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EM系列電磁鐵大學物理磁效應激光實驗電磁鐵直流磁場發(fā)生器
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北京錦正茂科技有限公司自主研發(fā)的電磁鐵，可以通過更換電磁鐵極頭在一定范圍內改善磁場的大小和磁場的均勻度 ，并且可以通過調整極頭間距改變磁場的大小，該種類型的電磁鐵能夠很好的與客戶設計的磁場平臺兼容。主要用于磁滯現(xiàn)象研究、磁化系數(shù)測量、霍爾效應研究、磁光實驗、磁場退火、核磁共振、電子順磁共振、生物學研究、磁性測量、磁性材料取向、磁性產品磁化等研究。
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作為北京高科技企業(yè)，錦正科技以現(xiàn)代高科技產業(yè)和傳統(tǒng)產業(yè)為核心業(yè)務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現(xiàn)軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現(xiàn)代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發(fā)、銷售各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子*（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統(tǒng)，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統(tǒng)等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。
錦正茂始終秉承“誠信、合作、創(chuàng)造、共贏”的經營理念，將現(xiàn)代化管理技術引入到產品生產與管理中，通過新的軍民融合平臺建設，形成具有一定市場競爭優(yōu)勢的高科技企業(yè)；其次，公司逐步形成以現(xiàn)代化高科技產業(yè)化帶動企業(yè)價值增張的商業(yè)模式，堅持“與時俱進，科技創(chuàng)新”的思路，彰顯業(yè)務的核心優(yōu)勢，共創(chuàng)新的戰(zhàn)略制高點。
北京錦正茂科技有限公司
2022-05-11
DT640硅二極管溫度傳感器低溫溫度測量裸片溫度計
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-01-21
DT640硅二極管溫度計溫度傳感器低溫測量儀器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-21
DT640硅二極管溫度計溫度傳感器低溫測量儀器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-04-11
關于組織開展2023年山西省省級科技企業(yè)孵化器申報和績效評價工作的通知
為貫徹落實黨的二十大精神，加快實施創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略，加快實現(xiàn)高水平科技自立自強，促進創(chuàng)業(yè)孵化機構體系化、專業(yè)化建設，推動科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)高質量發(fā)展，形成示范帶動效應，現(xiàn)開展2023年山西省省級科技企業(yè)孵化器認定工作，有關事項通知如下
山西省科技廳國際與區(qū)域科技合作處
2023-07-20
用于同時檢測CU2+ Ｐb2+ Cd2+的陣列式薄膜傳感器及其制備方法
本發(fā)明涉及用于同時檢測Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過激光脈沖沉積技術在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術把三個敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學領域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領域中對Cu2+,Pb2+,Cd2+同時進行定性和定量檢測.
東北電力大學
2021-04-30
一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結構不同的光子晶體疊加構成，其結構為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉換效率。制備工藝簡單。
河北師范大學
2021-05-03
一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法
本發(fā)明涉及壓力傳感器技術領域，特指一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底上設有淺槽一與淺槽二，淺槽一與淺槽二通過細槽連通，淺槽二中心位置設有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽二底面延至玻璃襯底底面，淺槽一上設有可測量低壓差的電容Ｃ１，淺槽二上設有可測量高壓差的電容Ｃ２，可測量低壓差的電容Ｃ１包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測量高壓差的電容Ｃ２包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔通過細槽與可測量低壓差的電容Ｃ１對應設置，淺槽通孔通過淺槽二與可測量高壓差的電容Ｃ２對應設置。本發(fā)明通過可測量低壓差的電容Ｃ１與可測量高壓差的電容Ｃ２分別實現(xiàn)了壓力在低壓段與高壓段的高精度測量。
東南大學
2021-04-11
一種基于開槽結構的四分之一模基片集成波導濾波器
本發(fā)明公開了一種基于開槽結構的四分之一模基片集成波導濾波器，包括四分之一模基片集成波導弧形腔，四分之一模基片集成波導弧形腔通過基片集成波導圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波導弧形腔包括介質基片，介質基片的上表面設有上金屬層，介質基片的下表面設有下金屬層，介質基片中沿四分之一模基片集成波導弧形腔的周向均勻分布有貫穿上金屬層和下金屬層的金屬通孔。本發(fā)明相對于傳統(tǒng)的基片集成波導圓形腔有效實現(xiàn)了小型化。并且，相對于傳統(tǒng)的多層結構，本發(fā)明結構簡單，加工方便。此外，相對于傳統(tǒng)的微帶結構，本發(fā)明的濾波器品質因數(shù)高，損耗小。
東南大學
2021-04-11
一種基于多核處理器的高速印花機圖像數(shù)據旋轉處理系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種基于多核處理器的高速印花機圖像數(shù)據旋轉處理系統(tǒng)，包括數(shù)據接收設備、數(shù)據解析處理設備、數(shù)據傳輸通道和數(shù)據輸出設備。本發(fā)明還公開了一種基于多核處理器的高速印花機圖像數(shù)據旋轉處理方法，其通過以太網接口接收數(shù)據，利用處理器的多個核并行處理數(shù)據，由FPGA實現(xiàn)數(shù)據的輸出。相比現(xiàn)有技術，本發(fā)明系統(tǒng)及方法能夠大大提高數(shù)據的旋轉效率以及吞吐量，從而實現(xiàn)數(shù)碼印花機的高效能產出。
浙江大學
2021-04-11