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：本發(fā)明公開了一種二維陣列光耦合模塊，包括陶瓷基底、光收 發(fā)芯片陣列、微透鏡陣列，驅(qū)動(dòng)單元陣列、光纖陣列和光纖連接器。 本發(fā)明中，光纖陣列耦合端采用 45 度反射面，通過微透鏡與光收發(fā)芯 片陣列實(shí)現(xiàn)了有效耦合，耦合效率高，體積小，便于封裝；提出的對(duì) 準(zhǔn)與定位方法較易實(shí)現(xiàn)，有利于工業(yè)制造；采用異形陶瓷基底，能夠 減小光程差對(duì)于數(shù)據(jù)傳輸速率的影響，對(duì)于光耦合效率也有一定提升； 而且，制作成本相對(duì)于聚合物波導(dǎo)來說較低。本發(fā)

本發(fā)明提出一種消不良光的全息變焦系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括激光器、濾波器I、準(zhǔn)直透鏡、LCOS、固體透鏡、濾波器II、液體透鏡、接收屏。其中濾波器I、準(zhǔn)直透鏡用于將激光器發(fā)出的激光擴(kuò)束形成準(zhǔn)直平面光，固體透鏡位于LCOS的后面，濾波器II位于固體透鏡的焦平面位置，液體透鏡位于接收屏和濾波器II之間。該系統(tǒng)不僅可以消除全息系統(tǒng)中的不良光，而且可以實(shí)現(xiàn)變焦的功能。

研究?jī)?nèi)容：本項(xiàng)目通過對(duì)控制電路的設(shè)計(jì)， 克服了液晶變光的非線性， 實(shí)現(xiàn)了不同遮光號(hào)的準(zhǔn)確設(shè)置，并極大地縮短了變光響應(yīng)時(shí)間；通過對(duì)產(chǎn) 品面罩添加成分的研究和基于力學(xué)原理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)， 提高了產(chǎn)品阻燃和耐 高、低溫性能，以及抗沖擊能力；變光鏡組的內(nèi)外保片除了具有防護(hù)功能 外，還具有超強(qiáng)的除霧氣能力，有效防止由于霧氣造成的意外事故。 技術(shù)特點(diǎn)： 本項(xiàng)目屬于焊接加工行業(yè)的設(shè)備制造。該產(chǎn)品在焊接過程 中能夠自動(dòng)變光

開發(fā)了一款300W的可以與光伏板背板接線盒完全集成的光伏能量?jī)?yōu)化器，達(dá)到的效果：效率98%，可以追蹤光伏最大功率，可以適用于多種負(fù)載（逆變器、孤島負(fù)載、儲(chǔ)能負(fù)載等）。技術(shù)特點(diǎn)及創(chuàng)新點(diǎn)（1）功率密度大，可以和現(xiàn)有光伏電池板完全集成（2）快速追蹤光伏最大功率，無凈差（3）自動(dòng)判別不同負(fù)載，針對(duì)負(fù)載情況快速切換運(yùn)行狀態(tài)應(yīng)用領(lǐng)域： 新能源   

中心通過“裝備與工藝的協(xié)同創(chuàng)新”，創(chuàng)新發(fā)展了具有自主產(chǎn)權(quán)的大科學(xué)裝置—MOCVD高端裝備，并在硅襯底上生長(zhǎng)第三代半導(dǎo)體InGaN黃光LED材料，取得了歷史性突破，將黃光LED的光效由國(guó)際上報(bào)道的不足10%，提升到了27.9%，結(jié)束了國(guó)際市場(chǎng)上長(zhǎng)期缺乏高光效黃光LED的局面。國(guó)際同行、諾貝爾獎(jiǎng)獲得者中村修二教授高度稱贊這項(xiàng)成果：“硅基黃光LED的技術(shù)水平國(guó)際領(lǐng)先，這是屬于中國(guó)人首次發(fā)明的照明技術(shù)，它有非常大的價(jià)值。”陳良惠院士領(lǐng)銜的12位業(yè)內(nèi)專家，對(duì)

1.痛點(diǎn)問題 隨著高端裝備制造、工業(yè)機(jī)器人末端定位、工業(yè)產(chǎn)品尺寸檢測(cè)等領(lǐng)域高速發(fā)展，亟需匹配大量程、高精度、高測(cè)速和基準(zhǔn)可溯源的絕對(duì)距離檢測(cè)能力，現(xiàn)有激光雷達(dá)和激光干涉等測(cè)距手段因其測(cè)量原理和性能限制，均無法滿足要求。 2.解決方案 本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)經(jīng)過十余年的技術(shù)攻關(guān)，成功研制了國(guó)內(nèi)外首臺(tái)具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的光頻梳絕對(duì)測(cè)距儀器，實(shí)現(xiàn)了百米級(jí)量程、微米級(jí)精度和千赫茲級(jí)測(cè)速，并應(yīng)用于高精度大尺寸三坐標(biāo)測(cè)量。本項(xiàng)目成果可服務(wù)于飛機(jī)、船舶等裝備制造，工業(yè)機(jī)器人末端定位、工業(yè)產(chǎn)品尺寸檢測(cè)對(duì)高性能空間定位的迫切需求。預(yù)期形成光頻梳絕對(duì)測(cè)距儀和光頻梳三坐標(biāo)測(cè)量?jī)x等自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品和配套解決方案。 技術(shù)創(chuàng)新： （1）提出基于光頻梳的多外差干涉測(cè)距技術(shù)，解決傳統(tǒng)干涉法難以進(jìn)行高精度絕對(duì)距離測(cè)量的問題； （2）提出基于光頻梳絕對(duì)測(cè)距的高精度三坐標(biāo)測(cè)量技術(shù)，解決跟蹤儀絕對(duì)定位能力不足的問題。 合作需求 （1）市場(chǎng)資源對(duì)接：有末端定位需求的機(jī)器人公司、有高精度距離和坐標(biāo)測(cè)量需求的智能制造公司； （2）資本對(duì)接：聚焦關(guān)注高端裝備、智能制造、光電產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的一線風(fēng)險(xiǎn)投資機(jī)構(gòu)（非FA機(jī)構(gòu)）； （3）技術(shù)合作：承接國(guó)家和省部級(jí)項(xiàng)目的企業(yè)，在專項(xiàng)中對(duì)精密測(cè)距和高精度坐標(biāo)測(cè)量的需求，可與本團(tuán)隊(duì)聯(lián)合項(xiàng)目攻關(guān)。

