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本項目主要開展納微結(jié)構(gòu)體系光子帶隙的設(shè)計、納微結(jié)構(gòu)體系的光學非線性效應(yīng)、光波傳播動力學以及光控光操作應(yīng)用等方面的研究，發(fā)展在介觀尺度下調(diào)控光子傳輸行為的新效應(yīng)、新原理與新技術(shù)。已在Physical Review Letters、Optics Letters、Applied Physics Letters和Optics Express等國內(nèi)外重要學術(shù)刊物上發(fā)表論文30余篇。其中有關(guān)鐵鋯雙摻鈮酸鋰晶體的相關(guān)成果被《Science Archived》收錄，有關(guān)非傳統(tǒng)偏壓配置條件下各種非線性光子學晶格的制備

本實用新型公開了一種分布式光感卡盤安全扳手，包括從上至下依次固定相連的手柄、上扳手體和 下扳手體，所述手柄上設(shè)有至少一個光感傳感器，所述下扳手體底部設(shè)有方形軸，所述下扳手體內(nèi)部設(shè) 有電源、控制器和蜂鳴器，所述方形軸內(nèi)底部設(shè)有光感傳感器，所述手柄上和方形軸內(nèi)光感傳感器的信 號均接入控制器，通過控制器接收信號判斷卡盤安全扳手所處狀態(tài)，來控制蜂鳴器是否報警。本實用新 型原理簡單，使用、維護方便，可有效的

光掩膜版(又稱光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中實現(xiàn)設(shè)計圖形轉(zhuǎn)移的載體，是決定其微細結(jié)構(gòu)和線寬精度的核心材料和工具。 目前中國半導體掩膜版的國產(chǎn)化率10%左右，90%需要進口，高端掩膜版國產(chǎn)化率3%，miniLED和microLED產(chǎn)業(yè)升級也需要更多高端掩膜版。隨著中國市場需求的持續(xù)提升，掩膜版產(chǎn)能嚴重不足。并且中國半導體掩膜版的產(chǎn)業(yè)起步較晚，技術(shù)滯后，核心技術(shù)和裝備基本讓國外公司壟斷，特別是在設(shè)備、材料領(lǐng)域眾多技術(shù)處于“卡脖子”狀態(tài)，例如掩膜版制造的核心裝備光刻機、檢測機、測量機、修復機和貼膜機等都依賴進口，嚴重制約中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。華中科技大學徐智謀教授團隊致力于全套高端半導體光掩膜版的關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)與量產(chǎn)，為“卡脖子”技術(shù)研究而努力。 具有建立180 nm技術(shù)節(jié)點半導體掩膜版量產(chǎn)線相關(guān)核心技術(shù)；具備130 nm至28 nm半導體掩膜版研發(fā)、設(shè)計及驗證能力。主要研究成果如下： 1） 工藝突破 團隊掌握了掩膜版MEMS微納加工量產(chǎn)核心技術(shù)，如電子束光刻、激光光刻和納米壓印光刻等MEMS微納加工工藝的各類技術(shù)參數(shù)的搭配和優(yōu)化，以及大數(shù)據(jù)量軟件快速處理、補償?shù)取? 2） 裝備國產(chǎn)化 A. 超高精度二維測量裝備 尺寸測量是驗證掩膜版技術(shù)指標的核心，主要包括關(guān)鍵尺寸測量(CD)和長尺寸測量(TP)。團隊已掌握掩膜版的關(guān)鍵測量技術(shù)，達到國內(nèi)先進水平，具有整套設(shè)備的整機制造能力。 TP測量是掩膜版制作的核心指標，直接影響到客戶的套合精度，該測量設(shè)備一直由國外極少數(shù)廠商壟斷，且價格昂貴，一般在1000萬美元以上，高端限制對中國出口。團隊目前正在攻克該項技術(shù)，已取得階段性成果。 B. 缺陷修復裝備 掩膜版修補技術(shù)是提升良品率的關(guān)鍵手段，該技術(shù)一直為國外壟斷。團隊已熟練掌握UV、DUV激光化學沉積技術(shù)及皮秒飛秒激光金屬處理技術(shù)，具備整機制造能力，可降低設(shè)備采購成本70%以上。 C. Pellicle自動貼膜裝備 隨著產(chǎn)品精度的提升和應(yīng)用領(lǐng)域的高端化，掩膜版貼膜是個不可缺少的重要環(huán)節(jié)。在IC制造領(lǐng)域100%掩膜版需貼Pellicle，在IC封裝領(lǐng)域90%以上需貼膜，在LED領(lǐng)域80%以上需貼膜。該貼膜設(shè)備一直國外公司壟斷，國內(nèi)廠家沒有提供，國外采購全自動貼膜設(shè)備需100萬美元左右。團隊具備研發(fā)制造該設(shè)備的能力，貼膜精度±0.1mm,且有設(shè)備正式在產(chǎn)線運營，制造成本可節(jié)約90%以上。 3） 廠房建設(shè)關(guān)鍵技術(shù) 團隊對MEMS及其掩膜工廠工藝設(shè)備廠務(wù)設(shè)計有豐富經(jīng)驗，掌握高等級防微震廠房結(jié)構(gòu)和設(shè)備平臺的設(shè)計施工，可達到VC-D級技術(shù)標準，滿足納米級生產(chǎn)技術(shù)要求。 【技術(shù)優(yōu)勢】 （1）掌握了高性價比掩膜版量產(chǎn)的關(guān)鍵核心技術(shù)，包括部分裝備的國產(chǎn)化，解決“卡脖子”技術(shù)難題，量產(chǎn)線建設(shè)成本節(jié)約30%以上； （2）具備28 nm及以下技術(shù)節(jié)點掩膜版設(shè)計開發(fā)能力和驗證平臺，驗證周期可縮短3倍； （3）擁有一支20多年以上掩膜版量產(chǎn)、研發(fā)和銷售經(jīng)驗的隊伍，成熟的企業(yè)管理經(jīng)驗，保證企業(yè)穩(wěn)步成長，確保投資風險可控。 【合作方式】 股權(quán)投資合作共建或政府孵化+中試線。

