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產(chǎn)品詳細介紹 DNA分子雜交技術，分子雜交爐、核酸分子雜交 一、用途特點：     此儀器是我廠與北京大學生物系、復旦大學遺傳所等科研單位參照國外最新產(chǎn)品聯(lián)合研制推出的國內(nèi)首創(chuàng)產(chǎn)品。TC-4YY型多功能核酸分子雜交儀，本儀器的各項技術指標均達到國外同類產(chǎn)品水平。可替代進口雜交儀，本儀器采用獨特的滾動式反應架裝置，配套特制密封雜交管在水平軸上旋轉，使雜交管內(nèi)壁上的雜交反應膜各處能均勻地雜交液反復地接觸，充分反應。可進行生物大分子DNA、RNA及蛋白質(zhì)雜交反應。不僅比塑料袋或其它容器在水浴中進行分子雜交反應效果好，并且還能減少雜交液體積，提高雜交效率，而且也避免了加放射性同位素后封口或塑料袋破漏而造成同位素污染的危險。因此，本儀器廣泛應用于生物大分子的雜交反應或其它長時間振搖的化學、生化及免疫學反應，是開展分子生物學技術不可缺少的儀器。     本儀器采用先進的單片計算機進行控制，人機界面采用點陣式液晶顯示器（LCD），直觀顯示系統(tǒng)的運行狀況。溫度控制采用數(shù)字PID技術，輸出采用PWM方式，控制精度高，穩(wěn)定性好，并設有超溫保護裝置。儀器采用獨特滾動式反應裝置，每次可夾6根特制玻璃封管在水平軸旋轉，旋轉速度為每分鐘0～16轉/可調(diào)。TC-4YY型分子雜交儀除具有TC-3YY型所有功能外，雜交箱內(nèi)可放入直徑42mm長300mm雜交瓶。 托盤擺動速度每分鐘5～50次/可調(diào)。 二、技術指標： 1.電源電壓：AC220V±10％  50Hz  350W 2.使用環(huán)境：0℃～＋40℃，相對濕度：≤90%RH 3.溫控范圍：環(huán)境溫度＋5℃～100℃可調(diào) 4.溫度波動值：±1℃ 5.溫度顯示精度：0.1℃ 6.溫度均勻性：±0.03℃ 7.瓶架轉速：0～16轉/分可調(diào) 8.雜交管規(guī)格：Φ42×150mm或Φ42×200mm或Φ42×250mm或Φ42×300mm6只（任選） 9.搖臺擺動頻率：5～50次/分可調(diào) 10.工作室尺寸：330mm×270mm×310mm 儀器報價以公司網(wǎng)站為主 相關鏈接：http://www.tocan.cn/category.php?id=17    公司地址：上海市翔殷路165號B區(qū)211室 郵編：200433  聯(lián)系電話：021-51863860、13621641125         QQ：572980613 上海領成生物科技有限公司提供專業(yè)的產(chǎn)品、專業(yè)的售前、售中、售后服務，將使您的工作能夠收到事半功倍的效果。歡迎新老顧客來電咨詢，領成將為您提供最優(yōu)質(zhì)的服務！

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北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術發(fā)展和國防建設具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術界和產(chǎn)業(yè)界高度關注的熱點領域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結構為三重排列，可為六方結構的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構體，導致GaN面內(nèi)同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現(xiàn)標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎，而且對當前國際上關注的非晶襯底上氮化物半導體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導價值。

主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術來延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質(zhì)，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實要求，因此亟需實現(xiàn)晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現(xiàn)了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區(qū)化學氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態(tài)電流（45μA/μm）。相關成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

1. 痛點問題 惡性腫瘤是威脅人類健康的主要疾病，已成為我國城鄉(xiāng)居民死亡的第一原因。根據(jù)世界衛(wèi)生組織（WHO）統(tǒng)計，腫瘤治療采用手術、放療、化療三大手段進行綜合治療，對惡性腫瘤的治愈率（5年生存率）可達到45%，其中的40%（絕對值的18%）由放射治療貢獻。在最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)中， 發(fā)達國家的治愈率已上升至55%，其中放射治療貢獻40%，對應絕對值的22%。隨著技術不斷發(fā)展，放射治療將在未來扮演更重要的作用。 我國放射治療裝備國產(chǎn)化率低，相關研究落后。早在1976年我國成功研制首臺國產(chǎn)醫(yī)用直線電子加速器，達到世界先進水平。但未能結合數(shù)字化和圖像診療等技術，我國廠商與國外先進水平迅速拉開差距，國產(chǎn)設備市占率從2000年初的50%迅速下降至不足10%。目前這種放療設備嚴重依賴進口的情況，造成一定的經(jīng)濟負擔，也不利于國內(nèi)放射治療物理師和相關工程技術人員的培養(yǎng)，客觀上限制了放射治療技術在我國的推廣與應用。因此從我國公共衛(wèi)生事業(yè)的發(fā)展與戰(zhàn)略角度，亟需解決放療設備國產(chǎn)化問題。 醫(yī)用直線加速器利用高能X射線或電子線對腫瘤進行照射。束流模塊是醫(yī)用直線加速器中產(chǎn)生高能X射線或電子線的部分，是其中的關鍵核心部件，類似于汽車的發(fā)動機。衡量醫(yī)用加速器性能的重要指標“劑量率”主要由束流模塊決定，目前國際主流加速器的劑量率在1200MU/min左右。 束流模塊是目前制約國產(chǎn)醫(yī)用直線加速器性能提升的“卡脖子”技術，劑量率、穩(wěn)定性和可靠性是其關鍵，也是國產(chǎn)設備和進口產(chǎn)品存在水平差距的主要因素。突破高性能束流模塊的關鍵技術，對于振興國產(chǎn)醫(yī)用加速器產(chǎn)業(yè)發(fā)展、實現(xiàn)高端醫(yī)療器械“自主可控”的國家戰(zhàn)略具有重要意義。 2. 解決方案 本項目通過對緊湊的優(yōu)化屏蔽系統(tǒng)、高精度的機械對中系統(tǒng)、集成冷卻和高精度溫控系統(tǒng)、功率源及加速管匹配等核心技術的攻關，S波段高性能束流模塊實現(xiàn)劑量率1400MU/min，為國際同類產(chǎn)品的先進水平。可靠性方面，已開展可靠性測試，無故障時間大于1800小時，高壓無故障時間大于200小時，該指標可實現(xiàn)束流模塊在醫(yī)院較高負荷使用環(huán)境下一年內(nèi)無故障。 合作需求 尋求醫(yī)用加速器相關企業(yè)開展業(yè)務合作。

XM-655B淺、深感覺傳導束模型 ? XM-655B淺、深感覺傳導束模型展示深淺感覺傳導束的起止行程和位置，脊髓丘腦前束和脊髓丘腦側束分別以綠色和紫色表示，三叉丘系以草綠色和深藍色表示，深感覺以淺藍色表示，神經(jīng)核用彩色球表示，傳導束用鐵絲表示。 尺寸：放大，50×23×73cm 材質(zhì)：鐵絲+塑料

XM-655B淺、深感覺傳導束模型 ? XM-655B淺、深感覺傳導束模型展示深淺感覺傳導束的起止行程和位置，脊髓丘腦前束和脊髓丘腦側束分別以綠色和紫色表示，三叉丘系以草綠色和深藍色表示，深感覺以淺藍色表示，神經(jīng)核用彩色球表示，傳導束用鐵絲表示。 尺寸：放大，50×23×73cm 材質(zhì)：鐵絲+塑料