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產品詳細介紹 走班排課軟件的產品詳述   建設背景   2014年12月16日，教育部發布了《關于普通高中學業水平考試的實施意見》，提出“立德樹人”的教育 目標，要充分尊重學生的選擇權和差異性，學生可根據自身的學歷和興趣，選擇適合自身發展的層次班級上課，不同層次的班級，其教學內容和教學程度不同。普通學考科目分為等級考和合格考2個層次，這就意味著每個學生的課程表都不一樣，相應的對學校排課就提出了更高的要求。同時，學校開放課程供學生選擇，也需要一個穩定流暢的選排課系統來支撐。 應用場景 學校為了解決管理上的問題，通過多方引導，讓學生在固定的幾種組合內進行選擇（比如原來是“物化生，政史地”，后面增加“物化地，物化史，政史生……”），這樣學校的教學管理是方便了，但學生的選擇權沒有了。   現在宏途教育走班排課系統功能中“學生選課系統”支持根據學校實際情況選擇自定義開設選課組合套餐，供學生選擇；選課同時根據學生成績得出學生的優勢學科順序，為學生選科提供指導。 新高考環境下益于教學管理的功能及應用界面展示   1、學業成績分析 學生學業分析集考試管理、考場管理、成績分析跟蹤、學生評價為一體，方便學校安排考試，方便老師跟蹤學生成績提高教學質量。多層面分析，教務管理員、老師、學生可一鍵獲取所需成績報表，展現形式多樣。 2、考務管理 實現考號設置、考場安排等功能，改變了傳統管理模式，運用現代化手段進行科學管理。 3、綜合素質評價 采集師生日常校園生活學習的信息動態，自定義符合校況的評價標準，為學校提供真實可靠的可視化評價數據，構建多維度全方位的綜合評價體系。 更多功能模塊為您定制

產品詳細介紹EPT-90電熔拉伸剝離試樣制樣機關鍵詞：拉伸剝離，電熔管，GB/T 19808一.用途：本機用于從整根電熔管材取樣，采用雙刀一次性切好我們想要的拉伸剝離樣條，切片尺寸可調、快速、表面光滑，滿足氧化誘導實驗要求，目前是各大管材廠家和特檢所的必備設備。二.原理：從整根電熔管材上取樣，采用雙刀一次性切好我們想要的拉伸剝離樣條的取樣。把管子放到工加位上，通過手搖手柄調節夾緊電熔管子，調好位置，再調節雙鋸的高度，《但一次不能切太多，電機負載太大會燒電機》。按雙刀開關起動后，再按前進開關，觀察切的速度，會不會夾刀，如有夾刀調節雙鋸高度。切到位后升高雙鋸，按后退開關，等雙鋸回到原位，再重復前面的動做，直到完全切開我們想要的試樣。在切下一個樣品時按點動轉圈開關，調節好電熔管件位置。三.依據標準:本機滿足于GB/T 19808-2005《塑料管材和管件 公稱外徑大于或等于90mm的聚乙烯電熔組件的拉伸剝離試驗》規定的電熔承插焊接接頭拉伸剝離試樣制備要求四.技術性能指標1、切割管徑范圍：不小于90mm～630mm。2、夾持管長范圍：不小于300mm～1000mm。3、兩平行切刀間距：不小于150mm～800mm，可調。5、切割試樣寬度范圍：不小于25mm～100mm，可調。6、切割試樣寬度最大偏差：不超過0～5mm。7、試樣規格：通過雙切刀模式，試樣一次切割形成，符合GB/T 19808-2005要求，兩側面相互平行且與圓弧中軸面對稱。8、X軸行程：0mm～1000 mm。9、Z軸行程：0mm～1200 mm。10、切割寬度：任意可調。12、切割長度：任意可調。13、外觀材質：由型材和A3板烤漆而成。14、由二個切割刀，多個傳動系統組成，使用步電機、絲桿等。

