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特價(jià)供應(yīng)臺安變頻器N2-SERIES系列NDOP-01面板NDOP-02 T-VERTER
產(chǎn)品詳細(xì)介紹
特價(jià)供應(yīng)臺安變頻器N2-SERIES系列NDOP-01面板NDOP-02 T-VERTER
臺安變頻器N2-SERIES: 泛用型
N2-402-H3 、N2-402-M3、 SV3-402-M3、 E2-401-H3、 V2-405-M3、 N2-403-H3 N2-403-M3、 SV3-403-M3、 E2-402-H3、 V2-408-M3、 N2-405-H3、 N2-405-M3 SV3-405-M3、 E2-403-H3、 V2-410-M3、 N2-408-H3、 N2-408-M3、 SV3-408-M3 N2-420-H3、 V2-415-M3、 N2-410-H3、 N2-410-M3、 SV3-410-M3、 N2-430-H3 V2-420-M3、 N2-415-H3、 N2-415-M3、 SV3-415-M3、 V2-430-M3、 V2-425-M3 一、 臺安N2-SERIES - 泛用型交流變頻器N2系列通用變頻器 型號 功能 價(jià)格 N2-2P5-H 單/三相220V，0.4KW 1879 N2-201-H 單/三相220V，0.75KW 2** N2-202-M 單/三相220V，1.5KW 2594 N2-203-M 單/三相220V，2.2KW 3329 N2-401-M3 三相380V，0.75KW 3** N2-402-M3 三相380V，1.5KW 3275 N2-403-M3 三相380V，2.2KW 3948 N2-405-M3 三相380V，3.7KW 4747 N2-408-M3 三相380V，5.5KW 6587 N2-410-M3 三相380V，7.5KW 7283 N2-415-M3 三相380V，11KW 10502 N2-420-M3 三相380V，15KW 12229 N2-430-M3 三相380V，22KW
·輸出頻率最大400HZ，可控制高速電機(jī)
·高啟動轉(zhuǎn)矩
·18條固定V/F曲線，1條任意曲線配合轉(zhuǎn)據(jù)補(bǔ)償功能，提供100％－150%的啟動轉(zhuǎn)矩
·全面的保護(hù)特性
·8段速控制，可配合內(nèi)部時間設(shè)定，實(shí)現(xiàn)順序控制
·2線/3線制控制
·2段加/減速時間設(shè)定
·2段S曲線設(shè)定
·3段跳躍頻率
·自動電壓調(diào)節(jié)（AVR）功能設(shè)定
·頻率上/下限設(shè)定
·控制信號本地/遠(yuǎn)程切換功能
東莞市榮達(dá)機(jī)電專業(yè)代理銷售臺安變頻器,臺安變頻器維修,臺安變頻器說明書,臺安變頻器操作手冊,臺安變頻器使用手冊,臺安變頻器資料,臺安變頻器價(jià)格,臺安變頻器配件,臺安變頻器面板,臺安變頻器風(fēng)扇,T-VERTER變頻器,臺安變頻器代理商,臺安變頻器經(jīng)銷商,臺安變頻器公司,無錫臺安變頻器,東莞臺安變頻器,深圳臺安變頻器,廣州臺安變頻器,佛山臺安變頻器,珠海臺安變頻器,中山臺安變頻器,廣東臺安變頻器,廣西臺安變頻器,臺安變頻器維修中心,臺安變頻器安裝調(diào)試維修維護(hù)現(xiàn)場培訓(xùn)應(yīng)用服務(wù)中心.
