|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
大尺寸寬禁帶半導體氮化鎵單晶襯底產業化技術
在大尺寸寬禁帶/半導體單晶襯底外延設備、材料生長等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出國內第一臺用于氮化鎵（GaN）襯底的鹵化物氣相外延（HVPE）系統，研究發展了獲得高質量GaN襯底所需的所有關鍵技術并擁有自主知識產權，在氮化鎵單晶襯底設備和材料技術領域已獲授權國家發明專利30余項、申請國家發明專利30余項。在國內最早研制出2英寸毫米級GaN單晶襯底，建成6英寸HVPE系統并實現7片2吋及4-6吋GaN均勻生長；研究出創新性的GaN襯底批量制備技術，即將進行高質量、低成本GaN襯底的產業化應用，為第三代半導體應用奠定了材料基礎。
南京大學
2021-05-10
一種適應急水流條件大葉藻種子增殖裝置及方法
本發明公開了一種適應急水流條件大葉藻種子增殖裝置及方法，該裝置包括裝置主體(1)、地上部分(2)、隔板(3)、地下部分(4)，所述裝置主體(1)為一根直徑15cm硬質pvc管，長度30cm，管上端3cm處設置隔板(3)，將管分為地上部分(2)和地下部分(4)。本發明具有種子萌發率高、成本低廉、操作簡單的特點，適合推廣應用。
青島農業大學
2021-04-11
一種基于超構透鏡陣列的大視場集成顯微成像裝置
發明(設計)人：李濤, 徐貝貝, 祝世寧。本發明涉及一種基于超構透鏡陣列的大視場集成顯微成像裝置。該裝置包括：光源、超構透鏡陣列、線偏振片和圖像傳感器；所述線偏振片固定于所述光源的后方，且所述線偏振片位于所述光源的出射光路上；所述超構透鏡陣列固定于所述線偏振片的后方，且所述超構透鏡陣列位于所述線偏振片的出射光路上；待成像物體位于所述線偏振片和所述超構透鏡陣列之間；所述圖像傳感器位于所述超構透鏡陣列的后方；所述超構透鏡陣列中包括周期性排布的多個超構透鏡。本發明可以實現在不犧牲分辨率不增加工作距離的條件下，擴大成像視場。
南京大學
2021-04-10
2021年度“中國地理科學十大研究進展”發布
中國地理學會于2022年1月啟動了2021年度“中國地理科學十大研究進展”遴選工作。經中國地理學會會士和本會所屬各分支機構推薦，以及2021年度“中國地理科學十大研究進展”遴選專家組評審，并經過中國地理學會十二屆十一次常務理事會議審議批準，確定“國產地理建模與模擬軟件平臺”等十項成果入選2021年度“中國地理科學十大研究進展”。
中國地理學會
2022-06-08
團中央發布2023年大學生創業幫扶計劃工作指引
把促進青年特別是高校畢業生就業工作擺在更加突出的位置”的重要要求，共青團中央將在2023年繼續實施“共青團促進大學生就業行動。
創青春
2023-01-31
2023年抓好促進知識產權轉化運用等7大重點工作！
全國知識產權局局長會議召開
國家知識產權局政務微信
2023-01-10
復旦大學魏大程團隊提出“分子機電系統”，實現精準生物檢測
魏大程課題組長期致力于研究新型晶體管材料、器件及其在生物、化學和光電傳感等領域的應用。他們提出的“分子機電系統”(MolEMS)，即一種通過DNA分子自組裝而成，通過外電場驅動，能精準調控分子識別和信號轉化過程的微型裝置。
復旦大學
2022-02-11
一種可控大長徑比納米探針的制備裝置與制備方法
本發明提供一種可控大長徑比納米探針的制備裝置，通過設置 腐蝕穩壓電路、腐蝕電壓切斷電路、探針浸沒判斷電路，與單片機配 合實現對腐蝕過程中的腐蝕電壓、探針浸沒深度、探針提升速度等重 要參數的精確控制，能夠制備大長徑比、可控長徑比、耐磨損、可回 收、成本低的納米探針。本發明還提供一種可控大長徑比納米探針的 制備方法，采用探針浸入指定深度后不再停留腐蝕，而是一直不斷提 起探針，從而形成針尖長、針尖曲率半徑平滑變化、長徑比大的新型 納米探針，具有不易磨損、可回收再利用、使用成本低等顯著優點， 并通過對腐蝕電
華中科技大學
2021-01-12
Φ1500 大尺寸超精密非球面車復合加工機床及應用工藝
激光核聚變裝置、衛星用光學系統、大型天文望遠鏡等國家重大工程及國防尖端技術對高精度大口徑光學非球面元件（Φ400mm以上）有極大的需求。該類元件屬于硬脆性難加工材料，對非球面表面加工精度的要求也相當高，當前國內精密超精密加工技術及裝備與國外相比仍然存在階段性差距，技術整體水平落后于發達工業國家。 針對國家對高精度大口徑非球面光學元件的重大需求，西安交通大學聯合國內超精密加工領域的優勢單位秦川機床、哈爾濱工業大學、北京空間機電研究所、廈門大學和蘇州大學，首次采用階梯梁結構成功研制出了國內首臺1500mm非球面超精密車磨復合加工機床，實現了典型加工件（Φ400mm以上）的面型精度優于5μm（PV），粗糙度小于10nm（RMS），同時研制出了1500mm大尺寸工件等應力支撐夾具和高精度工作轉臺（軸跳和徑跳均為0.3μm），開發了測量范圍可達1000mm的大尺寸非球面測量裝置，重復測量精度1μm。
西安交通大學
2021-04-11
大容量碳化硅電力電子產品研發及產業化
已有樣品/n在微電子所的技術支持和協助下，株洲中車時代電氣股份有限公司國內首條6英寸碳化硅（SiC）芯片生產線順利完成技術調試，廠務、動力、工藝、測試條件均已完備，可實現4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研發與制造。與其他半導體材料相比，SiC 具有寬禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高擊穿場強，以及高熱導率等優異物理特點，是新一代半導體電力電子器件領域的重要發展趨勢。
中國科學院大學
2021-01-12