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化學化工學院婁永兵教授課題組在國際頂級期刊《ACS Nano》上發表題為“MoS2-Stratified CdS-Cu2?xS Core?Shell Nanorods for Highly Efficient Photocatalytic Hydrogen Production”（二硫化鉬層化硫化鎘?硫

 從元素在地殼中的豐度，毒性和價格方面介紹硫化物作為熱電材料的天然優勢；從熱電性能上分析了硫化物在熱穩定性，載流子濃度的可調控性等方面的劣勢；也總結了包括元素摻雜、微觀結構調控等優化硫化物熱電材料的方法；最后提出了硫化物潛在的研究方向和可能的優化硫化物熱電材料性能的新方法。

（專利號：ZL 201410557604.6） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鎢(WS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為WS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述WS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鎢粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極材料，

（專利號：ZL 201410557617.3） 簡介：本發明公開了一種帶有硫化鋁(Al2S3)外殼的二硫化鉬(MoS2)納米粉末材料及其制備方法，屬于納米材料制備技術領域。該納米粉末材料為核殼結構，內核為MoS2納米顆粒，外殼為Al2S3層；所述MoS2內核的粒徑為10～100nm，所述Al2S3外殼層為非晶Al2S3層，其厚度為1～10nm。本發明采用等離子電弧放電法，將鉬粉和鋁粉按一定原子百分比壓制成塊體作為陽極材料，采用石墨作為陰極

單層半導體性過渡族金屬硫屬化合物（MX2: MoS2, WS2 等）是繼石墨烯之后備受關注的二維層狀材料。該類材料具有優異的電學性質、強的光物相互作用、高效的催化特性等，在光電子學器件、傳感器件、電催化產氫等領域具有非常廣闊的應用前景。單層MX2 材料的批量制備和高品質轉移是關鍵的科學問題。現有方法仍面臨著諸多重大挑戰，例如，難以實現晶圓尺寸的層數均勻性、單晶疇區小、生長速度緩慢、生長襯底價格昂貴、轉移過程復雜、容易引入污染物等。北京大學張艷鋒課題組是國內較早開展相關研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產氫應用方面取得了一系列重要進展：基于范德華外延的機理，他們在晶格匹配的云母基底上首次獲得了厘米尺度均勻的單層MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)，他引198次)； 在藍寶石上獲得了大疇區單層WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次)；發展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實現了疇區尺寸可調單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態、電子結構和電催化析氫之間的構效關系 (ACS Nano 8, 10196 (2014)，他引124次)。上述成果也受邀撰寫綜述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015)，他引92次)。最近他們在大尺寸均勻MoS2的批量制備以及“綠色”轉移方面取得重要進展。他們選用廉價易得的普通玻璃作為基底，創新性地采用Mo箔作為金屬源(與S粉共同作為前驅體)，采用“face-to-face”的金屬前驅體供給方式，實現了前驅體在樣品上下游的均勻供應，使得樣品尺寸可以得到最大限度的放大(僅受限于爐體尺寸)，獲得了對角線長度可達6英寸的均勻單層MoS2; 結合DFT理論計算和系統的實驗結果發現，玻璃基底上微量的Na對材料生長起到明顯的促進作用, Na傾向于吸附在MoS2疇區的邊緣，起到顯著降低MoS2拼接生長能壘的作用，從而促進其快速生長。 獲取滿覆蓋單層樣品的生長時間僅為8 min，單晶疇區邊緣尺寸可達0.5 mm。此外，他們利用玻璃基底的親水特性，發展了一種無刻蝕的、僅利用超純水輔助的“綠色”轉移方法。該方法適用于晶圓尺寸樣品的快速轉移，且具有操作簡單，轉移樣品質量高等明顯優勢。該工作提出了利用廉價的普通玻璃基底來制備大面積、晶圓尺寸均勻、大疇區單層MoS2的新方法/新途徑，并深入分析了其生長機制，為相關二維材料的批量制備和高效轉移提供了重要的實驗依據，對于推動該類材料的實際應用具有非常重要的意義。