本發(fā)明公開了一種混合集成電控液晶光開關(guān)陣列，包括：被混合集成的電控液晶聚光微透鏡陣列和電控液晶散光微透鏡陣列，每單元液晶聚光微透鏡與每單元液晶散光微透鏡的光軸重合；在加電態(tài)下，聚光微透鏡在不同均方幅度的電驅(qū)控信號作用下實施光束的可調(diào)焦聚光操作，散光微透鏡在不同均方幅度的電驅(qū)控信號作用下實施光束的可控發(fā)散程度散光操作；在斷電態(tài)下，液晶聚光微透鏡與散光微透鏡被轉(zhuǎn)換為僅延遲光波相位的液晶相移板；液晶聚光微透鏡與散光微透

本發(fā)明公開了一種光伏發(fā)電并網(wǎng)控制方法及系統(tǒng)。該方法一方 面利用光伏電池電壓，電流信息，根據(jù)電壓變化率，電流變化率以及 電導變化率將擾動法和增量電導法結(jié)合進行最大功率點跟蹤(MPPT) 控制，在溫度以及光照輻射強度變化時，實現(xiàn)對最大功率點的及時跟 蹤，提高光伏電池的輸出效率；另一方面采用多重控制策略，將并網(wǎng) 點的頻率、功率以及電壓作為控制量，能在光伏電池并網(wǎng)以及電網(wǎng)運 行狀態(tài)發(fā)生變化時進行實時動態(tài)響應(yīng)，從而實現(xiàn)對光伏發(fā)電并網(wǎng)運行 的控制。 

EVA膠膜封裝是太陽能光伏電池重要的組件之一，通過封裝可以保護電池片和電極、提高電池的發(fā)電效率和耐久性。本產(chǎn)業(yè)化項目通過改善封裝材料的透光率、粘接強度及耐老化等性能提高太陽能電池的發(fā)電效率和延長使用壽命，降低光伏發(fā)電成本，制備使用壽命可達30年、低成本高性能EVA膠膜。已實現(xiàn)工程化，可提供全套解決方案，包括配方、技術(shù)工藝、生產(chǎn)線設(shè)備定制等全套技術(shù)。建成示范生產(chǎn)線1條.

