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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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單分子開(kāi)關(guān)器件的研究
偶氮苯分子作為典型的光致變色分子，在紫外和可見(jiàn)光的照射下，可實(shí)現(xiàn)順式與反式結(jié)構(gòu)之間的相互轉(zhuǎn)化。在單分子水平研究偶氮苯分子的異構(gòu)化，不僅能實(shí)時(shí)觀測(cè)單個(gè)異構(gòu)化事件的動(dòng)力學(xué)過(guò)程，揭示其對(duì)外界刺激響應(yīng)的規(guī)律，同時(shí)也有望實(shí)現(xiàn)單分子水平的開(kāi)關(guān)、存儲(chǔ)器等，從而實(shí)現(xiàn)器件微型化/功能化的目的。近幾年，在掃描隧道顯微鏡中觀察到了電場(chǎng)誘導(dǎo)偶氮苯分子異構(gòu)化的現(xiàn)象，但是其異構(gòu)化的機(jī)理尚不明確。
北京大學(xué)
2021-04-11
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新型存儲(chǔ)器件及集成研究
已有樣品/n面向存儲(chǔ)器領(lǐng)域國(guó)際發(fā)展前沿和國(guó)家重大需求，長(zhǎng)期緊密合作，系統(tǒng)深入研究了新型存儲(chǔ)器機(jī)理、器件材料與結(jié)構(gòu)體系、性能調(diào)控規(guī)律、可靠性表征和集成技術(shù)。取得了局域氧化還原主導(dǎo)的阻變模型、阻變存儲(chǔ)器三維集成、電荷俘獲存儲(chǔ)器材料和結(jié)構(gòu)體系優(yōu)化及可靠性表征等系列原創(chuàng)性科技成果，獲得了國(guó)內(nèi)外同行的廣泛引用和高度評(píng)價(jià)。獲得了具有自主產(chǎn)權(quán)的新型存儲(chǔ)器件及集成解決方案，主要發(fā)明專利和技術(shù)研究成果轉(zhuǎn)移到國(guó)內(nèi)知名集成電路制造企業(yè)。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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薄膜晶體管的器件研究
通過(guò)簡(jiǎn)單封裝和熱退火，制備出穩(wěn)定富含氫的IGZO 晶體管，其晶體管電學(xué)性能、穩(wěn)定性都獲得大大提高。制備方法較簡(jiǎn)單且重復(fù)性高，即用氮化硅薄膜封裝，再通過(guò)熱擴(kuò)散將氮化硅內(nèi)氫元素?cái)U(kuò)散至InGaZnO薄膜內(nèi)。摻氫后的晶體管，其開(kāi)態(tài)電流和開(kāi)關(guān)比都獲得了數(shù)量級(jí)的提升（約40倍），而且閾值電壓沒(méi)有太大變化。而對(duì)應(yīng)提取出的場(chǎng)效應(yīng)遷移率則出現(xiàn)異常，大于300 cm2/(V·s)，遠(yuǎn)高于未經(jīng)處理的對(duì)照樣品。然后結(jié)合二次離子質(zhì)譜儀（SIMS）和X射線光電子能譜分析（XPS）表征，發(fā)現(xiàn)薄膜內(nèi)不但氫濃度提升了約一個(gè)數(shù)量級(jí)，而且氧空位缺陷態(tài)也大大減少了，而自由電子濃度則相應(yīng)顯著增加。?研究還指出，該工作模式在長(zhǎng)溝道晶體管中效果尤為顯著，而在短溝道器件中則受到明顯局限。該工作揭示了氫在氧化物半導(dǎo)體中的穩(wěn)定存在方式和對(duì)導(dǎo)電性能的關(guān)鍵作用，為提升長(zhǎng)溝道晶體管的電流驅(qū)動(dòng)能力提供了一種新的器件工作模式，并對(duì)高遷移率薄膜晶體管的驗(yàn)證和分析提供了普適性的理論依據(jù)和實(shí)驗(yàn)方法。
中山大學(xué)
2021-04-13
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高可靠憶阻器件及其視聽(tīng)覺(jué)傳感應(yīng)用
技術(shù)成熟度：技術(shù)突破
傳統(tǒng)CMOS工藝的圖形處理器通常是由探測(cè)、存儲(chǔ)、處理等多個(gè)分立系統(tǒng)構(gòu)成，不可避免的增加了集成電路的復(fù)雜性、功耗和成本，憶阻器在新型信息存儲(chǔ)器件、存算一體化技術(shù)及人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域有著巨大應(yīng)用潛力。
研發(fā)團(tuán)隊(duì)發(fā)展的感存算一體化新型光電憶阻材料與器件能夠解決傳統(tǒng)人工視聽(tīng)覺(jué)系統(tǒng)在容量、集成度、速度等方面的技術(shù)瓶頸問(wèn)題，是實(shí)現(xiàn)高效智能視聽(tīng)覺(jué)傳感系統(tǒng)的基礎(chǔ)。研發(fā)團(tuán)隊(duì)首次在基于氧化鎢材料憶阻突觸器件的視聽(tīng)覺(jué)系統(tǒng)中模擬了速度檢測(cè)的多普勒頻移信息處理，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高通濾波和處理具有相對(duì)時(shí)序和頻移的尖峰數(shù)據(jù)。這些結(jié)果為視聽(tīng)覺(jué)運(yùn)動(dòng)感知的模擬提供了新機(jī)會(huì)，促進(jìn)了其在未來(lái)神經(jīng)形態(tài)傳感領(lǐng)域的應(yīng)用。
