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研究中發現，通過適當的退火工藝，可以有效調控Sb2Te3(GeTe)n基材料中陽離子缺陷的類型，該工作運用球差矯正電子顯微鏡的原位觀測技術及高角暗場掃描透射電鏡技術（in situ/HAADF-STEM）等, 通過比對退火前后的樣品及在電鏡下模擬退火過程，清楚地追蹤到樣品中陽離子缺陷由短程的點缺陷聚集演化成長程的面缺陷的過程，使得調控樣品內載流子濃度降低到合適的程度，最終達到優化材料性能的目的。? 該項工作使得Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料的總體性能大幅提升。據悉，熱點材料優值ZT越高，其轉換效率越高。在溫度達到773K時，熱電材料優值ZT達到了2.4，在323~773K較寬的工作溫度區間內，材料的平均ZT高達1.51，能夠滿足中溫區熱電材料在商業應用中對性能的需求，有望解決Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料效率較低的問題。 本研究成果在目前熱電材料亟待推廣的低品位廢熱發電方向以及未來有可能實現的可穿戴自驅動電子器件與智能傳感設備方面有較大的應用前景。

產品詳細介紹Inertsil CN-3:Inertsil CN-3是在高純度球狀硅膠上鍵合了氰丙基的色譜柱，基于氰基三鍵的π電子作用以及氮的孤對電子作用力，對極性化合物有獨特的選擇性，適合應用于正相分離。當用于反相系統時，其選擇性與C8和C18不同。在藥學領域和復雜混合物的分離中應用廣泛。Inertsil CN-3一般保存在正己烷/乙醇溶液中，當作為反相色譜柱使用時，務必用能與兩種流動相互溶的溶劑，如異丙醇進行過渡置換，再用流動相進行平衡。 --------------------------------------------------------------------------------色譜柱參數：※基體：3系列高純度硅膠※粒徑：3μm，5μm※微孔徑：100?※化學鍵合基團：氰丙基※端基封尾：無※含碳量：14%※USP號：L10 --------------------------------------------------------------------------------訂貨信息： 5μm 長度/內徑(mm) 2.1 3.0 4.0 4.6 33 5020-05311 5020-05321 5020-05331 5020-05341 50 5020-05312 5020-05322 5020-05332 5020-05342 75 5020-05313 5020-05323 5020-05333 5020-05343 100 5020-05314 5020-05324 5020-05334 5020-05344 150 5020-05315 5020-05325 5020-01942 5020-01940 250 5020-05316 5020-05326 5020-01943 5020-01941 【保護柱】 填料名 粒徑 長度(mm) 目標色譜柱的內徑(mm) 內徑(mm) 更換用小柱E（2根一組） 更換用小柱E套件（小柱E2根+小柱保護柱套） Cat.No. Cat.No Inertsil CN-3 3μm、5μm 10 1.0 1.0 5020-08517 5020-08527 1.5、2.1 1.5 5020-08518 5020-08528 2.1、3.0 3.0 5020-08515 5020-08525 4.0、4.6 4.0 5020-08510 5020-08520 20 2.1、3.0 3.0 5020-08565 5020-08575 4.0、4.6 4.0 5020-08560 5020-08570 --------------------------------------------------------------------------------

近日，我校電子信息工程學院和信息材料與智能感知安徽省實驗室科研團隊在各自研究領域取得多項科研成果。

中央高校基本科研業務費（以下簡稱基本科研業務費）用于支持中央高校開展自主選題研究工作，使用方向包括：重點支持40周歲以下青年教師提升基本科研能力；支持在校優秀學生提升科研創新能力；支持優秀創新團隊建設；開展多學科交叉的基礎性、支撐性和戰略性研究；加強科技基礎性工作。

近日，東南大學物理學院倪振華教授和呂俊鵬教授課題組與新加坡科技局材料工程研究院吳靖研究員合作，發現在基于二維Bi2O2Se的場效應晶體管中施加門電壓可以調控極化光學聲子散射到壓電散射的轉變，實現了塞貝克系數與電導率的去耦合，達到了寬溫度范圍的高熱電功率因子。 基于塞貝克效應的熱電材料可以實現熱能和電能的直接轉換，在綠色清潔能源和低溫制冷等領域有著十分重要的應用，如何提高熱電材料轉化效率一直是該領域研究的核心問題。熱電參數之間的強耦合使得提高材料的熱電性能具有挑戰性。長期以來，由于載流子散射機制的復雜性，在調控載流子散射機制方面十分困難，因此常常忽略了載流子遷移率在獨立增強熱電性能（不犧牲塞貝克系數的情況下提高電導率）方面的作用。 不同于目前廣泛研究的石墨烯、過渡金屬硫化物、黑磷等二維材料，二維Bi2O2Se的低聲子群速度和強聲子非諧散射使其具有極低的熱導率(~0.92 W/mK APL 115, 193103 (2019))，同時兼具的高電子遷移率和良好的環境穩定性使得其在熱電以及能源轉化領域有著巨大的潛力。基于二維Bi2O2Se場效應晶體管的熱電輸運，二維Bi2O2Se載流子遷移率在高溫下由極化光學聲子散射主導，在低溫下由壓電散射主導。當壓電散射主導時，其遷移率顯著提高。同時電導率的急劇上升并沒有導致塞貝克系數的明顯下降，表明散射機制的調控可以實現電導率和塞貝克系數的去耦合。這與之前通過調控載流子濃度來平衡電導率和塞貝克系數的策略完全不同。同時，這種散射機制的轉變溫度具有高度的門電壓可調性，通過施加一定大小的門電壓，可以顯著提高極化光學聲子散射到壓電散射的轉變溫度。熱電功率因子與遷移率在兩個數量級的調制上展現出近似線性的相關性，最終實現寬溫度范圍(80-200K)的高熱電功率因子(>400mW-1m-1K-2)。 該工作發現了通過門電壓調控二維Bi2O2Se的散射機制可以有效的調節其熱電性能，證明了散射機制的調控可以很好的實現熱電參數之間的去耦合。高柵極可調性允許對散射機制進行精細的控制，從而揭示更深入的物理機制。對于探索低維材料應用于低溫制冷和物聯網自供電領域具有深遠意義。