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        技術(shù)成熟度：技術(shù)突破         研發(fā)團(tuán)隊(duì)以設(shè)計(jì)制備寬光譜超材料吸收器和像元級(jí)集成紅外探測(cè)器為研究主線，在超薄寬帶高吸收原理與策略、材料/器件設(shè)計(jì)與制備方面取得了突破性進(jìn)展。圍繞器件吸收率低、噪聲等效溫差（NETD）大、集成兼容性差的難題，提出了無(wú)損與損耗型介質(zhì)結(jié)合、多模諧振耦合光吸收的思路，獲得超薄寬帶高吸收率材料；提出將超薄寬帶高吸收率材料與非制冷紅外探測(cè)器像元級(jí)集成新思路，獲得了寬譜、NETD小、多色探測(cè)的非制冷紅外探測(cè)器，NETD降低3倍，研究成果已在中國(guó)兵器北方夜視廣微科技應(yīng)用轉(zhuǎn)化。         意向開(kāi)展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開(kāi)發(fā)資金支持

本發(fā)明公開(kāi)了一種雙路電壓信號(hào)驅(qū)控的面陣電控液晶光發(fā)散微透鏡芯片，包括電控液晶散光微透鏡陣列、第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口和第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口，面陣電控液晶散光微透鏡為 m×n 元，其中，m、n 均為大于 1 的整數(shù)，電控液晶散光微透鏡陣列采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且下上層之間順次設(shè)置有第一基片、共地電極層、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印㈨斆鎴D案化電極層、頂層電極間絕緣層、頂面電極層、第二基片，共地電極層和頂面電極層分別固

光收發(fā)芯片是光收發(fā)模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網(wǎng)絡(luò)物理層的主要基礎(chǔ)芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅(qū)動(dòng)器三種。它們被用于光纖傳輸?shù)那岸耍瑏?lái)實(shí)現(xiàn)高速傳輸信號(hào)的光電、電光轉(zhuǎn)換，這些功能被集成在光纖收發(fā)模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發(fā)操作系統(tǒng)及其之上的核心 API 軟件，支撐國(guó)家信息化建設(shè)，并致力于構(gòu)建區(qū)別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態(tài)體系 。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過(guò)連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP110集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過(guò)固件實(shí)現(xiàn)高級(jí)Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號(hào)通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無(wú)需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無(wú)鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統(tǒng)以及10.3125Gbps數(shù)據(jù)傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統(tǒng)。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過(guò)連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP112集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過(guò)固件實(shí)現(xiàn)高級(jí)Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號(hào)通道極性)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無(wú)需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無(wú)鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅(qū)動(dòng)器高速光收發(fā)芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅(qū)動(dòng)器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發(fā)芯片,工作在高達(dá)14Gbps的數(shù)據(jù)速率、非常適合以太網(wǎng)和光纖通道應(yīng)用。在EP116的發(fā)射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數(shù)高速系統(tǒng)存在的信號(hào)失真問(wèn)題。平均光功率由平均功率控制環(huán)路(APC)控制，該控制環(huán)路通過(guò)連接至VCSEL驅(qū)動(dòng)器的3線數(shù)字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設(shè)計(jì)提供最佳的背板短接。EP116集成一個(gè)微處理器，可以實(shí)現(xiàn)SFF8472協(xié)議的數(shù)字監(jiān)控接口要求，可通過(guò)固件實(shí)現(xiàn)高級(jí)Rx設(shè)置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號(hào)通道極性、去加重)和Tx設(shè)置(調(diào)制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點(diǎn)調(diào)制)，無(wú)需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無(wú)鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點(diǎn)： 　　3.3供電時(shí)，功耗僅為500mW 　　工作速率高達(dá)10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調(diào)節(jié)觸發(fā)LOS報(bào)警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負(fù)載提供高達(dá)12mA的調(diào)制電流 　　偏置電流高達(dá)19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調(diào)節(jié)調(diào)制輸出的眼圖交叉點(diǎn) 　　工作溫度: -40度 到 90度

針對(duì)生化芯片加工新技術(shù),根據(jù)生化樣品特征，按照整體、高效設(shè)計(jì)，制備 出生化芯片，具有適應(yīng)面廣、直觀，無(wú)創(chuàng)，高效等優(yōu)點(diǎn)，在生物醫(yī)學(xué)、食品安全 生化芯片加工等方面都具有廣泛的應(yīng)用前景。

成果介紹人體器官芯片的成功研發(fā)將有力推動(dòng)我國(guó)生物醫(yī)療用芯片制造技術(shù)的發(fā)展，建立全新的生命科學(xué)實(shí)驗(yàn)方法；能夠有效減少新藥研發(fā)等對(duì)動(dòng)物和臨床實(shí)驗(yàn)的依賴，加速新藥研發(fā)的流程并減少研發(fā)投入技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及參數(shù)微縮人工器官，以實(shí)現(xiàn)對(duì)人體器官功能的模擬。器官芯片高內(nèi)涵裝置的設(shè)計(jì)和制造，開(kāi)發(fā)了標(biāo)準(zhǔn)芯片系統(tǒng)及器官特異性生物材料市場(chǎng)前景疾病模型，藥物評(píng)估，個(gè)性化醫(yī)療。

一、領(lǐng)航一號(hào) JFM7101 基帶處理集成電路采用 SOC 設(shè)計(jì),支持 10 路獨(dú)立接收通道和 1 路發(fā)送通道,內(nèi)部集成高性能 16 位數(shù)字信號(hào)處理器,支持多種通信接口,可實(shí)現(xiàn)北斗一代衛(wèi)星 信號(hào)的接收與發(fā)送、出入站協(xié)議處理及接口通信等功能; 二、領(lǐng)航二號(hào) JFM7201 基帶處理集成電路 支持北斗二號(hào)B3、B1頻點(diǎn)/GPS-L1頻點(diǎn)信號(hào)的捕獲跟

GaN系列材料具有低的熱產(chǎn)生率和高擊穿電場(chǎng)，是制作大功率電子器件的重要材料。利用GaN材料制造的功率管擁有承受大電流、耐高壓、抗輻射，耐高溫而且開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，非常適用于高功率微波器件。隨著5G毫米波通信、工業(yè)4.0和新一代雷達(dá)的發(fā)展，這種功率微波器件將會(huì)得到更廣泛的應(yīng)用。但是，對(duì)于這種半導(dǎo)體器件的負(fù)載開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)提出了非常高的要求。要求負(fù)載開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)封裝尺寸小，便于大陣列集成。并且對(duì)可靠行的要求也極高。智能功率集成電路（Smart Power Inte