EV-400高真空金屬有機蒸發鍍膜機 真空腔室：前開門真空腔體，方便取放基片、更換鎢舟、添加蒸發材料以及真空室的日常維護保養； 真空系統：國產分子泵作為主抽泵，真空極限優于5.0?10-5Pa（經烘烤除氣后）；另可選進口磁懸浮分子泵或是低溫泵作為主抽泵，真空極限優于3.0?10-6Pa（經烘烤除氣后）； 真空抽速：大氣～8?10-4Pa≤30min； 蒸發源：4～6組歐美技術金屬或是有機束源爐蒸發源可選，多源共蒸獲得復合膜/分蒸獲得多層膜，功能強大，性能穩定； 蒸發電源：真空專業蒸發電源，恒流/恒功率控制。電流、功率可預先設置，可實現一鍵啟動和停止的自動控制功能； 基片臺：最大120mm基片/15～25mmITO/FTO玻璃25片，可定制一體化高精度刻蝕掩膜板；基片臺公轉，轉速0～20r/min連續可調； 基片臺功能：襯底可選擇加熱（室溫～300℃可調可控）或水冷，基片臺可選升降，源基距最大350mm； 濺射電源：直流脈沖濺射電源、全自動匹配的射頻濺射電源可任選； 膜厚監控儀：可選配國產或進口單水冷探頭膜厚儀； 可鍍材料：可沉積金屬（Au、Ag、Al、Ca、Cu、Mg、Fe、Cr、Ti、Ni等）、非金屬、化合物（MoO3、LiF等）及有機材料，可拓展沉積單層膜、多層膜及混合膜； 控制方式：PLC+觸摸屏控制系統，具備漏氣自檢與提示、通訊故障，實現一鍵抽停真空。

項目簡介：  軟質聚氨酣泡沫塑料具有密度低、比強度大、彈性回復好、吸音、透氣等優點， 而被廣泛用作家具墊材、交通工具座椅坐墊等墊材，以及隔音材料、防震材料、裝飾材料和包   裝材料等。本樣品為阻燃高回彈聚氨酣軟泡，不僅解決了軟泡本身易燃的問題，還保持了自身 &nbs

基于CMOS工藝，設計了大量射頻、毫米波收發機和頻率源芯片； CMOS 90nm 60GHz 接收機芯片，集成片上天線，傳輸效率優于IBM芯片90%； CMOS 90nm 21dBm 60GHz功率放大器，性能優于Hittite商用GaAs芯片； CMOS 60GHz 移相器芯片，為開發毫米波相控陣芯片奠定良好基礎；

項目成果/簡介:目前鋰離子電池的能量密度已經越來越不能滿足其在電動汽車、智能手機和大規模儲能方面的應用。鋰離子電池的能量密度低主要是因為所采用的正負極材料的比容量較低，尤其是負極材料石墨，其理論比容量為 372 mAh/g。目前研究最多的、最具有商業化前景的負極材料為硅基負極材料，其理論比容量為 4200 mAh/g，是石墨的十倍以上。據招商證券預計，硅基負極材料在 2020 年的市場使用量接近于 5 萬噸，銷售額接近于 50 億。 然而硅基材料在充放電過程中較大的體積變化率（>300%）限制了其商業化應用，較大的體積變化導致極片碎裂以及電解液在材料表面持續分解，從而造成其循環性能劇烈下降。另外，硅基材料為半導體，其導電性較差，從而導致硅基負極材料的倍率性能較差。如何解決硅基負極材料這兩大缺點是普及硅基材料在鋰離子電池應用的關鍵。 陳永勝教授課題組結合在納米技術和石墨烯材料領域的專長，經過近 10 幾年的研究，采用低成本的原材料、易工業化的工藝技術制備了石墨烯包覆的硅基負極材料，主要技術創新點包括：1）采用獨特的、具有自主知識產權的納米技術將大粒徑的硅粉進行納米化處理，納米化大大緩解了硅在充放電過程中體積變化的問題，從而從根本上解決了硅基負極材料循環性能差的問題；2）石墨烯包覆則充分發揮了石墨烯導電導熱性能好、機械性能優異、電化學性能穩定等特點，改善了材料的鋰離子擴散性能和電子導電性，大大提高了功率特性； 14隔絕了硅與電解液的直接接觸，抑制副反應造成的電解液分解和材料侵蝕，提高了首次效率，延緩了使用過程中的壽命衰減；進一步減緩了充放電過程中硅的體積變化，維持材料結構的整體穩定性，極大地提升了循環特性。效益分析:陳永勝教授課題組發明的石墨烯包覆硅基負極材料，從制備過程上講，具有工藝簡單、成本低廉、易工業化的特點；從性能上講，具有比容量高、穩定性好、壓實密度大等優點，與高比容量正極組成的鋰離子電池的能量密度是當前商業化鋰離子電池能量密度的數倍以上。

