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細胞器模型細胞器放大模型XM-846A
XM-846A細胞器放大模型
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功能特點：
■ XM-846A細胞器放大模型由線粒體、葉綠體、高爾基體和中心粒4種細胞器組成。
■ 線粒體示外膜、內膜、外室、內室、嵴、基粒等結構。
■ 葉綠體示外膜、內膜、基質、基粒、基質片層、基粒片層等結構。
■ 高爾基體示扁平囊泡、形成面、分泌面、大泡、小泡及自分泌面離去的分泌泡等。
■ 中心粒示兩個中心粒互成直角，九組微管環狀排列，每組均由三個微管并排組成。
■ 尺寸：放大，23×16×13cm
■ 材質：玻璃鋼材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
淋巴結模型淋巴結放大模型XM-853
XM-853淋巴結放大模型
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XM-853淋巴結放大模型根據淋巴結的長軸在淋巴結門位置作縱剖，顯示淋巴結的被膜、淋巴輸入管、淋巴小結、小梁、皮質、髓質、淋巴輸出管、淋巴輸入管、淋巴竇及動靜脈等。
尺寸：放大，31×22×8cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
喉軟骨及喉肌解剖放大模型XM-520C
XM-520C喉軟骨及喉肌解剖放大模型
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XM-520C喉軟骨及喉肌解剖放大模型可拆分為5部件，顯示咽喉、舌骨、氣管、韌帶、肌肉、血管、神經、甲狀腺。
尺寸：自然大，12×12×23cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
XM-619-2脊椎附脊髓和脊神經放大模型
XM- 619-2脊椎附脊髓和脊神經放大模型
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XM-619-2脊椎附脊髓和脊神經放大模型取自胸椎，采用人體等比例設計，展示了胸椎脊髓、脊神經和交感神經的形態解剖結構，帶有多個部位數字指示標志和對應的文字說明。
尺寸：自然大，15×14×30cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
XM-706-2豪華腎臟、腎單位、腎小球放大模型
XM- 706-2豪華腎臟、腎單位、腎小球放大模型
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XM-706-2豪華腎臟、腎單位、腎小球放大模型由腎剖面附腎上腺、腎單位和腎小球3個放大模型組成，顯示腎剖面結構（腎皮質、腎髓質、近端小管、遠端小管、髓袢、集合管、乳頭管、腎小盞、腎大盞、腎盂、輸尿管）；腎單位結構、腎小管和腎小球結構（由血管球和腎小囊組成，還顯示球旁細胞、致密斑和足細胞）以及血管等結構，共有多個部位數字指示標志。
尺寸：放大，65×30×9cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
XM-172骨骼肌纖維與運動終板放大模型
XM-172骨骼肌纖維與運動終板放大模型
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XM-172骨骼肌纖維與運動終板放大模型顯示骨骼肌纖維部分剖面和運動終板在電子顯微鏡下的放大結構，可觀察骨骼肌纖維肌內膜、成纖維細胞核、肌細胞核、肌絲、肌原纖維、神經元軸突、軸突失去髓鞘、運動終板突觸剖面、突觸前膜、突觸后膜、線粒體等結構，共有12個部位數字指示標志及對應文字說明。
尺寸：放大4000倍，26×19×22cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
XM-706-2豪華腎臟、腎單位、腎小球放大模型
XM- 706-2豪華腎臟、腎單位、腎小球放大模型
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XM-706-2豪華腎臟、腎單位、腎小球放大模型由腎剖面附腎上腺、腎單位和腎小球3個放大模型組成，顯示腎剖面結構（腎皮質、腎髓質、近端小管、遠端小管、髓袢、集合管、乳頭管、腎小盞、腎大盞、腎盂、輸尿管）；腎單位結構、腎小管和腎小球結構（由血管球和腎小囊組成，還顯示球旁細胞、致密斑和足細胞）以及血管等結構，共有多個部位數字指示標志。
尺寸：放大，65×30×9cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
兒童牙列模型兒童牙列放大模型XM-902
XM-902兒童牙列放大模型
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XM-902兒童牙列放大模型顯示兒童（11-14歲）左側下頜恒牙列的形態和構造以及齲齒病變等結構，共有21個部位指示數字標識標志及對應文字說明。
尺寸：放大約3倍，17×29×6cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
成人牙列模型成人牙列放大模型XM-903
XM-903成人牙列放大模型
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XM-903成人牙列放大模型可拆分為2部件，顯示乳牙中切牙、乳側切牙、乳尖牙、第一磨牙和第二乳磨牙的位置、毗鄰牙冠、牙頸、牙根以及它們之間的排列關系。
尺寸：放大，27×24×18cm
材質：PVC材料
上海欣曼科教設備有限公司
2021-08-23
超大功率硅基射頻LDMOS晶體管設計技術
大功率射頻LDMOS器件以其線性度好、增益高、輸出功率大、熱穩定性好、效率高、寬帶匹配性能好、價格低廉等方面的優勢已經成為基站、廣播電視發射機、航空電子、雷達等領域等應用最廣泛的射頻功率器件。 本團隊利用優化的法拉第屏蔽罩結構和版圖布局技術，基于國內8英吋工藝技術平臺，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（圖1），能夠提供完整的RF LDMOS器件的設計與研制方案。目前已制作出頻率0.5GHz，輸出功率>500W，功率增益>18dB、漏極效率>50%的單芯片RF LDMOS 器件；頻率1.2GHz，輸出功率>600W，功率增益>20dB、漏極效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；頻率3.1GHz，輸出功率>80W，功率增益>10dB、漏極效率>35%的單芯片S波段RF LDMOS 器件（圖2）。 (a) (b) 圖1 RF LDMOS器件：(a)晶圓顯微照片 (b)封裝器件 a b c 圖2 RF LDMOS器件功率測試曲線：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
電子科技大學
2021-04-10