤壓
華中科技大學
2021-04-14
浸沒循環(huán)撞擊流反應器
本實用新型的目的是克服上述裝置的不足，提供一種能夠創(chuàng)造良好的微觀混合條件、使反應及反應-沉淀和結晶等過程有效地進行，保證物料有足夠的停留時間、能適應各種反應體系要求，可以間歇、也可以連續(xù)操作，并能提供反應所需換熱等條件的反應技術裝備。 除具備傳統(tǒng)攪拌反應釜的一切功能外，本反應器還具有極佳的微觀混合性質和全混流—無混合流串聯(lián)循環(huán)的特殊流動結構，適合于在分子尺度上進行的液相或以液體為連續(xù)相的過程，特別是化學反應—沉淀法制取超細粉體；撞擊流面附近產生波動現(xiàn)象還有利于促進動力學，消除微觀混合不良對過程速度的限制。在沉淀法制白炭黑、納米TiO2、納米銅粉等所有制備工藝實驗中，該反應器都顯示出優(yōu)越性能—制得產品比傳統(tǒng)攪拌反應釜產品更細、分布更窄；該反應器中結晶成長速度比比傳統(tǒng)裝置中更快。是攪拌反應釜理想的更新?lián)Q代產品。已完成不同規(guī)格工業(yè)反應器的機械設計。
武漢工程大學
2021-04-11
立式循環(huán)撞擊流反應器
對于在液相和液固相體系中進行的反應以及反應-沉淀和結晶等過程，反應器中的混合狀況，尤其是分子尺度上的混合即微觀混合有重要影響。工業(yè)上廣泛用于這類過程的傳統(tǒng)裝置是攪拌槽反應器(簡記為STR)。這種反應器通常是在一個高度與直徑大致相等的容器中，依靠轉動的單層或多層攪拌槳帶動流體旋轉運動，使流團之間和液固相之間產生相對運動，從而發(fā)生混合。由于這種方式產生的流團間和液－固相間相對運動不夠劇烈，混合、尤其是微觀混合狀況不理想，因而液相和液固相中進行的上述過程效率不夠高；同時，旋轉引起的離心力使得攪拌槳輸入的機械能大部分消耗在流體與器壁碰撞上，能量利用率也不高。化學工程研究室伍沅研發(fā)了一種“浸沒循環(huán)撞擊流反應器”，已獲得專利(ZL00 2 30326.4)。該反應器具有下列重要特性和優(yōu)點： (1)全混流－無混合流串聯(lián)循環(huán)的特殊流動結構； (2)撞擊流微觀混合強烈； (3)通過循環(huán)的安排，可以根據(jù)需要任意設置反應時間，適應大多數(shù)反應體系的要求； (4)可以間歇、也可以連續(xù)操作； (5)可以提供換熱條件。 它在制取超細粉體等應用中已顯示出優(yōu)越的性能；還具有動力消耗低的優(yōu)點。然而，該反應器在工業(yè)應用方面也存在一定的局限性。主要問題是反應器側壁形狀有相當大的一部分平面，受力情況比較苛刻。當用于在加壓或真空下進行的過程時，器壁勢必做得很厚，大大增加設備重量、材料消耗和投資。本實用新型的目的是克服上述不足，通過改變結構、提供一種既能保持浸沒循環(huán)撞擊流反應器的優(yōu)點和性能，又便于設計和制造成能在受壓條件下工作的反應技術裝備。它是浸沒循環(huán)撞擊流反應器(ZL00230326.4)的改進型。由臥式改為立式圓筒形結構，消除了所有平面壁，從而更容易制造加壓反應器。其它性質和功能與前者相同。 銷售專利售反應器，也可轉讓專利權或入股聯(lián)合經營企業(yè)。
武漢工程大學
2021-04-11
關于自旋超流基態(tài)的研究
研究小組首先利用激光分子束外延技術生長了具有原子級別平整度的反鐵磁Cr2O3薄膜，是電荷的絕緣體。采用非局域自旋輸運的技術，用熱方法在鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、產生自旋壓，在另外一個鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應測量自旋流的輸運（圖A）。實驗數(shù)據(jù)顯示在低溫下自旋輸信號出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，對應著自旋導的飽和，也就是零自旋阻效應；即自旋超流基態(tài)的最重要基本性質之一（圖B）。在此基礎上，該研究小組又系統(tǒng)研究了不同自旋輸運距離下自旋超流的輸運現(xiàn)象，證明了自旋在該自旋超流基態(tài)可以進行長距離的輸運，并且其隨輸運距離的關系與自旋超流態(tài)輸運理論預言一致（圖C）。該工作是是自旋超導態(tài)領域研究的一項重大突破，勢必推動自旋超導態(tài)的快速發(fā)展，為研究基于自旋玻色子的玻色愛因斯坦凝聚的基礎物理研究提供了實驗平臺，并為新型量子自旋器件，如自旋流約瑟夫森結等，奠定了實驗基礎。圖：自旋超流基態(tài)的重要實驗證據(jù)。（A）非局域自旋輸運測量示意圖。用熱方法在左邊鉑電極和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右邊鉑電極處利用鉑的自旋霍爾效應測量自旋流的輸運。（B）自低溫下自旋輸信號出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，反映出自旋超流基態(tài)的零自旋阻效應。（C）自旋信號隨其隨輸運距離的關系與自旋超流態(tài)輸運理論預言一致。
