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基于硅基懸臂梁Ｔ型結直接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁耦合Ｔ型結直接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數(shù)轉換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結直接加熱式微波功率傳感器和開關構成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應的ＣＰＷ信號線終端的直接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用直接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用直接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率，
東南大學
2021-04-14
硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基未知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、單刀雙擲開關、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構實現(xiàn)信號的頻率測量，下方的兩個縫隙耦合結構實現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋組成；直接式熱電式功率傳感器由共面波導傳輸線、兩個熱電偶和隔直電容所構成，熱電偶是由金屬臂和半導體
東南大學
2021-04-14
硅基懸臂梁耦合Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測儀器
本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測儀器是由傳感器、模數(shù)轉換和液晶顯示三大模塊組成，傳感器模塊是由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結間接加熱式微波功率傳感器和開關構成，襯底材料為高阻Ｓｉ，功率通過輸入端口對應的ＣＰＷ信號線終端的間接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考信號合成，同樣利用間接加熱式微波功率傳感器檢測合成功率，從而
東南大學
2021-04-14
基于硅基懸臂梁Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測器
本發(fā)明的基于硅基懸臂梁Ｔ型結間接加熱式毫米波信號檢測器，主要實現(xiàn)結構包括由懸臂梁耦合結構、Ｔ型結、間接加熱式微波功率傳感器和開關。懸臂梁耦合結構包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個對稱的懸臂梁構成，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度在所測信號頻率范圍內的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。功率通過第一間接加熱式微波功率傳感器進行檢測；頻率檢測通過利用間接加熱式微波功率傳感器測量兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號的合成功率實現(xiàn)；相位檢測通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號，分別同兩路等分后的參考
東南大學
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結直接式毫米波相位檢測器是由共面波導傳輸線、縫隙耦合結構、移相器、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及直接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個直接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導傳輸線、扇形缺陷結構和空氣橋所組成；直接式熱電式功率傳感器主要由共面波導傳輸線、兩個熱電偶和一個隔直電容所構成，每個熱電偶
東南大學
2021-04-14
硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結間接式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基已知頻率縫隙耦合式Ｔ型結間接式毫米波相位檢測器是由共面波導、縫隙耦合結構、移相器、Ｔ型結功分器、Ｔ型結功合器以及間接式熱電式功率傳感器所構成，整個結構基于高阻Ｓｉ襯底制作，一共設置有四個縫隙耦合結構，上方的兩個縫隙耦合結構連接著兩個間接式熱電式功率傳感器，下方的兩個縫隙耦合結構實現(xiàn)信號的相位測量，在前后縫隙之間設置有一個移相器；Ｔ型結功分器和Ｔ型結功合器是由共面波導、扇形缺陷結構和空氣橋所組成；間接式熱電式功率傳感器主要由共面波導、兩個終端電阻以及熱電堆所構成，熱電堆是由兩種不同的半導體
東南大學
2021-04-14
硅基微機械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測器
本發(fā)明的硅基微機械懸臂梁耦合間接加熱在線式毫米波相位檢測器，實現(xiàn)結構包括懸臂梁耦合結構、功率合成／分配器和間接加熱式微波功率傳感器。懸臂梁耦合結構中，兩個結構相同的懸臂梁在ＣＰＷ中央信號線上方，用于耦合部分待測信號，通過錨區(qū)與功率合成器相連，耦合信號的功率相等，兩個懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長度為λ／８。懸臂梁下方的ＣＰＷ中央信號線上覆蓋了一層Ｓｉ３Ｎ４介電層，用于防止電學短路。參考信號通過功率分配器分成兩路信號，分別與兩路懸臂梁耦合的信號通過功率合成器合成，功率合成器的輸出端連接到間接加熱式微波功
東南大學
2021-04-14
一種改性香菇培養(yǎng)基廢料重金屬吸附劑制備和應用方法
采用化學藥劑和焙燒復合改性方法提高天然香菇培養(yǎng)基廢料吸附重金屬離子的能力，開發(fā)了一種改性香菇培養(yǎng)基廢料重金屬吸附劑，特別適合于微污染含重金屬陽離子的污水處理，如礦山污水、冶煉污水、電鍍污水以及其它行業(yè)含重金屬污水的深度處理。所用原料香菇培養(yǎng)基廢料成本廉價，制備工藝簡單，而且吸附飽和的材料可以通過熱處理回收重金屬，無二次污染產生。
北京科技大學
2021-04-13
大型沉管隧道水下基槽浚邊坡穩(wěn)定性、承載力和變形分析
1.依據(jù)海河實際土質條件，提出了基槽水下開挖下部和上部坡率建議值；2.提出了適合濱海軟土地層特性的水下開挖法及合理的超挖值；3.提出了適合海河沉管隧道的水下邊坡檢測要求和減少基底回淤的施工措施；4.通過應力路徑試驗方法，進行模擬基坑開挖時主動區(qū)側向卸荷試驗（DEP）和固結試驗，得到主動區(qū)卸荷狀態(tài)下土的強度參數(shù)；5.編制了天津市地方標準《內河沉管法隧道設計、施工及驗收規(guī)范》DB/T29-219-2013。 在海河下游軟土地層環(huán)境下，針對內河沉管沉放過程中存在的技術難題，形成了對沉
天津城建大學
2021-01-12
基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導體輻射探測器及制備方法
本發(fā)明公開了一種基于 Bi 基四元鹵化物單晶的半導體輻射探測 器及其制備方法，涉及半導體材料制備的射線成像探測器技術領域。 所述的半導體輻射探測器結構包括以Bi基四元鹵化物單晶作為射線吸 光層，電子選擇性接觸選擇層，空穴選擇性接觸層，分別貼合在所述 吸光層的兩面，兩個電極分別與兩個選擇性電荷接觸層接觸，作為器 件的正極和負極。本發(fā)明的半導體輻射探測器具備高靈敏度，環(huán)境友 好，穩(wěn)定等優(yōu)點。
華中科技大學
2021-04-14