意向開(kāi)展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開(kāi)發(fā)資金支持
東北師范大學(xué)
2025-05-16
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銅材復(fù)雜器件耐腐蝕耐磨材料的研究
在海洋環(huán)境、酸雨污染、高溫高濕等的環(huán)境條件下，紫銅、黃銅及其合金的加工器件在中間工序存放和使用過(guò)程中會(huì)造成點(diǎn)蝕，進(jìn)而擴(kuò)展為大面積腐蝕，而作為連接部件會(huì)加劇縫隙腐蝕引發(fā)應(yīng)力腐蝕斷裂。該項(xiàng)目成功研制了耐腐蝕耐磨防腐蝕環(huán)保涂料，大大延長(zhǎng)銅類尤其是紫銅的自然存放期，對(duì)銅器件生產(chǎn)和運(yùn)輸過(guò)程中起到了很好的保護(hù)作用；由于耐蝕性優(yōu)異，也可作為長(zhǎng)期防護(hù)涂層。該技術(shù)獲得的涂層在厚度為5μ條件下測(cè)試相關(guān)主要技術(shù)指標(biāo)如下： 外觀 無(wú)色透明 可保留銅的金屬光澤；可調(diào)整任意顏色 粘度 25秒 《涂料粘度測(cè)定法》（涂-4杯）（GB/T 1723-1993） 附著力 0級(jí) 《色漆和清漆漆膜的劃格試驗(yàn)》（GB/T9286-1998） 耐鹽霧 200h 《色漆和清漆耐中性鹽霧的測(cè)定》（GB/T1771-1991） 耐沖擊 50Kg·cm 《漆膜耐沖擊測(cè)定法》GB/T1732-1993 耐磨擦 0.005千克 《漆膜耐磨性測(cè)定法》（GB/T1768-1989） 硬度 4H 《涂膜硬度鉛筆測(cè)定法》（GB/T6739-1996） 相容性 與彈藥相容 《真空安定性試驗(yàn)-壓力傳感器法》（GJB772A-97 501.2） 該技術(shù)適合噴涂、刷涂、輥涂等工藝，不含任何有害稀釋劑，為環(huán)保產(chǎn)品。該產(chǎn)品用量少、性能和使用工藝優(yōu)于防銹油；其另一特色在于必要時(shí)很容易去除，比防銹油的去除要容易的多。
北京科技大學(xué)
2021-04-11
單分子晶體管器件研究取得重要進(jìn)展
當(dāng)電子器件基本單元--晶體管的尺寸進(jìn)入到亞納米尺度，量子效應(yīng)將越來(lái)越顯著。探索極端尺度下的晶體管器件并研究其性能和物理機(jī)理，對(duì)未來(lái)信息技術(shù)以及介觀物理學(xué)的發(fā)展具有深刻的意義。
科技部
2021-04-19
旦大學(xué).jpg){kind=logo}
新型氣敏材料及MEMS氣敏器件的研究
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授盧紅亮團(tuán)隊(duì)首次結(jié)合硬模板法、原子層沉積技術(shù)和水熱工藝，在低功耗MEMS器件上原位合成了單層有序SnO2納米碗支化ZnO納米線的多級(jí)異質(zhì)復(fù)合納米材料，并以此作為氣體傳感器，對(duì)濃度低至1 ppm的硫化氫實(shí)
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
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太赫茲波譜與成像理論及功能器件基礎(chǔ)研究
本項(xiàng)目通過(guò)多年研究，發(fā)現(xiàn)了物質(zhì)/結(jié)構(gòu)在太赫茲波段產(chǎn)生的共振、吸收、折射、濾波、偏振等多種新現(xiàn)象和新效應(yīng)。發(fā)展了太赫茲波物質(zhì)探測(cè)、低損傳輸、高速控制和光譜成像的新手段和新方法。在太赫茲波譜應(yīng)用和功能器件研究方面取得了重要進(jìn)展，研制出多種實(shí)用化的太赫茲功能器件。近5 年來(lái)在Appl. Phys. Lett., Optics Letter, Optics Express, J. Opt. Soc. Am.等國(guó)際主流期刊上總共發(fā)表SCI 論文57 篇。申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利22 項(xiàng)，已授權(quán)專利7 項(xiàng)。本項(xiàng)目多項(xiàng)研
電子科技大學(xué)
2021-04-14
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鈣鈦礦單晶光電器件領(lǐng)域研究新進(jìn)展
新型光電器件中載流子傳輸層與金屬鹵化物鈣鈦礦單晶異質(zhì)原位集成的關(guān)鍵問(wèn)題，在無(wú)機(jī)電子傳輸層上異質(zhì)原位生長(zhǎng)高質(zhì)量全無(wú)機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦單晶方面取得研究進(jìn)展 在全無(wú)機(jī)電子傳輸層
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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柔性儲(chǔ)能器件及傳感器件
利于層狀納米材料比表面積大的特點(diǎn)，在碳基柔性襯底上制備了高性能柔性 超級(jí)電容器，及葡萄糖傳感器。超級(jí)電容器的能量密度最大為50.2Whkg-1,功 率密度為8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充電1分鐘能點(diǎn)亮兩只綠色LED燈3 到5分鐘。性能處于國(guó)際先進(jìn)水平，成果先后發(fā)表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。
重慶大學(xué)
2021-04-11