本發(fā)明公開了一種基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片。該芯片包括面陣電控液晶雙模微透鏡；其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姌O層、電絕緣層、第二電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒐搽姌O層、第二基片和第二增透膜；第一電極層由其上布有 m×n 元陣列分布的圓孔的一層勻質(zhì)石墨烯膜構(gòu)成，公共電極層和第二電極層分別由一層與第一電極層同質(zhì)的勻質(zhì)石

提出采用規(guī)則幾何納米結(jié)構(gòu)和摻雜來實(shí)現(xiàn)光場(chǎng)在納米尺度上的精確局域化和調(diào)控，實(shí)現(xiàn)了單層石墨烯規(guī)則幾何納米結(jié)構(gòu)剪裁中紅外電磁場(chǎng)在單原子二維平面的局域分布、波長(zhǎng)與強(qiáng)度調(diào)控。通過構(gòu)建單層石墨烯規(guī)則幾何納米結(jié)構(gòu)，利用邊界對(duì)表面等離激元波的反射，形成多重干涉效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)10.7 μm入射波的光場(chǎng)局域化，并且通過納米結(jié)構(gòu)的幾何形狀調(diào)控其空間分布，結(jié)果以封面文章發(fā)表在Light: Science & Applications 2017, 6, e17057上。另外，通過對(duì)單層石墨烯進(jìn)行硝酸根化學(xué)摻雜，實(shí)現(xiàn)了單層石墨烯表面等離激元強(qiáng)度提高了約2倍、波長(zhǎng)由150 nm提高到了280 nm?還發(fā)現(xiàn)了二維層狀范德華α-MoO3晶體的中紅外雙曲聲子極化激元效應(yīng)，將聲子極化激元體系推廣至半導(dǎo)體。二維層狀α-MoO3晶體具有豐富的光學(xué)聲子模式，該研究揭示了它們能夠與中紅外電磁場(chǎng)進(jìn)行有效地耦合激發(fā)聲子極化激元，從而實(shí)現(xiàn)二維平面上高度的電磁場(chǎng)局域。另外，該研究利用α-MoO3晶體較大的層間間距，通過金屬離子插層的方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)其聲子極化激元的傳播調(diào)制以及“關(guān)閉”

對(duì)于難降解的有機(jī)高濃度廢水，采用常規(guī)污水處理工藝難以達(dá)到排放標(biāo)準(zhǔn)，本發(fā)明，涉及光催化和生物處理協(xié)同作用，與其它處理設(shè)備或構(gòu)筑物相比較，工藝流程短，處理效果明顯提高30％～ 60％，運(yùn)行費(fèi)用降低21％～ 38％。對(duì)于一般性質(zhì)的難以降解的污水，去除率可以達(dá)到90％以上；處理設(shè)備可與多種處理工藝的組合，運(yùn)行方式靈活，節(jié)省工程的投資，減少占地面積。處理水量及對(duì)象：依據(jù)設(shè)備規(guī)模而定；難降解高濃度廢水，如印染廢水，化工廢水出水水質(zhì)：可以達(dá)到國(guó)家排放標(biāo)準(zhǔn)的一級(jí)標(biāo)準(zhǔn)或更高標(biāo)準(zhǔn)要求產(chǎn)生的污泥量：少

在這種獨(dú)特的vdW p?g?n結(jié)中，互補(bǔ)帶隙的MoTe2和SnS2、石墨烯夾層、結(jié)內(nèi)形成的垂直內(nèi)置電場(chǎng)的組合為增強(qiáng)的寬帶光吸收、高效的激子分離和載流子轉(zhuǎn)移提供了無可比擬的優(yōu)勢(shì)。研究發(fā)現(xiàn)，石墨烯夾層在增強(qiáng)探測(cè)率和拓寬光譜范圍方面起到關(guān)鍵作用(圖2e)。優(yōu)化的器件(包含5?7層石墨烯夾層)在紫外?可見?近紅外光譜中顯示出超過2600 A/W的光響應(yīng)度(圖2b)、快的光響應(yīng)速度(圖2c)、高達(dá)1013 Jones的比探測(cè)率 (圖2d)。特別是在1550 nm短波紅外激發(fā)下，其比探測(cè)率也高達(dá)1.06×1011 Jones，可媲美商業(yè)的短波紅外探測(cè)器(譬如非??制冷的Ge-on-Si光電探測(cè)器)。 這些研究結(jié)果為寬帶的超高性能光電探測(cè)器提供了切實(shí)可行的思路，且本研究成果在目前寬光譜光電探測(cè)器件方面以及未來的柔性的光電子與智能傳感器件方面具有極大的應(yīng)用潛力。