北京大學
2021-04-11
新型高效潛水推流曝氣機
該裝置工作原理不同于已有產品，具有推流和曝氣雙重作用，利用葉輪的高速旋轉，在葉輪前端形成一定負壓吸入空氣，形成汽水混合物后在葉輪的強大推力下噴出，采用旋轉蝸殼噴水裝置，渦殼在水流反作用力下可以做 360 度旋轉，極大地提高曝氣面積。該裝置的特點是：使用獨特的高效無堵塞推流曝氣葉輪，提高了效率；采用水力自旋轉蝸殼噴水裝置，提高了服務面積；結構緊湊，安裝維護方便。
揚州大學
2021-04-14
挑流-射流聯(lián)合消能系統(tǒng)
挑流-射流聯(lián)合消能系統(tǒng)利用下泄的高速水流沖擊溢流堰上葉輪轉動，通過變速器加速發(fā)電機旋轉發(fā)電，為置于水墊塘中的增壓泵供電，增壓泵的矩形出水口向上噴射出的面狀水流與溢流壩面挑射后下泄的面狀水流在空中碰撞消能，沖擊葉輪過程進行底坎消能，在完成底坎消能和對沖消能后，余能將在水墊塘得到進一下的消減。
安徽理工大學
2021-04-13
“雙一流”建設與教育學一流學科建設高端論壇召開
為加快推進“雙一流”建設，落實立德樹人根本任務，培養(yǎng)一流人才，服務國家戰(zhàn)略需求，4月9日，“‘雙一流’建設與教育學一流學科建設高端論壇”以線上線下相結合的方式在廈門召開。
中國高等教育學會
2022-04-11
半導體設備超潔凈流控系統(tǒng)及其受制約流控零部件
浙江大學聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎研究、技術攻關和產品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關鍵核心技術
一、項目分類
關鍵核心技術突破
二、技術分析
如何通過超潔凈流控技術降低流控污染，減少曝光缺陷，提升曝光良率，是國產高端半導體制造裝備研制面臨的重大挑戰(zhàn)，直接關乎整機產品的產線應用性能與市場競爭力。此外，作為各類半導體制造裝備的共性核心零部件，超潔凈流控部件市場被美國、日本等國壟斷，使我國半導體制造裝備產業(yè)面臨核心零部件“卡脖子”風險。浙江大學流體動力與機電系統(tǒng)國家重點實驗室啟爾團隊所承擔的高端半導體制造裝備核心分系統(tǒng)之一的超潔凈流控系統(tǒng)，自2004年以來在國家863計劃和國家02專項支持，聚焦超潔凈流控系統(tǒng)基礎研究、技術攻關和產品研發(fā)，攻克了影響光刻分辨率、良品率與產率的1mk級溫度測控、5ppt級金屬離子測控、20μm級氣泡測控、50nm級殘留液膜測控等關鍵核心技術，完成了超潔凈流控系統(tǒng)九大組件的研制和集成測試，為半導體制造設備掃描速度與產能的提高提供基礎理論與方法依據(jù)，同時自主研發(fā)的半導體機臺核心超潔凈流控零部件實現(xiàn)了產品化，突破了國外技術的封鎖，為我國半導體制造的發(fā)展與自主創(chuàng)新提供了基礎支撐。
浙江大學
2022-07-22
一種基于球體投影公切線的多相機標定及參數(shù)優(yōu)化方法
本發(fā)明公開了一種基于球體投影公切線的多相機標定及參數(shù)優(yōu)化方法，具體步驟為：1、依據(jù)球體投影公切線的交點和球心投影點共線的原理，獲得球心投影在相平面的坐標；2、結合球心投影，通過絕對二次曲線的像和球體投影之間的代數(shù)關系，求得相機的內外參數(shù)；3、使用橢圓形狀參數(shù)表示球體的投影，并依此將投影曲線和其重投影之間的誤差劃分為相對獨立的兩部分，采用非線性優(yōu)化方法對兩部分偏差逐步優(yōu)化獲得相機最終的標定結果；4、將多相機的標定結果通過匹配方法統(tǒng)一到同一世界坐標系下，完成多相機的標定。本發(fā)明方法求解過程保留了參數(shù)幾何意義，標定精度高，能簡便高效的完成多相機的同時標定。
東南大學
2021-04-11
山東省人民政府關于加快構建一流科技創(chuàng)新生態(tài)的意見
為積極順應新一輪科技革命和產業(yè)變革新趨勢，努力爭當高水平科技自立自強排頭兵，現(xiàn)就加快建設科技強省，構建一流科技創(chuàng)新生態(tài)，提出如下意見。
山東省人民政府
2025-04-03