目前鋰離子電池的能量密度已經越來越不能滿足其在電動汽車、智能手機和大規模儲能方面的應用。鋰離子電池的能量密度低主要是因為所采用的正負極材料的比容量較低，尤其是負極材料石墨，其理論比容量為 372 mAh/g。目前研究最多的、最具有商業化前景的負極材料為硅基負極材料，其理論比容量為 4200 mAh/g，是石墨的十倍以上。據招商證券預計，硅基負極材料在 2020 年的市場使用量接近于 5 萬噸，銷售額接近于 50 億。 然而硅基材料在充放電過程中較大的體積變化率（>300%）限制了其商業化應用，較大的體積變化導致極片碎裂以及電解液在材料表面持續分解，從而造成其循環性能劇烈下降。另外，硅基材料為半導體，其導電性較差，從而導致硅基負極材料的倍率性能較差。如何解決硅基負極材料這兩大缺點是普及硅基材料在鋰離子電池應用的關鍵。 陳永勝教授課題組結合在納米技術和石墨烯材料領域的專長，經過近 10 幾年的研究，采用低成本的原材料、易工業化的工藝技術制備了石墨烯包覆的硅基負極材料，主要技術創新點包括：1）采用獨特的、具有自主知識產權的納米技術將大粒徑的硅粉進行納米化處理，納米化大大緩解了硅在充放電過程中體積變化的問題，從而從根本上解決了硅基負極材料循環性能差的問題；2）石墨烯包覆則充分發揮了石墨烯導電導熱性能好、機械性能優異、電化學性能穩定等特點，改善了材料的鋰離子擴散性能和電子導電性，大大提高了功率特性； 14隔絕了硅與電解液的直接接觸，抑制副反應造成的電解液分解和材料侵蝕，提高了首次效率，延緩了使用過程中的壽命衰減；進一步減緩了充放電過程中硅的體積變化，維持材料結構的整體穩定性，極大地提升了循環特性。

隨著支配半導體技術數十年的摩爾定律日益接近其發展極限，多種功能器件集成被認為是超越摩爾定律延續集成電路發展進程的重要途徑之一，這就需要能夠滿足多種功能器件高密度集成的制造技術。多元兼容集成制造技術就是為此而開發的，該技術通過在更大范圍內優選結構/功能材料組合，開發異質集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創新設計和制造的騰挪空間。經過多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復合材料的MEMS異質異構制造技術體系，并在多種類型功能器件研發中發揮了關鍵作用，初步展現了其基礎性支撐作用，相關技術獲得2016年度上海市技術發明一等獎。 微系統集成發展趨勢 多元兼容集成制造技術  獲獎情況 上海市技術發明一等獎2016年團隊獲獎 國家技術發明二等獎2008年 上海市技術發明一等獎2007年 超薄超快高熱流密度微通道散熱器 上海交通大學團隊在長期研究經驗和技術積累基礎上，創造性地提出了不同高熱導率材料組合構造的復合結構微通道散熱器設計方案，并基于多元兼容集成制造技術完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當的超薄散熱器冷卻能力達到800W/cm2以上，在保留傳統微通道散熱器良好系統兼容性和適用性的基礎上達到了相當高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統超高熱流密度散熱問題提供了一個深具可行性的解決方案。 高溫薄膜溫度傳感器研究  發動機燃燒室等極端惡劣環境下（高溫、強振動、強腐蝕等）的工作參數現場監測對傳感器技術是嚴峻挑戰，國內外研究廣泛。交大團隊基于特種材料微納集成制造技術的長期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應力調控、曲面圖形化和高溫敏感介質等技術上取得了一定突破，成功開發了多種可與現場結構共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環境擾動小、響應快、靈敏度高、可分布式安置等優點，該團隊已經掌握了溫度、應力/應變、熱流等多種高溫狀態參數測量技術，適用溫度在800-1300℃之間。 薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測試結構 高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術 薄膜溫度傳感器在發動機不同部位測溫需求 無線溫度傳感器測溫系統 高性能轉接板 基于轉接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統的硅轉接板性價比不高，阻礙了廣泛應用。上海交大團隊基于非硅微加工技術的長期積累，突破了硅轉接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉接板。此外，還開發了復合材料非硅轉接板，TCV陶瓷轉接板，TGV玻璃轉接板等各種三維封裝基板，實驗室能夠針對不同類型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開發不同功能的專用轉接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個性化解決方案。 TSV-3D 高密度封裝概念圖  金屬-聚合物-納米復合材料非硅基轉接板實物圖片

