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全愛(ài)科技（上海）有限公司成立于2018年7月；華為ISV認(rèn)證合作伙伴；聯(lián)合華為打造創(chuàng)新機(jī)器視覺(jué)平臺(tái)。 具備超強(qiáng)的學(xué)術(shù)研究背景，積極推進(jìn)人工智能、機(jī)器視覺(jué)、無(wú)人系統(tǒng)、電力電子的科研和教育平臺(tái)建設(shè)，推動(dòng)科研成果產(chǎn)業(yè)化。核心產(chǎn)品“視覺(jué)智能人形機(jī)器人”機(jī)器視覺(jué)平臺(tái)廣泛適用于機(jī)器人、無(wú)人機(jī)、無(wú)人駕駛、智能巡檢、安防、智能控制等領(lǐng)域；其電力電子積木系統(tǒng)曾獲得第二十一屆中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)“優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”。

SENWEL微型精密注塑機(jī) M2系列，是一款為滿(mǎn)足科研機(jī)構(gòu)，高校實(shí)驗(yàn)室的聚合物成型實(shí)驗(yàn)設(shè)備，適用于模具設(shè)計(jì)、高分子材料、機(jī)械工程3D打印等工科類(lèi)專(zhuān)業(yè)教學(xué)，實(shí)驗(yàn)，創(chuàng)新研究等。本設(shè)備整機(jī)110kg，使用220V家用電，結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小。智能控制，操作簡(jiǎn)單，使用方便。可直接放實(shí)驗(yàn)室、實(shí)訓(xùn)室等多種場(chǎng)景。更大程度實(shí)現(xiàn)理論實(shí)踐結(jié)合教學(xué)與實(shí)驗(yàn)。

本項(xiàng)目屬于電子信息功能材料技術(shù)領(lǐng)域。 特色及先進(jìn)性：為了實(shí)現(xiàn)同一種單晶薄膜即可應(yīng)用于磁光器件，又可應(yīng)用于微波器件中，本項(xiàng)目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設(shè)計(jì)體系，為了使其同時(shí)具有良好的磁光和微波特性，本項(xiàng)目很好的根據(jù)晶格匹配原則設(shè)計(jì)了材料配方，并選用無(wú)鉛液相外延技術(shù)，大大提高了薄膜的性能。本項(xiàng)目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國(guó)無(wú)大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無(wú)鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問(wèn)題。研究?jī)?nèi)容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設(shè)計(jì)研究：基于四能級(jí)躍遷模型，并結(jié)合離子替代規(guī)律和多離子摻雜技術(shù)，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術(shù)研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無(wú)鉛配方、生長(zhǎng)速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗(yàn)證研究，設(shè)計(jì)制備平面波導(dǎo)型磁光開(kāi)關(guān)對(duì)材料磁光性能的驗(yàn)證。 技術(shù)指標(biāo)：（1）建成了我國(guó)第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產(chǎn)線(xiàn)，最大尺寸達(dá)到3英寸，單面薄膜厚度達(dá)到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數(shù)：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進(jìn)行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設(shè)計(jì)、制備和測(cè)試工作。 促進(jìn)科技進(jìn)步作用意義：本項(xiàng)目突破了我國(guó)在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線(xiàn)寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿(mǎn)足了國(guó)內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對(duì)石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴(lài)進(jìn)口、受制于人的不利局面。該項(xiàng)目研制的材料已提供給中電集團(tuán)41所、美國(guó)Delaware大學(xué)、天津大學(xué)、中國(guó)工程物理研究院、深圳市通能達(dá)電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團(tuán)9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評(píng)。

本項(xiàng)目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國(guó)無(wú)大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無(wú)鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問(wèn)題。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于紅外成像的薄膜測(cè)厚儀，包括光源、準(zhǔn)直透鏡、分光棱鏡、參考路散射玻璃、參考路紅外濾光片、參考路反 射鏡、測(cè)量路散射玻璃、測(cè)量路紅外濾光片、測(cè)量路反射鏡、半透半 反分光鏡、成像透鏡、CCD；測(cè)量時(shí)參考物經(jīng)反射鏡、分光鏡和成像 透鏡成像到 CCD 光敏面，被測(cè)物經(jīng)反射鏡和成像透鏡也成像到 CCD 光敏面，CCD 將圖像傳送至計(jì)算機(jī)，經(jīng)圖像處理后根據(jù)圖像的灰度值 求得被測(cè)物的厚度；如此形成雙光路測(cè)量系統(tǒng)，避免了光源光強(qiáng)變化 的影響；使用散射光透射成像的測(cè)量體系，避免了傳統(tǒng)紅外測(cè)厚裝置 中存在的干涉影響；設(shè)置具有多個(gè)局部標(biāo)準(zhǔn)厚度的參考物，該裝置可 以獲取參考物各個(gè)局部標(biāo)準(zhǔn)厚度，從而能夠更加精確地測(cè)量薄膜厚度。 

