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研究了二維鐵磁材料VI 3

本發明公開了一種偏振無關空間光調制方法和裝置，該方法利 用偏振分束、偏振旋轉、偏振相關空間光調制器件、偏振合束實現偏 振無關空間光調制。裝置包括偏振分束鏡，反射鏡、半波片和反射式 偏振相關空間光調制器件，其中偏振分束鏡、偏振相關空間光調制器 件和反射鏡構成直角三角形回路或者多邊形回路，半波片位于回路中。 裝置還可以進行多種改進。本發明可以適用于多種空間光束，如軌道 角動量光束、多路廣播的軌道角動量光束、任意空間相位調

本項目主要開展納微結構體系光子帶隙的設計、納微結構體系的光學非線性效應、光波傳播動力學以及光控光操作應用等方面的研究，發展在介觀尺度下調控光子傳輸行為的新效應、新原理與新技術。已在Physical Review Letters、Optics Letters、Applied Physics Letters和Optics Express等國內外重要學術刊物上發表論文30余篇。其中有關鐵鋯雙摻鈮酸鋰晶體的相關成果被《Science Archived》收錄，有關非傳統偏壓配置條件下各種非線性光子學晶格的制備

光掩膜版(又稱光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中實現設計圖形轉移的載體，是決定其微細結構和線寬精度的核心材料和工具。 目前中國半導體掩膜版的國產化率10%左右，90%需要進口，高端掩膜版國產化率3%，miniLED和microLED產業升級也需要更多高端掩膜版。隨著中國市場需求的持續提升，掩膜版產能嚴重不足。并且中國半導體掩膜版的產業起步較晚，技術滯后，核心技術和裝備基本讓國外公司壟斷，特別是在設備、材料領域眾多技術處于“卡脖子”狀態，例如掩膜版制造的核心裝備光刻機、檢測機、測量機、修復機和貼膜機等都依賴進口，嚴重制約中國半導體產業的發展。華中科技大學徐智謀教授團隊致力于全套高端半導體光掩膜版的關鍵核心技術研發與量產，為“卡脖子”技術研究而努力。 具有建立180 nm技術節點半導體掩膜版量產線相關核心技術；具備130 nm至28 nm半導體掩膜版研發、設計及驗證能力。主要研究成果如下： 1） 工藝突破 團隊掌握了掩膜版MEMS微納加工量產核心技術，如電子束光刻、激光光刻和納米壓印光刻等MEMS微納加工工藝的各類技術參數的搭配和優化，以及大數據量軟件快速處理、補償等。 2） 裝備國產化 A. 超高精度二維測量裝備 尺寸測量是驗證掩膜版技術指標的核心，主要包括關鍵尺寸測量(CD)和長尺寸測量(TP)。團隊已掌握掩膜版的關鍵測量技術，達到國內先進水平，具有整套設備的整機制造能力。 TP測量是掩膜版制作的核心指標，直接影響到客戶的套合精度，該測量設備一直由國外極少數廠商壟斷，且價格昂貴，一般在1000萬美元以上，高端限制對中國出口。團隊目前正在攻克該項技術，已取得階段性成果。 B. 缺陷修復裝備 掩膜版修補技術是提升良品率的關鍵手段，該技術一直為國外壟斷。團隊已熟練掌握UV、DUV激光化學沉積技術及皮秒飛秒激光金屬處理技術，具備整機制造能力，可降低設備采購成本70%以上。 C. Pellicle自動貼膜裝備 隨著產品精度的提升和應用領域的高端化，掩膜版貼膜是個不可缺少的重要環節。在IC制造領域100%掩膜版需貼Pellicle，在IC封裝領域90%以上需貼膜，在LED領域80%以上需貼膜。該貼膜設備一直國外公司壟斷，國內廠家沒有提供，國外采購全自動貼膜設備需100萬美元左右。團隊具備研發制造該設備的能力，貼膜精度±0.1mm,且有設備正式在產線運營，制造成本可節約90%以上。 3） 廠房建設關鍵技術 團隊對MEMS及其掩膜工廠工藝設備廠務設計有豐富經驗，掌握高等級防微震廠房結構和設備平臺的設計施工，可達到VC-D級技術標準，滿足納米級生產技術要求。 【技術優勢】 （1）掌握了高性價比掩膜版量產的關鍵核心技術，包括部分裝備的國產化，解決“卡脖子”技術難題，量產線建設成本節約30%以上； （2）具備28 nm及以下技術節點掩膜版設計開發能力和驗證平臺，驗證周期可縮短3倍； （3）擁有一支20多年以上掩膜版量產、研發和銷售經驗的隊伍，成熟的企業管理經驗，保證企業穩步成長，確保投資風險可控。 【合作方式】 股權投資合作共建或政府孵化+中試線。