本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

本發明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

簡介：本發明提供了一種微膠囊化二硫化鎢干膜潤滑劑，屬于干膜潤滑劑制備技術領域。該干膜潤滑劑由固體潤滑劑、耐磨添加劑、分散劑、抗氧化劑以及粘結基體組成，其中所述的固體潤滑劑為利用微膠囊技術，采用油相分離法，以具有特殊功能的半合成高分子材料作為壁材在液體分散介質中制得的微膠囊化二硫化鎢微粒。本發明與現有技術相比，具有如下優點：利用微膠囊化納米二硫化鎢微粒制備干膜潤滑劑，具有優異的分散穩定性和摩擦磨損性能；同時，經過微膠囊化處理的納米二硫化鎢微粒能填平摩擦表面凹陷處，可及時填補磨損部位，具有自修復功能，使摩擦表面始終處于較為平整的狀態，提高對偶面的減摩抗磨能力。

SKD-3106二氧化硫化蒸餾儀 適用標準： 食品安全國家標準，《食品中二氧化硫的測定》GB5009.34.2022。 《中華人民共和國藥典》第四部通則2331二氧化硫殘留量測定法。   性能特點： 1.1 無人值守: 系統自動完成加熱、控溫、壓縮機制冷、冷卻水循環、攪拌和蒸餾。 1.2加熱模塊： 采用先進的遠紅外陶瓷輻射加熱技術，無明火，功耗小，效率高，壽命長，加熱均勻，不易爆沸，耐腐蝕。 各加熱組件均可單獨控制,互不干擾。 1.3制冷循環模塊： 外置制冷：外置定制小體積壓縮制冷組件，冷卻水密閉循環,節省空間。 1.4蒸餾液防倒吸 儀器蒸餾管路設有單向裝置，有效防止蒸餾停止加熱后蒸餾液倒吸現象。 1.5蒸餾模式 定時蒸餾:(1-600)分鐘任意設定,根據設定程序蒸餾，到定時時間自動停止蒸餾． 各單元蒸餾時間均可獨立設置。 1.6方法內置 蒸餾儀內置蒸餾方法，可直接調取，無需頻繁輸入重復數據；亦可根據實驗需求自定義方法并保存應用。 1.7 自動攪拌裝置 接收瓶底部內置磁力攪拌裝置，隱藏式設計，美觀大方，各單元攪拌轉速可獨立設置。 1.8 氮氣自動控制 自動控制氮氣開啟，無需人工操作，儀器內置流量控制裝置，能有效調節氮氣流量。 2、技術參數： 2.1蒸餾數量：6通道 2.2現實操作：7寸高清觸摸液晶屏 2.3控制核心：單片機控制 2.4加熱方式：遠紅外陶瓷輻射加熱,無明火 2.5升溫時間：＜8min 2.6溫度控制：（室溫～450）℃ 2.7時間控制：1-600min 2.8防倒吸功能：內置蒸餾防倒吸保護 2.9蒸餾終點控制：定時控制 2.10單通道單控：有 2.11冷卻方式：外置制冷壓縮機 2.12方法內置：內置蒸餾方法，可直接選擇或編輯后保存方法，無需頻繁輸入重復數據；亦可根據實驗需求自定義方法并保存應用。 2.13自動化設計： 2.13.1 具有一鍵啟停功能 2.13.3 相同蒸餾參數6通道一鍵設定 2.13.4 顯示屏實時動態顯示蒸餾量。  

化學名稱：二硫化四甲基秋蘭姆 分子式：C6H12N2S4 產品指標：執行標準（HG/T2334-2007） 指標名稱 指 標 一等品 合格品 外觀（目測） 白色、淡灰色粉沫或粒狀 初溶點，℃≥ 142.0 140.0 加熱減量， % ≤ 0.30 0.30 灰分， % ≤ 0.30 0.30 篩余物（149um）， % ≤ 0.0 0.1 （注：篩余物只適用于粉末） 性狀：白色或淡灰色粉末或粒狀，無臭，密度1.40-1.45，不溶于水，微溶于稀堿、汽油，溶于苯、丙酮、氯仿二硫化碳等。 用途：橡膠工業中用作硫化促進劑，農業上用殺菌劑和殺蟲劑。 包裝：塑編袋或紙塑復合袋，25公斤/袋。