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高等教育領域數字化綜合服務平臺
高精度圖像對焦伺服控制器及顯微成像系統
技術成熟度：技術突破
領域存在著景深影響效率的突出問題，本產品以高性能異構處理器為核心運算單元，以嵌入式手段通過視覺流與控制流的嚴格對位，高性能實時完成視頻控制信息的結算，并直接輸出電機驅動信號控制相關執行機構完成閉環控制。
本產品主要面向高性能伺服閉環控制的視頻應用領域，能夠顯著提升顯微工業自動化領域的視頻對焦及對位處理的效率及精度，亦可實現宏觀領域的視覺嵌入化控制閉環應用。
意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持
東北師范大學
2025-05-16
大功率超高壓汞燈光源驅動器
成熟度：技術突破
一種安全、可靠、光強穩定的數字化超高壓汞燈曝光光源控制器，驅動功率高達3kW，功率調整步長小于5W，光強穩定性誤差不高于0.3%@30min，汞燈觸發成功率高于90%。
意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持
東北師范大學
2025-05-16
系列化主被式上下肢關節運動康復器
針對腦卒中與關節損傷高發趨勢，本產品基于康復醫學理論研發多關節智能康復產品，覆蓋肘、膝、踝、腕等上下肢關鍵關節，通過對關節的反復訓練，增強關節本體感覺，打開活動度，推動神經系統重組代償，助力關節功能恢復。
本產品實現多項突破，運用高精度傳感器，精準捕捉關節運動微小變化，實現人機互動與實時康復數據反饋；結合自適應算法實現動態重力補償，精準調控角度/速度/力矩三維參數，通過循跡坐標點樣線擬合生理運動軌跡；創新集成多訓練模式切換系統，滿足全康復周期需求；產品兼具硬/軟件雙重安全防護，提高產品安全性。
腕關節康復器
前臂康復器
肘關節康復器
膝關節康復器
踝關節康復器
吉林大學
2025-05-19
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
寬禁帶半導體碳化硅(SiC)材料是第三代半導體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場、高熱導率等突出優點，能滿足下一代電力電子裝備對功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應用于混合動力車輛、電動汽車、太陽能發電、列車牽引設備、高壓直流輸電設備以及艦艇、飛機等軍事設備的功率電子系統領域。與傳統硅功率器件相比，目前已實用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統，大幅度降低系統體積和重量，因此SiC功率器件也被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。目前基于國內工藝平臺制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向導通測試曲線(c)反向擊穿電壓測試曲線
電子科技大學
2021-04-10
寬禁帶半導體碳化硅電力電子器件技術
本團隊在SiC功率器件擊穿機理、SiC功率器件結終端技術、SiC新型器件結構、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經驗，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設計與研制方案。
電子科技大學
2021-04-10
納米晶氮碳化鈦陶瓷超細粉的高溫碳氮化制備法
一種納米晶氮碳化鈦陶瓷超細粉的高溫碳氮化反應制備法,以納米氧化鈦和納米碳黑為原料,工藝步驟依次為配料、混料、干燥、裝料、高溫碳氮化、球磨、過篩。此法工藝簡單,成本較低,較一般碳熱還原法節約能源,容易實現規模化工業生產。通過控制反應溫度、保溫時間、氮氣壓力(或流量)、碳鈦配比等工藝因素可以合成各種氮含量的氮碳化鈦納米晶超細粉。用此法制備的氮碳化鈦粉末為球形,分散性較好,平均粒度為100～200NM,平均晶粒度為20～50NM,純度達99%以上。
四川大學
2021-04-11
采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的方法
本發明公開了一種采用激光選區燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步驟：按照預定質量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結 劑及固化劑倒入球磨罐內，并進行球磨以得到粘接劑-碳化硅混合粉 末；采用計算機對待制備的零件進行三維數字建模，并將三維數字模 型信息輸入到激光選區燒結成型機，以所述粘接劑-碳化硅混合粉末為 原料，采用激光選區燒結快速成形工藝進行粉末燒結成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；對所述碳化硅素坯進行加熱固化；將
華中科技大學
2021-04-14
凹凸棒土的增值產品開發及產業化
本項目獲江蘇省科技進步獎；中國食品工業協會科學技術獎；中國輕工業聯 合會科技進步獎；教育部科學技術進步獎。 1、項目簡介 項目充分開發我國特色凹凸棒土（簡稱，凹土）資源，通過礦物學、化學、 食品科學、環保工程等多學科交叉研究，首先從納米尺度研究凹土的形貌、成分、 結構特征，發現了賦予其多種特殊性能的“納米孔”和特殊晶體結構，以及影響3 其性能充分發揮的納米孔道、晶體排列和表面性質等缺陷，建立了凹土晶束解離 及其孔道復生與活性點的再生與擴生、恢復凹凸棒土晶體的特有堆積狀態，建立 了凹土增值加工關鍵技術和清潔生產工藝，開發出食用油脫色吸附劑、有機凹土 廢水處理吸附劑、凹土基干燥劑等系列產品。
江南大學
2021-04-11
一種甜葉菊種植用營養土配置裝置
本實用新型公開了一種甜葉菊種植用營養土配置裝置，屬于有機肥領域，其技術方案要點是，包括種植盆、底座和多孔導片，種植盆的底端固定安裝有底座，底座的下壁固定安裝有多孔導片，種植盆的內部固定安裝有營養土，種植盆的外壁通過信號固定安裝有單片機，單片機的外壁焊接有紅外線溫控計，底座的外壁緊密貼合有光伏收集板。該種甜葉菊種植用營養土配置裝置，采用了多孔導片和溫度檢測針，通過溫度檢測針對營養土的溫度進行實時監測
青島農業大學
2021-01-12
土電阻率監測凍結壁溫度場的方法
本發明公開了電阻率監測凍結壁溫度場的方法：首先在立井井筒或隧道周圈凍結壁鉆環形排列成一圈或兩圈的檢測孔4～8個，檢測孔的深度為150～700m，檢測孔直徑為133～159mm；接著，在每個檢測孔內放置帶有若干電極的多芯電纜，所述電極的電極距為 1.8～2.2m，將所述多芯電纜外端連接在放置在地面上的電阻率儀上，可進行凍結地層的電阻率數據采集，根據各土樣的 t-ρ s 方程凍結地層鉆孔柱狀圖，繪制凍結壁等溫線圖，從而得出凍結壁的發育情況。本發明數據采集量大、費用低，大大提高了凍結壁溫度場信息化監測的水平，可有效地探測凍結過程中的斷管、不交圈等異常現象，為凍結法安全施工提供保障。
安徽理工大學
2021-04-13