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光伏建筑一體化可調度式分布式發電裝置
在國內，可調度式并網發電系統中現有充電機產品大多只具備通過光伏充電的基本充電功能，不具備由電網雙向功率轉換功能。且目前基本應用中也大都未考慮并網發電系統與電網能量、信息雙向流動的功能。這一項目的實施將為我省光伏并網發電系統與電網互動提供思路；為實現高性價比的并網發電裝置模塊化提供技術；為我省智能電網提供高效服務作探索；為我省光伏建筑分布式發電提供方案。與江蘇領先電子有限公司合作，成果產品已完成小試，在江蘇領先電子有限公司研發實驗樓頂試運行1年，已具備產業化能力。產品中申請中國發明專利4項，其中授權1
揚州大學
2021-04-14
一種參數可調的無衍射柵型結構光產生方法和裝置
本發明公開了一種無衍射柵型結構光實現方法，包括：(1)將激光器發出的激光光束經過空間濾波準直器進行空間濾波準直，形成平行光束；(2)通過分光鏡將所述平行光束分為兩束相干光；(3)通過兩對稱布置且旋轉可調的平面反射鏡，使兩束相干光分別被對應的平面反射鏡反射，得到反射后的第一光束和第二光束；(4)使兩光束交匯以產生干涉，并通過旋轉平面反射鏡，使通過兩束光束的交匯夾角發生改變，從而即可獲得無衍射柵型結構光條紋。本發明還公開了一種無衍射柵型結構光實現裝置。本發明可以產生條紋寬度、無衍射范圍及無衍射傳播距離可
華中科技大學
2021-04-14
東南大學李全團隊在光免疫腫瘤治療方面取得重要研究突破
近日，東南大學智能材料研究院院長、首席科學家、化學化工學院李全團隊在細胞焦亡介導的光動力和光熱協同免疫腫瘤治療方面取得重要突破。
東南大學
2023-07-11
一種同軸送絲熔敷激光頭的光路分光單元
本發明公開了一種同軸送絲熔敷激光頭的光路分光單元，該分 光單元主要包括：準直鏡，前四分光透鏡，后四分光透鏡，聚焦透鏡 和金屬斜平面反射鏡。該單元目的是將準直后的激光束通過兩面相對 位置固定的四分光透鏡按照激光能量，平均分為水平面上中心對稱的 四束光路，分離后的光束通過聚焦透鏡聚焦，經過金屬斜平面反射鏡 聚焦至焦點，光路中空部分嵌入送絲機構，使光路焦點最終聚焦在焊 絲上，實現高精度、高質量、全方向的同軸送絲。
華中科技大學
2021-04-14
一種 IQ 光調制器偏置電壓的控制系統及方法
本發明公開了一種 IQ 光調制器偏置電壓控制系統及方法，該控 制系統包括順次連接的激光光源、偏振控制器、IQ 光調制器、光耦合 器、光電探測器、數據處理模塊，IQ 光調制器的輸出經光耦合器分光 后連接到光電探測器，其輸出與數據處理模塊的輸入相連，數據處理 模塊的三個輸出分別送至 IQ 光調制器的三個子調制器的直流偏置電 壓輸入端口。該控制方法為首先通過測量輸出光功率的最大值及相鄰 最小值，優化子相位調制器的偏壓，然后
華中科技大學
2021-04-14
一種太陽灶聚光式光伏光熱發電綜合利用裝置
（專利號：ZL 201410182973.1） 簡介：本發明公開了一種太陽灶聚光式光伏光熱發電綜合利用裝置，屬于太陽能利用技術領域。本發明的一種太陽灶聚光式光伏光熱發電綜合利用裝置包括光伏光熱溫差發電鍋爐、聚光式太陽灶和太陽灶及鍋爐支架組件，聚光式太陽灶將收集到的太陽光反射給光伏光熱溫差發電鍋爐；頂部光伏發電組件和底部光伏發電集熱器分別位于爐體的頂端和底端，底部光伏發電集熱器與爐體之間還設置有溫差發電片，均用于太陽能光伏發電；爐體底端中心
安徽工業大學
2021-01-12
一種太陽灶式光伏-光熱-溫差發電綜合利用系統
（專利號：ZL 201510044647.9） 簡介：本發明公開了一種太陽灶式光伏?光熱?溫差發電綜合利用系統，屬于太陽能利用領域。本發明的太陽灶式光伏?光熱?溫差發電綜合利用系統，包括光熱采集系統、水路循環系統和雙面集熱器，光熱采集系統中的伸縮桿與置物圈把柄鉸連，通過置物圈把柄與伸縮桿使置物圈與聚光太陽灶的外圓口所在面平行設置；在置物圈上安裝有雙面集熱器，該雙面集熱器由上部光伏組件、中部集熱總成和下部光伏組件組成，且雙面集熱器通過通水管
安徽工業大學
2021-01-12
立體易SCAN-P8全自動結構光3D掃描儀
產品詳細介紹
廣州市網能產品設計有限公司
2021-08-23
關于發布后摩爾時代新器件基礎研究重大研究計劃2023年度項目指南的通告
本重大研究計劃面向芯片自主發展的國家重大戰略需求，以芯片的基礎問題為核心，旨在發展后摩爾時代新器件和計算架構，突破芯片算力瓶頸，促進我國芯片研究水平的提升，支撐我國在芯片領域的科技創新。
國家自然科學基金委員會
2023-02-14
高性能光譜選擇性吸波元件及太陽能熱光伏系統
本發明公開了一種高性能光譜選擇性吸波元件及太陽能熱光伏系統，包括金屬基底、低折射率介質第一薄膜、高折射率半導體納米方塊陣列、低折射率介質第二薄膜和低折射率介質第三薄膜；低折射率介質第一薄膜均勻覆蓋在金屬基底上，其上構建棋盤狀周期排列的高折射率半導體納米方塊陣列，在高折射率半導體納米方塊陣列之間填充低折射率介質第二薄膜，在其頂部覆蓋低折射率介質第三薄膜。本發明通過對金屬表面介質薄膜的結構設計，獲得良好的光譜選擇性；通過選擇不同的金屬、半導體、介質材料，和（或）改變結構參數，實現靈活的截止波長調控及光譜選擇性；本發明同樣適用于耐高溫的金屬、半導體、介質材料，可在太陽能熱光伏系統中得到廣泛應用。
浙江大學
2021-04-11