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變幻的色彩(
光
的彩色偏振實驗
器
)
310mm×250mm×280mm,偏振片一對,不同部位用不同的層數,顯示不同的彩色。
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
25013
光
的三原色合成實驗
器
寧波華茂文教股份有限公司
2021-08-23
合成多元納米顆粒材料的旋
流
霧化燃燒
器
1. 痛點問題 氧化物微納米顆粒在儲能材料、高端光學材料、高性能氣體傳感器、高端催化劑等領域均有廣闊的應用前景。然而工業制備中現有的共沉淀、凝膠、浸漬等濕法合成方法,由于其原理和工藝上的限制,存在不易放大、生產不連續、產線通用性弱、廢液污染、摻混不均勻等問題,尤其在被國外企業壟斷的高端高熵多元氧化物顆粒生產方面,存在很大挑戰。 2. 解決方案 采用火焰合成方法得到納米顆粒具有一步工藝、純度高、易放大、成本低、污染排放少、可控性相對較高的特點。在各種火焰形式中,本技術設計了一種基于旋流強化混合的霧化火焰合成系統,在保證較高產量的同時降低了高溫區停留時間,能夠顯著提高火焰合成納米顆粒的產量和生產效率,可以為各種單元、多元納米氧化物粉體的生產提供定制化服務。 合作需求 為實現本技術的產業化和市場化,主要需求包括: 1.一支專精于納米材料合成與收集方面的研發團隊,能夠承接專利技術,并大幅拓展至規模化、定制化產業生產; 2.300平米以上的科學實驗場地與300萬以上的啟動資金; 3.與光學、電學領域高端粉體需求方有較廣泛的聯系,能夠協助產品、技術拓展市場。
清華大學
2021-12-29
旋
流
井
技術簡介:本發明屬于分離機械,涉及一種具有從雨水中分離沉積物和漂浮物功能的旋流井,包括井筒、外筒、旋流器和支撐筋板。所述井筒上在同一水平面上預埋進水管和出水管。所述外筒置于井筒內。所述旋流器依靠支撐筋板同軸固定在外筒里面。旋流器的入口伸出外筒并套在井筒上預埋的進水管上。本發明既能分離沉渣又能分離浮渣,操作彈性大,且不易堵塞、結構簡單、裝拆方便、清渣容易。
常州大學
2021-04-14
汽液兩相
流
自調節液位控制
器
目前工業上廣泛采用的液位調節器有浮球式、氣動式和電動液位控制系統。這些液位調節器均因執行機構動作頻繁、易磨損、易腐蝕而經常發生卡澀故障,使液位失控,以及泄漏等,嚴重影響設備和系統的安全、經濟運行。因而在生產實際中,這類設備的液位控制一直是亟待解決的難題。
西安交通大學
2021-01-12
高濃度廢水分段式厭氧折
流
反應
器
項目簡介 本成果屬于高濃度廢水處理設備,具體地說,是一種以分段進水操作為主要特征的廢 水厭氧生物處理設備。由擋板將厭氧反應室分為若干厭氧反應隔室,每個隔室又分為上 下兩個區,將污水分段處理,;厭氧反應室圍繞在反應器主體周圍,反應器主體中部設有 脫氮除磷區,底部設有污泥沉淀區,集脫氮除磷、沉淀一體的一種能耗極低、耐負荷高、 剩余污泥量少、生物固體截留能力強、水利混合條件好、設備簡易的厭氧污水處理裝置。 性能指標
江蘇大學
2021-04-14
液氮恒溫
器
-實驗室連續
流
低溫制冷設備
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-24
液氮恒溫
器
-實驗室連續
流
低溫制冷設備
北京錦正茂科技有限公司
2022-06-06
光
晶體管結構的柔性紫外探測
器
本發明涉及提出一種無機鈣鈦礦光晶體管結構的紫外探測器。基底(1)為玻璃基底,在基底(1)上制備CsPbX3薄膜(2)作為有源層,在CsPbX3薄膜(2)表面制備同物質的CsPbX3量子點(5)摻雜的PMMA有機層(4)作為柵絕緣層,以此為紫外光感應窗口;薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)分別位于CsPbX3薄膜(2)上的兩邊,FTO柵極(6)位于CsPbX3薄膜(2)的上的中間,在薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)和FTO柵極(6)調制下,獲得光生載流子分離、轉換的電信號讀取、放大的集成功能,以實現高響應度的紫外信號探測。光晶體管探測器可采用如圖1所示的頂柵結構,也可以采用如圖2所示的底柵結構。以上兩種結構可制備在玻璃基板上,也可以制備在柔性基板上形成底柵或頂柵結構的柔性光晶體管紫外探測器。
東南大學
2021-04-11
高靈敏度高分子
光
探測
器
通過分子設計在高分子光電探測器中實現活性層的垂直相分離控制,有效降低負偏壓下的暗電流從而提高光探測器的探測度。具體上,課題組基于具有優異光伏性能的苯并二噻吩(BDT)為主鏈構建單元,通過在側鏈引入共軛的3,4-乙撐二氧噻吩(EDOT)作為給體單元,與以噻吩并吡咯二酮TPD為受體單元共聚,合成了高分子PBT(EDOT)? 與噻吩側鏈的高分子PBT(TH)相比,PBT(EDOT)器件負偏壓下的暗電流密度降低了2個數量級以上,而其光伏性能沒有顯著下降(圖1)。并且,探測器在±2.0V時具有非常高的整流比,暗電流的比值達到106-107,說明該探測器具有非常優異的二極管特性。在-0.2 V時,PBT(EDOT)器件暗電流密度可以達到1.6 × 10-10 A cm-2。暗電流的降低,使PBT(EDOT)光探測器在光譜響應區內可以獲得1013 Jones以上的探測度。與之相對的是,基于PBT(TH)的探測器,其探測度始終在1.1 × 1012 Jones以下的水平(圖2a)。此外,由于暗電流的減小,PBT(EDOT)器件對于弱光的探測敏感性大大提高,可以探測到光強在1 pW cm-2以下的弱光(圖2b)。該項工作已申請PCT專利,課題組將進一步開發高分子光探測器在傳感、光通訊等方面的實際應用。
南方科技大學
2021-04-13
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