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一種二維過渡金屬二硫族化合物單晶及其制備方法和應用
本發明公開了一種二維過渡金屬二硫族化合物單晶及其制備方法和應用。在惰性氣氛中，借助常見 的可與硫族單質(S，Se)反應的金屬和氫氣輔助控制體系中 S 或 Se 的濃度，以達到控制過渡金屬層硫化 或硒化程度的目的，利用化學氣相沉積方法可控地生長 TMDs 單晶;將沉積時的溫度控制為 750°C至 850°C，并且沉積時間控制為 5 至 15 分鐘，完成 TMDs
武漢大學
2021-04-14
聯苯三膦配體制備方法及在氫甲酰化中逐步取代 PPh3 的應用
本發明公開了一種聯苯三膦配體制備方法及其在氫甲酰化反應中的應用，制備的聯苯三膦配體具有 如通式(I)或通式(II)所示的結構，通式(I)中芳基取代基 Ar 為苯、對甲基苯、間三氟甲基苯、對 三氟甲基苯、3,5-二三氟甲基苯、3,5-二氟苯、3,5-二甲基苯、3,5-二叔丁基苯、3,5-二叔丁基-4-甲氧基苯、 對甲氧基苯、對二甲氨基苯、2-吡啶、對氟苯或 2,3,4,5,6-五氟苯;通式(II)中，R 為環狀膦結構。本 發明聯苯三膦配體可用作線性氫甲酰化反應催
武漢大學
2021-04-14
利用亞甲基自轉移反應制備 N-甲基化烏洛托品鹽的方法
本發明提供一種制備 N-甲基烏洛托品鹽的方法，將烏洛托品和質子酸生成的質子化烏洛托品鹽在適 宜條件下直接轉化成 N-甲基烏洛托品鹽。其原理為:烏洛托品質子化后生成含 N-H 鍵的叔胺陽離子; 陽離子的生成使與質子化氮原子相連的烏洛托品骨架上的亞甲基活化，繼之在適宜條件下發生斷鏈、轉 移和插入 N+-H 鍵的反應，最終生成 N-甲基烏洛托品陽離子，在這種亞甲基轉移反應中，陰離子一般不 參與反應。該制備方法不用其它甲基化試劑，涉及化學
武漢大學
2021-04-14
一種激光打印機高質量文字輸出的二位半色調方法
本發明公開了一種激光打印機高質量文字輸出的二位半色調方法，以用戶輸入的待打印文件作為輸 出源文件，與調幅閾值矩陣做第一次對比，生成只有兩種曝光狀態的半色調文件。第二次對比前先取特 征邊緣點，然后待打印文件相應位置的灰度值與灰度等級的中值做第二次對比，生成四種曝光狀態的半 色調文件。最后根據半色調文件控制半曝光激光打印機進行輸出。本發明有效地改善在輸出時文字邊緣 的顯示效果，二位半色調方法調整效果顯著。
武漢大學
2021-04-14
一種在聚丙烯表面固定層狀雙氫氧化物的方法及其應用
本發明公開了一種在聚丙烯表面固定層狀雙氫氧化物的方法及其應用。首先在聚丙烯離心管中配制 多巴胺堿性溶液，常溫下渦旋預氧化，在 30-50°C水浴條件下反應 6~8h，形成聚多巴胺薄層;然后將 二價金屬離子、三價金屬離子和 CO(NH2)2 溶液加入經多巴胺修飾的離心管中，加熱反應后實現層狀雙 氫氧化物的制備及固定化，得到裝置的內表面具有聚多巴胺與層狀雙氫氧化
武漢大學
2021-04-14
一種 [email protected] 核殼結構吸附劑及其制備方法和
本發明公開了一種 [email protected] 核殼結構吸附劑及其制備方法和應用，將硅溶膠與活性氧化鎂按質量比 SiO2:MgO=5:1 混合均勻，加水攪拌至糊狀，再加入球形 SiO2 和水繼續攪拌，然后于旋轉攪拌機中以 1800rpm 的轉速攪拌 20min，120°C烘干，最后將干燥
武漢大學
2021-04-14
分布式電源接入對配網三段式電流保護影響的評估方法
本發明公開了一種分布式電源接入對配網三段式電流保護影響的評估方法，基于規則庫實現，規則 庫中包含若干條順序執行的規則步驟，這些一般性的語義規則適用于任意的配網系統和分布式電源接入 情況，且每條規則通過描述性語言指導操作者該如何構造短路場景，并選擇哪些保護的 I、II 或者 III 段 進行校驗。這樣，操作者無須根據所研究的系統來分析確定校核步驟，只要順序執行規則庫中的規則步 驟便能高效準確地判斷分布式電源接入方案對保護的影響：當規則庫中的所有規
武漢大學
2021-04-14
一種四線電阻式觸摸屏工作原理演示實驗儀及其演示方法
"本發明公開了一種四線電阻式觸摸屏工作原理演示實驗儀,包括帶顯示屏的電腦，四線電阻式觸摸屏和USB控制卡，四線電阻式觸摸屏通過USB控制卡與電腦連接后，可以控制電腦顯示屏上的箭頭指針；本發明還包括模擬觸摸屏工作原理的裝置，該裝置包括設置在固定底座上的兩個可變電阻裝置，兩個可變電阻裝置的兩端通過導線對應接入USB控制卡接口中，USB控制卡另一端接入電腦后，也可以控制電腦顯示屏上的箭頭指針。本發明還公開了所述實驗儀的演示方法。利用本實驗儀來進行四線電阻式觸摸屏的工作原理的學習，對于學生來說更為直觀、更易理解，可以使學生更清晰明了地理解四線電阻式觸摸屏的工作原理及四線電阻式觸摸屏中ITO的作用。 "
西南交通大學
2016-10-14
網格狀CuxS/Cu2o0,x=1.75~2復合類金字塔薄膜的制備方法
一種網格狀CuxS/Cu2O，x＝1.75～2復合類金字塔薄膜的制備方法，具體作法是：將方塊面電阻為10-14歐的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、異丙醇溶劑超聲洗凈，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO為工作電極，鉑片為對電極，采用電壓法沉積；沉積后取出FTO，清洗烘干得Cu2O類金字塔薄膜的FTO；再將其放入Na2S溶液中處理，清洗烘干即在FTO上得網格狀CuxS/Cu2O復合類金字塔薄膜。該方法設備簡單，能耗低，適合大規模生產；制得物對太陽光吸收波長范圍寬，作為太陽能電池材料具有應用前景；可作為模版和反應介質直接合成其它具有窄禁帶寬度的類金字塔形化合物，作為太陽能電池材料。
西南交通大學
2016-10-20
一種寬光譜、強吸收的表面光伏型光探測器的制備方法
一種寬光譜、強吸收的表面光伏型光探測器的制備方法，其作法是：以鈦箔為陽極，鉑為陰極，對鈦箔進行氧化，得非晶態TiO2納米管陣列；經處理后，得TiO2納米管陣列；將鈦箔置于高溫反應釜內，再將Na2S2O3、Bi(NO3)3水溶液注入密封反應釜，熱處理得Bi2S3-TiO2納米管陣列；在Bi2S3-TiO2納米管陣列表面覆蓋FTO，引出電極，在未生成Bi2S3-TiO2納米管陣列的鈦箔上引出電極，將FTO與鈦箔及其Bi2S3-TiO2納米管陣列的接觸邊緣封裝即得本發明的光探測器。該方法能耗低，工藝、設備簡單；制得物適用光譜范圍大，適合做光譜分析；還可以做光敏開關等光電器件，具有廣闊的應用前景。
西南交通大學
2016-10-20