|
搜索
搜 索
高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
大學(xué).jpg){kind=logo}
高功率超短脈沖激光傳輸光纖
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
大功率半導(dǎo)體激光器
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
州大學(xué).jpg){kind=logo}
高壓大功率薄膜電容器
該成果由于采用新型的安全膜結(jié)構(gòu)和絕氧吸弧工藝（減小金屬材料在加工過程中的氧化，降低接觸電阻、電勢壘等），產(chǎn)品具有自愈性，在高壓大電流的沖擊下不會發(fā)生短路擊穿現(xiàn)象，無需防爆裝置；由于采用端面高密度、低電阻的等離子放電噴射沉積制備技術(shù)和大功率電容器電極的電阻焊接技術(shù)，寄生電阻和發(fā)熱量減小，使產(chǎn)品在可靠性、穩(wěn)定性上具有明顯的優(yōu)勢。
揚(yáng)州大學(xué)
2021-04-14
技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
電動乘用車大功率充/放電設(shè)備
直流輸出 1000V 大功率乘用車充/放電設(shè)備
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
一種超聲波功率測量系統(tǒng)
一種超聲波功率測量系統(tǒng)，本發(fā)明屬于測量儀器，解決現(xiàn)有輻 射力天平法測量超聲波功率對環(huán)境要求較高、儀器達(dá)到穩(wěn)定測量狀態(tài) 所需時間較長的問題。本發(fā)明包括激光器、擴(kuò)束鏡、衰減片、水槽、成像透鏡、CCD 攝像機(jī)、計算機(jī)、激光電源和光學(xué)平臺，所述激光器、 擴(kuò)束鏡、衰減片、水槽、成像透鏡和 CCD 攝像機(jī)沿光路依次固定在光 學(xué)平臺上，成像透鏡的軸線與激光器 1 發(fā)出的平行光的軸線重合，CCD 攝像機(jī)放置在成像透鏡的焦點上，用于接收衍射圖案，并將該圖像傳
華中科技大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
Si基GaN功率半導(dǎo)體及其集成技術(shù)
特色及先進(jìn)性；技術(shù)指標(biāo) 電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經(jīng)開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內(nèi)最早開展GaN-on-Si功率半導(dǎo)體技術(shù)研究的團(tuán)隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強(qiáng)型功率晶體管及其集成技術(shù)方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽(yù)為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關(guān)模式Boost轉(zhuǎn)換器，國際上首次實現(xiàn)了GaN-on-Si單片集成增強(qiáng)型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結(jié)構(gòu)（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結(jié)構(gòu)如圖2所示。新結(jié)構(gòu)較傳統(tǒng)GaN整流器具有更小的導(dǎo)通電阻，更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統(tǒng)SBD正向開啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓（0.6V）和導(dǎo)通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優(yōu)秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標(biāo)準(zhǔn)，MG-HAD在常溫下?lián)舸╇妷撼^1.1kV的儀器測量極限，150 ℃高溫下?lián)舸╇妷簽?70V。本器件結(jié)果能同時具有低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優(yōu)值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報道中為第二高值，見圖5所示。