 本項目針對光伏發(fā)電分散式接入電網(wǎng)的模式，設(shè)計了對電網(wǎng)友好可控的帶儲能裝置的多端口變換器光儲一體能源系統(tǒng)。應(yīng)用環(huán)境有公共建筑、工業(yè)廠房和居民家庭等有公共電網(wǎng)的地方，或者無公共電網(wǎng)但有電力需求的地方如偏遠山區(qū)、海島等，該光儲能源系統(tǒng)能夠經(jīng)過自我調(diào)節(jié)和控制與大電網(wǎng)互為支撐，向重要負載不間斷供電等功能。 本項目成功開發(fā)50Kw光儲一體能源系統(tǒng)，系統(tǒng)含有光伏端口、電池端口和交流端口，光伏組件通過Boost變換器接入直流母線；蓄電池通過雙向DC/DC變換器也接在直流母線上；變換器的交流端口可以接電網(wǎng)，也能為三相負載供電，逆變器采用三相四線制結(jié)構(gòu)，直流母線分裂電容的電壓均衡由均壓橋臂（S11，S12）平衡。本系統(tǒng)有三大特征：采用雙路光伏MPPT輸入，使安裝在不同方向的光伏陣列最大限度獲取太陽能；能量采用直流母線匯聚形式，降低了系統(tǒng)損耗和效率；負載接口分為重要負載和可控負載接口，確保系統(tǒng)維持對重要負載的供電，實現(xiàn)能量的平衡自治。 項目具有重大的科研價值，項目成功實現(xiàn)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化，將應(yīng)用于海南某小區(qū)幾個單元的供電系統(tǒng)，實現(xiàn)能量自給自足、余電上網(wǎng)模式，開啟綠色環(huán)保、低碳節(jié)能的新用電方式。

成果簡介：在航空航天領(lǐng)域，光電儀器受溫度影響會產(chǎn)生像移，成像質(zhì)量會 變差，影響探測。本技術(shù)將光學設(shè)計、結(jié)構(gòu)設(shè)計、有限元分析、光學表面自由曲面面型擬合結(jié)合起來，可以分析在恒溫和瞬態(tài)溫度變化的情況下，成像 質(zhì)量的變化，進而給溫控提供準確的技術(shù)方案和技術(shù)途徑。 項目來源：橫向項目 技術(shù)領(lǐng)域：信息技術(shù) 應(yīng)用范圍：航空航天光電探測領(lǐng)域 現(xiàn)狀特點：國內(nèi)領(lǐng)先 技術(shù)創(chuàng)新： 本技術(shù)將光學設(shè)計、結(jié)構(gòu)設(shè)計、有限元分析、光

產(chǎn)品概述： 磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng)磁學測量儀器  您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！   磁光克爾效應(yīng)裝置是一種基于磁光效應(yīng)原理設(shè)計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結(jié)構(gòu)的理想測量工具。旋轉(zhuǎn)磁光克爾效應(yīng)（RotMOKE）是在磁光克爾效應(yīng)測量基礎(chǔ)上的一種類似于轉(zhuǎn)矩測量各向異性的實驗方法，可以定量的得到樣品的磁各向異性的值。但由于電磁鐵磁場大小的限制，只適合于測量磁各向異性的易軸在膜面內(nèi)而且矯頑場不太大的磁性薄膜材料。結(jié)合源表可以進行樣品的磁輸運性能測量。RotMOKE具有以下特點：測量精度高、測量時間短；非接觸式測量，是一種無損測量；測量范圍為一個點，可以測量同一樣品不同部位的磁化情況；可以產(chǎn)生平滑、穩(wěn)定的受控磁場，并且磁場平滑過零。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng)磁學測量儀器 應(yīng)用領(lǐng)域： 磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于諸如磁性納米技術(shù)、自旋電子學、磁性薄膜、磁性隨機存儲器、GMR/TMR等磁學領(lǐng)域。 可測試材料：記錄磁頭，磁性薄膜，特殊磁介質(zhì)，磁場傳感器  技術(shù)指標: 1· 樣品尺寸：大Φ10mm的圓 2· 克爾角分辨率（δ）：0.001度； 3·橢偏率分辨率（ε）：0.1%； 4·小光斑（Φ）：10微米； 5· 大磁場：單維0.26特斯拉； 6· 樣品電動角度步進0.1度，手動位移步進10微米； 7·噪音：1%。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 作為北京高科技企業(yè)，錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對外以商務(wù)平臺方式實現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學管理的現(xiàn)代化經(jīng)營模式，專門從事物理、化學和材料等領(lǐng)域的科學儀器研發(fā)、銷售各類型超低溫測試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統(tǒng)，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。    

335mm×200mm×95mm，光罩φ35mm×160mm，工作電壓DC6V/0.3A，內(nèi)外接電源均可，三色光可單獨或合并工作，可合成白光。