本發明公開了一種混合集成電控液晶光開關陣列，包括：被混合集成的電控液晶聚光微透鏡陣列和電控液晶散光微透鏡陣列，每單元液晶聚光微透鏡與每單元液晶散光微透鏡的光軸重合；在加電態下，聚光微透鏡在不同均方幅度的電驅控信號作用下實施光束的可調焦聚光操作，散光微透鏡在不同均方幅度的電驅控信號作用下實施光束的可控發散程度散光操作；在斷電態下，液晶聚光微透鏡與散光微透鏡被轉換為僅延遲光波相位的液晶相移板；液晶聚光微透鏡與散光微透

本發明公開了一種光伏發電并網控制方法及系統。該方法一方 面利用光伏電池電壓，電流信息，根據電壓變化率，電流變化率以及 電導變化率將擾動法和增量電導法結合進行最大功率點跟蹤(MPPT) 控制，在溫度以及光照輻射強度變化時，實現對最大功率點的及時跟 蹤，提高光伏電池的輸出效率；另一方面采用多重控制策略，將并網 點的頻率、功率以及電壓作為控制量，能在光伏電池并網以及電網運 行狀態發生變化時進行實時動態響應，從而實現對光伏發電并網運行 的控制。 

EVA膠膜封裝是太陽能光伏電池重要的組件之一，通過封裝可以保護電池片和電極、提高電池的發電效率和耐久性。本產業化項目通過改善封裝材料的透光率、粘接強度及耐老化等性能提高太陽能電池的發電效率和延長使用壽命，降低光伏發電成本，制備使用壽命可達30年、低成本高性能EVA膠膜。已實現工程化，可提供全套解決方案，包括配方、技術工藝、生產線設備定制等全套技術。建成示范生產線1條.

 本項目針對光伏發電分散式接入電網的模式，設計了對電網友好可控的帶儲能裝置的多端口變換器光儲一體能源系統。應用環境有公共建筑、工業廠房和居民家庭等有公共電網的地方，或者無公共電網但有電力需求的地方如偏遠山區、海島等，該光儲能源系統能夠經過自我調節和控制與大電網互為支撐，向重要負載不間斷供電等功能。 本項目成功開發50Kw光儲一體能源系統，系統含有光伏端口、電池端口和交流端口，光伏組件通過Boost變換器接入直流母線；蓄電池通過雙向DC/DC變換器也接在直流母線上；變換器的交流端口可以接電網，也能為三相負載供電，逆變器采用三相四線制結構，直流母線分裂電容的電壓均衡由均壓橋臂（S11，S12）平衡。本系統有三大特征：采用雙路光伏MPPT輸入，使安裝在不同方向的光伏陣列最大限度獲取太陽能；能量采用直流母線匯聚形式，降低了系統損耗和效率；負載接口分為重要負載和可控負載接口，確保系統維持對重要負載的供電，實現能量的平衡自治。 項目具有重大的科研價值，項目成功實現產品轉化，將應用于海南某小區幾個單元的供電系統，實現能量自給自足、余電上網模式，開啟綠色環保、低碳節能的新用電方式。

成果簡介：在航空航天領域，光電儀器受溫度影響會產生像移，成像質量會 變差，影響探測。本技術將光學設計、結構設計、有限元分析、光學表面自由曲面面型擬合結合起來，可以分析在恒溫和瞬態溫度變化的情況下，成像 質量的變化，進而給溫控提供準確的技術方案和技術途徑。 項目來源：橫向項目 技術領域：信息技術 應用范圍：航空航天光電探測領域 現狀特點：國內領先 技術創新： 本技術將光學設計、結構設計、有限元分析、光

產品概述： 磁光克爾效應測量系統磁學測量儀器  您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！   磁光克爾效應裝置是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結構的理想測量工具。旋轉磁光克爾效應（RotMOKE）是在磁光克爾效應測量基礎上的一種類似于轉矩測量各向異性的實驗方法，可以定量的得到樣品的磁各向異性的值。但由于電磁鐵磁場大小的限制，只適合于測量磁各向異性的易軸在膜面內而且矯頑場不太大的磁性薄膜材料。結合源表可以進行樣品的磁輸運性能測量。RotMOKE具有以下特點：測量精度高、測量時間短；非接觸式測量，是一種無損測量；測量范圍為一個點，可以測量同一樣品不同部位的磁化情況；可以產生平滑、穩定的受控磁場，并且磁場平滑過零。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 磁光克爾效應測量系統磁學測量儀器 應用領域： 磁光克爾效應測量系統廣泛應用于諸如磁性納米技術、自旋電子學、磁性薄膜、磁性隨機存儲器、GMR/TMR等磁學領域。 可測試材料：記錄磁頭，磁性薄膜，特殊磁介質，磁場傳感器  技術指標: 1· 樣品尺寸：大Φ10mm的圓 2· 克爾角分辨率（δ）：0.001度； 3·橢偏率分辨率（ε）：0.1%； 4·小光斑（Φ）：10微米； 5· 大磁場：單維0.26特斯拉； 6· 樣品電動角度步進0.1度，手動位移步進10微米； 7·噪音：1%。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 作為北京高科技企業，錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。