電子科技大學(xué)
2016-06-08
高功率因數(shù)雙向PWM變換器
兩電平與三電平主電路適用于能量四像限運(yùn)行，三電平更適于直流高壓場合，可用于并網(wǎng)逆變，老化電子負(fù)載，蓄電池充放電機(jī)的前級，高功率因數(shù)整流器， 用作微電網(wǎng)與電網(wǎng)間的接口電路，可實現(xiàn)微網(wǎng)與電網(wǎng)間的能量互換，可用于直流充電樁的前級，實現(xiàn)網(wǎng)側(cè)的高功率因數(shù)自主知識產(chǎn)權(quán)。
揚(yáng)州大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
大功率鋰電池管理系統(tǒng)（BMS）
本項目研究開發(fā)內(nèi)容是開發(fā)適用于面向大功率電池組的電動汽車動力電池管理系統(tǒng)，使得研究成果能夠盡快使用電動汽車動力系統(tǒng)中，并借助汽車行業(yè)的快速發(fā)展使大功率動力電池組的研究取得技術(shù)進(jìn)步。 大功率電池組的電動汽車動力電池管理系統(tǒng)的要求是：（1）首先滿足大功率充放電的要求，電動機(jī)額定功率為200kW，瞬時最大功率更是達(dá)到400kW，電池在工作中最大充放電電流達(dá)到600A，持續(xù)電流為300A左右；（2）足夠的抗干擾能力，電動機(jī)驅(qū)動使用變頻裝置，
河海大學(xué)
2021-04-14
大學(xué).jpg){kind=logo}
饋網(wǎng)節(jié)能型雙向電子功率負(fù)載
成果簡介本項目屬于自主研發(fā)的饋網(wǎng)節(jié)能型模擬交直流雙向電子負(fù)載， 主要用于交直流電源出廠試驗、 可靠性試驗及電源輸出性能檢測的能夠模擬實際負(fù)載特性的新型電力電子裝置。 它能夠?qū)崿F(xiàn)對所模擬實際負(fù)載值的無級調(diào)節(jié)， 并能夠?qū)⒇?fù)載試驗中有功電能無污染地回饋電網(wǎng)， 實現(xiàn)電能的再生利用。 該裝置具有高效節(jié)能、體積小、 重量輕、 節(jié)省安裝空間、 試驗性能優(yōu)良等優(yōu)點。項目的主要技術(shù)是將能量無污染回饋電網(wǎng)和負(fù)載特性的任意模擬技術(shù)。 本項目實施后， 可解決現(xiàn)有無源負(fù)載（阻性、 感性、 容性等）
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
.jpg){kind=logo}
大功率 LED 封裝及熱管理技術(shù)
成果的背景及主要用途：
對于大功率白光 LED(半導(dǎo)體發(fā)光二極管），由于其工作電流大和工作電壓高，在其工作過程中會產(chǎn)生很多熱量，在現(xiàn)有的封裝技術(shù)下，不能提供足夠的散熱能力來維持極限條件下的可靠運(yùn)行，大功率 LED 連接成為瓶頸，而解決這一問題的根本方法在于改善芯片級互連材料的散熱能力。
技術(shù)原理與工藝流程簡介：
采用納米銀焊膏的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)，利用其納米銀低熔點的性能，使燒結(jié)溫度降低到 280℃，而燒結(jié)后銀連接具有高熔點（960℃）、高導(dǎo)電和高導(dǎo)熱性能，非常適合高溫功率電子器件的長期可靠性運(yùn)行。以大功率 1W LED 芯片封裝為例，測試表明對于三種熱界面材料銀漿(silverepoxy)，錫銀銅焊膏(solder paste)，和鈉米銀焊膏（silver paste），由于鈉米銀焊膏的高導(dǎo)熱性，在大電流下發(fā)光效率提高 7~10%，說明散熱效率提高，有效地降低了結(jié)溫。目前課題組已完成 25W 的 LED 模塊封裝。
技術(shù)水平及專利與獲獎情況：
獲發(fā)明專利“以納米銀焊膏低溫?zé)Y(jié)封裝連接大功率 LED 的方法”，發(fā)明專利 ZL200610014157.5，授權(quán)日：2008.11.19。
應(yīng)用前景分析及效益預(yù)測：
此項技術(shù)可以用于大功率 LED 芯片的封裝，具有廣闊的市場前景，進(jìn)一步可以推廣到大功率半導(dǎo)體激光器的封裝中。
應(yīng)用領(lǐng)域：電子封裝
技術(shù)轉(zhuǎn)化條件：
本項目組在電子器件的熱管理方面也具有豐富的經(jīng)驗，可進(jìn)行電子封裝的熱分析及熱管理設(shè)計。
合作方式及條件：根據(jù)具體情況面議
天津大學(xué)
2021-04-11