項目成果/簡介:隨著支配半導體技術數十年的摩爾定律日益接近其發展極限，多種功能器件集成被認為是超越摩爾定律延續集成電路發展進程的重要途徑之一，這就需要能夠滿足多種功能器件高密度集成的制造技術。多元兼容集成制造技術就是為此而開發的，該技術通過在更大范圍內優選結構/功能材料組合，開發異質集成制造工藝，大大拓展了功能微器件創新設計和制造的騰挪空間。經過多年探索，目前已形成了涵蓋金屬、聚合物、陶瓷、復合材料的MEMS異質異構制造技術體系，并在多種類型功能器件研發中發揮了關鍵作用，初步展現了其基礎性支撐作用，相關技術獲得2016年度上海市技術發明一等獎。微系統集成發展趨勢多元兼容集成制造技術 獲獎情況上海市技術發明一等獎2016年團隊獲獎國家技術發明二等獎2008年上海市技術發明一等獎2007年超薄超快高熱流密度微通道散熱器上海交通大學團隊在長期研究經驗和技術積累基礎上，創造性地提出了不同高熱導率材料組合構造的復合結構微通道散熱器設計方案，并基于多元兼容集成制造技術完成了多種尺寸樣品研制，其中，熱源面積與常用功率芯片尺度相當的超薄散熱器冷卻能力達到800W/cm2以上，在保留傳統微通道散熱器良好系統兼容性和適用性的基礎上達到了相當高的散熱能力水平，為解決高功率芯片系統超高熱流密度散熱問題提供了一個深具可行性的解決方案。高溫薄膜溫度傳感器研究 發動機燃燒室等極端惡劣環境下（高溫、強振動、強腐蝕等）的工作參數現場監測對傳感器技術是嚴峻挑戰，國內外研究廣泛。交大團隊基于特種材料微納集成制造技術的長期積累，在高溫絕緣薄膜材料、多層薄膜應力調控、曲面圖形化和高溫敏感介質等技術上取得了一定突破，成功開發了多種可與現場結構共型的高溫薄膜傳感器，具有體積小、環境擾動小、響應快、靈敏度高、可分布式安置等優點，該團隊已經掌握了溫度、應力/應變、熱流等多種高溫狀態參數測量技術，適用溫度在800-1300℃之間。薄膜絕緣電阻隨溫度的變化及測試結構高溫薄膜溫度傳感器制造及曲面圖形化技術薄膜溫度傳感器在發動機不同部位測溫需求無線溫度傳感器測溫系統高性能轉接板基于轉接板的多芯片封裝是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是傳統的硅轉接板性價比不高，阻礙了廣泛應用。上海交大團隊基于非硅微加工技術的長期積累，突破了硅轉接板絕緣層完整性和再分布層熱隔離的難題，成功研制了漏電流極低的低成本高性能硅轉接板。此外，還開發了復合材料非硅轉接板，TCV陶瓷轉接板，TGV玻璃轉接板等各種三維封裝基板，實驗室能夠針對不同類型器件三維高密度封裝的具體要求，定制開發不同功能的專用轉接板，為多功能、高密度、高功率、低成本封裝提供個性化解決方案。TSV-3D 高密度封裝概念圖 金屬-聚合物-納米復合材料非硅基轉接板實物圖片知識產權類型:發明專利 、 軟件著作權 、 集成電路布圖設計技術先進程度:達到國內領先水平成果獲得方式:獨立研究獲得政府支持情況:國家級