柔性智能互動(dòng)終端的關(guān)鍵材料與傳感器件是實(shí)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)革命的重要技術(shù)，柔性透明導(dǎo)電薄膜為其 中不可取代的關(guān)鍵元件。本團(tuán)隊(duì)在前期工作中針對(duì)納米銀線(xiàn)透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行了系統(tǒng)的研究，包含材料合 成、導(dǎo)電墨水配方調(diào)制、大面積卷對(duì)卷制程工藝和柔性觸控樣機(jī)制備，已經(jīng)初步建立起一條從材料、工藝 到器件應(yīng)用的產(chǎn)學(xué)模式；并做了一系列十余項(xiàng)的專(zhuān)利布局（發(fā)明專(zhuān)利12篇，授權(quán)專(zhuān)利6篇）。其采用的技 術(shù)方法如下： （1）低成本的表面圖形化工藝。包含基于光酸顯影的可圖形化配方調(diào)制、基于表面能差異化驅(qū)動(dòng)的 自組裝電極圖形化，相比較于傳統(tǒng)的激光、黃光刻蝕，溶液態(tài)的圖形化方式成本更低，同時(shí)可保證滿(mǎn)足柔 性觸控傳感器的線(xiàn)寬/線(xiàn)距要求； （2）高穩(wěn)定性的納米銀導(dǎo)電薄膜。基于單分子緩蝕劑修飾的納米銀線(xiàn)穩(wěn)定性提升方案，相較于業(yè)界 傳統(tǒng)的單級(jí)分子蒸餾存在分離效率不高、能耗 較大和成本較高等問(wèn)題，而常規(guī)精餾方法又會(huì)使某 些活性組分發(fā)生熱變質(zhì)或分解能等不足。薄膜蒸發(fā) 與精餾是一種特殊的液－液分離技術(shù)，本技術(shù)成果 將薄膜蒸發(fā)的高效蒸發(fā)性與精密精餾的高分離度融 合于一臺(tái)完整的設(shè)備中，既可避免熱敏性物質(zhì)長(zhǎng)期 暴露于加熱器內(nèi)，又可使各組分通過(guò)

該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級(jí)替換品。這種薄膜結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術(shù)拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復(fù)制到鎳質(zhì)金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機(jī)高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現(xiàn)全息圖像。

透明導(dǎo)電氧化物薄膜具有良好的導(dǎo)電性能和透光性能，廣泛應(yīng)用于平面液晶顯示（LCD）、電致發(fā)光顯示（ELD）、等離子體顯示（PD）以及太陽(yáng)能電池、熱鏡、電磁屏蔽等。在相當(dāng)一段時(shí)間內(nèi), In2O3：Sn (ITO) 薄膜作為一種典型的透明導(dǎo)電氧化物薄膜得到了極廣泛的應(yīng)用，但I(xiàn)TO 薄膜中的銦有毒，在制造和應(yīng)用中對(duì)人體有害；ITO 中的In2O3 的價(jià)格昂貴,成本較高， ITO 薄膜易受氫等離子體的還原作用，這些缺點(diǎn)在很大程度上限制了ITO 薄膜的研究和應(yīng)用。新型透明導(dǎo)電ZnO :Al (AZO) 薄膜中的ZnO 價(jià)格便宜,來(lái)源豐富,無(wú)毒,并且在氫等離子中穩(wěn)定性要優(yōu)于ITO，在很多領(lǐng)域特別是太陽(yáng)電池領(lǐng)域具有逐步取代ITO薄膜的趨勢(shì)。本產(chǎn)品是多層ZAO透明導(dǎo)電膜，具有透過(guò)率高和電阻率低的優(yōu)點(diǎn)，而且非常適合制備絨面，可作為陷波結(jié)構(gòu)應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池中。 透明導(dǎo)電膜的主要性能指標(biāo)有兩個(gè)：透過(guò)率和方阻。產(chǎn)業(yè)化對(duì)透明導(dǎo)電膜透過(guò)率的要求一般要達(dá)到80%以上，南韓的Ｗｏｏｎ－ＪｏＪｅｏｎｇ制備的ZAO膜在可見(jiàn)光區(qū)域的平均透過(guò)率大于９５％，是國(guó)際最高水平。國(guó)外科研人員制備的ZAO透明導(dǎo)電膜室溫電阻率最低可達(dá)3×10-4Ω·cm，方塊電阻最低可達(dá)3Ω/□。國(guó)內(nèi)制備的ZAO透明導(dǎo)電膜一般平均透過(guò)率約為80%，電阻率在10-3數(shù)量級(jí)。 本產(chǎn)品具體性能指標(biāo)是：透過(guò)率＞85%，方阻<50Ω/□。 太陽(yáng)電池是正在蓬勃發(fā)展的產(chǎn)業(yè)。國(guó)務(wù)院剛剛頒布的《可再生能源中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃》中明確提出：到2010年，太陽(yáng)能發(fā)電總?cè)萘窟_(dá)到30萬(wàn)千瓦，其中全國(guó)將建成1000個(gè)屋頂光伏發(fā)電項(xiàng)目，總?cè)萘?萬(wàn)千瓦，大型并網(wǎng)光伏電站總?cè)萘?萬(wàn)千瓦；到2020年，太陽(yáng)能發(fā)電總?cè)萘窟_(dá)到180萬(wàn)千瓦，其中全國(guó)建成2萬(wàn)個(gè)屋頂光伏發(fā)電項(xiàng)目，總?cè)萘?00萬(wàn)千瓦，太陽(yáng)能光伏電站總?cè)萘繉⑦_(dá)到20萬(wàn)千瓦；另外，光伏發(fā)電在通訊、氣象、長(zhǎng)距離管線(xiàn)、鐵路、公路等領(lǐng)域的應(yīng)用，計(jì)劃到2010年也將累計(jì)達(dá)到3萬(wàn)千瓦，到2020年將達(dá)到10萬(wàn)千瓦。而全球太陽(yáng)能光伏市場(chǎng)將從2000年的10億美元到2015年擴(kuò)大到1500億美元。透明導(dǎo)電薄膜是太陽(yáng)電池中關(guān)鍵的薄膜，需求巨大。