東莞市榮達(dá)機(jī)電設(shè)備有限公司
2021-08-23
EM系列電磁鐵大學(xué)物理磁效應(yīng)激光實(shí)驗(yàn)電磁鐵直流磁場發(fā)生器
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北京錦正茂科技有限公司自主研發(fā)的電磁鐵，可以通過更換電磁鐵極頭在一定范圍內(nèi)改善磁場的大小和磁場的均勻度 ，并且可以通過調(diào)整極頭間距改變磁場的大小，該種類型的電磁鐵能夠很好的與客戶設(shè)計(jì)的磁場平臺兼容。主要用于磁滯現(xiàn)象研究、磁化系數(shù)測量、霍爾效應(yīng)研究、磁光實(shí)驗(yàn)、磁場退火、核磁共振、電子順磁共振、生物學(xué)研究、磁性測量、磁性材料取向、磁性產(chǎn)品磁化等研究。
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作為北京高科技企業(yè)，錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對外以商務(wù)平臺方式實(shí)現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營模式，專門從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷售各類型超低溫測試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機(jī)系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子*（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統(tǒng)，電輸運(yùn)測量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺，電輸運(yùn)，電磁鐵的廠家之一。
錦正茂始終秉承“誠信、合作、創(chuàng)造、共贏”的經(jīng)營理念，將現(xiàn)代化管理技術(shù)引入到產(chǎn)品生產(chǎn)與管理中，通過新的軍民融合平臺建設(shè)，形成具有一定市場競爭優(yōu)勢的高科技企業(yè)；其次，公司逐步形成以現(xiàn)代化高科技產(chǎn)業(yè)化帶動企業(yè)價(jià)值增張的商業(yè)模式，堅(jiān)持“與時俱進(jìn)，科技創(chuàng)新”的思路，彰顯業(yè)務(wù)的核心優(yōu)勢，共創(chuàng)新的戰(zhàn)略制高點(diǎn)。
北京錦正茂科技有限公司
2022-05-11
DT640硅二極管溫度傳感器低溫溫度測量裸片溫度計(jì)
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢。
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特點(diǎn)：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-01-21
DT640硅二極管溫度計(jì)溫度傳感器低溫測量儀器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-21
DT640硅二極管溫度計(jì)溫度傳感器低溫測量儀器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢。
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特點(diǎn)：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達(dá)：75V；
※ 損壞前電流高達(dá)：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-04-11
關(guān)于組織開展2023年山西省省級科技企業(yè)孵化器申報(bào)和績效評價(jià)工作的通知
為貫徹落實(shí)黨的二十大精神，加快實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，加快實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)，促進(jìn)創(chuàng)業(yè)孵化機(jī)構(gòu)體系化、專業(yè)化建設(shè)，推動科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，形成示范帶動效應(yīng)，現(xiàn)開展2023年山西省省級科技企業(yè)孵化器認(rèn)定工作，有關(guān)事項(xiàng)通知如下
山西省科技廳國際與區(qū)域科技合作處
2023-07-20
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用于同時檢測CU2+ Ｐb2+ Cd2+的陣列式薄膜傳感器及其制備方法
本發(fā)明涉及用于同時檢測Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對Cu2+,Pb2+,Cd2+同時進(jìn)行定性和定量檢測.
東北電力大學(xué)
2021-04-30
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一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡單。
河北師范大學(xué)
2021-05-03
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一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法
本發(fā)明涉及壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，特指一種寬量程高精度集成雙膜電容式壓力傳感器及制作方法，包括玻璃襯底，玻璃襯底上設(shè)有淺槽一與淺槽二，淺槽一與淺槽二通過細(xì)槽連通，淺槽二中心位置設(shè)有淺槽通孔，淺槽通孔從淺槽二底面延至玻璃襯底底面，淺槽一上設(shè)有可測量低壓差的電容Ｃ１，淺槽二上設(shè)有可測量高壓差的電容Ｃ２，可測量低壓差的電容Ｃ１包括底電極板與薄壓力敏感膜，可測量高壓差的電容Ｃ２包括厚壓力敏感膜與頂電極板，淺槽通孔通過細(xì)槽與可測量低壓差的電容Ｃ１對應(yīng)設(shè)置，淺槽通孔通過淺槽二與可測量高壓差的電容Ｃ２對應(yīng)設(shè)置。本發(fā)明通過可測量低壓差的電容Ｃ１與可測量高壓差的電容Ｃ２分別實(shí)現(xiàn)了壓力在低壓段與高壓段的高精度測量。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種基于開槽結(jié)構(gòu)的四分之一?；刹▽?dǎo)濾波器
本發(fā)明公開了一種基于開槽結(jié)構(gòu)的四分之一?；刹▽?dǎo)濾波器，包括四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔，四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔通過基片集成波導(dǎo)圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔包括介質(zhì)基片，介質(zhì)基片的上表面設(shè)有上金屬層，介質(zhì)基片的下表面設(shè)有下金屬層，介質(zhì)基片中沿四分之一?；刹▽?dǎo)弧形腔的周向均勻分布有貫穿上金屬層和下金屬層的金屬通孔。本發(fā)明相對于傳統(tǒng)的基片集成波導(dǎo)圓形腔有效實(shí)現(xiàn)了小型化。并且，相對于傳統(tǒng)的多層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，加工方便。此外，相對于傳統(tǒng)的微帶結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的濾波器品質(zhì)因數(shù)高，損耗小。
東南大學(xué)
2021-04-11