二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點(diǎn)的全新二維半導(dǎo)體芯片材料(硒氧化鉍,Bi 2 O 2 Se),在場效應(yīng)晶體管器件、量子輸運(yùn)和可見光探測方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(yīng)(從可見光到1700 nm短波紅外區(qū)),并同時(shí)具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處靈敏度高達(dá)~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒(10 -12 秒)的本征超快光電流響應(yīng)時(shí)間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成,晶體中氧的存在,使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性,完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。
北京大學(xué)
2021-04-11