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一種面向芯片級器件的焊點(diǎn)制備方法及裝置
本發(fā)明公開了一種面向芯片級器件的焊點(diǎn)制備裝置，包括：溶液容器，用于提供焊料溶液；流量分配器，其上設(shè)置有陣列布置的多個噴嘴，其與溶液容器連通，焊料溶液通過噴嘴噴出；器件固定板，其通過一底板固定在噴嘴下方，其上平鋪有待制備焊點(diǎn)的器件，且該器件固定板與噴嘴通過高壓發(fā)生器相連，兩者之間形成高壓電場；還包括管芯模，其包括呈陣列布置的多個管芯，且各管芯一一對應(yīng)配合插裝在噴嘴中，在各噴嘴和管芯之間的空隙內(nèi)形成容納焊料溶液的空間，在電場的作用下，焊料溶液通過該噴嘴中的空間進(jìn)行流量分配后噴出形成噴點(diǎn)或噴絲，滴落于器件
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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安徽大學(xué)在氮化鎵功率器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展
近日，我校物質(zhì)科學(xué)與信息技術(shù)研究院唐曦教授課題組與電氣工程與自動化學(xué)院胡存剛教授、曹文平教授課題組在氮化鎵功率器件領(lǐng)域取得最新研究進(jìn)展，在氮化鎵GaNHEMT方向取得突破。
安徽大學(xué)
2022-06-01
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高性能系列鈮酸鋰、鉭酸鋰晶體和光電器件
光電晶體及其器件作為激光技術(shù)的關(guān)鍵材料和器件，被諸多國家 列為優(yōu)先發(fā)展的技術(shù)領(lǐng)域。本項(xiàng)目在國家 863 計(jì)劃、天津市重大科技 攻關(guān)、國防科工局民口配套等項(xiàng)目支持下，瞄準(zhǔn)國家需求，圍繞產(chǎn)品 化關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，取得了以下主要科技創(chuàng)新： （1）自主設(shè)計(jì)基于經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)庫的智能計(jì)算機(jī)晶體生長自動控制 系統(tǒng)，并開發(fā)了晶體生長成套裝備，應(yīng)用于多種晶體生長，得到批量 推廣應(yīng)用。 （2）發(fā)展了兩種非固液同成分共熔配比晶體的制備方法，實(shí)現(xiàn) 了 SLN 晶體和 SLT 晶體的批量、廉價(jià)制備。 （3）開發(fā)了寬溫度范圍工作鈮酸鋰電光調(diào) Q 晶體及電光調(diào) Q 開 關(guān)，在-55℃～70℃溫度區(qū)間穩(wěn)定工作，大幅提高了軍用激光系統(tǒng)的溫 度穩(wěn)定性。（4）以高溫度穩(wěn)定性電光調(diào) Q 開關(guān)為核心技術(shù)自主研發(fā)的系列 高溫度穩(wěn)定性鈮酸鋰電光調(diào) Q 激光系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)和應(yīng)用。 （5）開發(fā)了滿足激光雷達(dá)等長期在線工作的低內(nèi)電場鈮酸鋰電 光調(diào) Q 晶體和電光調(diào) Q 開關(guān)。 （6）開發(fā)了高抗光損傷閾值的鉭酸鋰電光調(diào) Q 晶體和電光調(diào) Q 開關(guān)，典型 1064nm 波段的激光損傷閾值比鈮酸鋰晶體提高兩個數(shù)量 級以上，且能夠滿足軍工寬溫度范圍要求。
南開大學(xué)
2021-04-13
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面向物聯(lián)網(wǎng)的砷化鎵基具有熱電轉(zhuǎn)換功能的MESFET器件
本發(fā)明提供的一種面向物聯(lián)網(wǎng)的砷化鎵基具有熱電轉(zhuǎn)換功能的MESFET器件，主要包括MESFET和熱電偶。MESFET選擇半絕緣的GaAs作為襯底，通過GaAs工藝和MEMS表面微機(jī)械加工實(shí)現(xiàn)具有能量轉(zhuǎn)換功能的MESFET。在源漏柵的金層四周制作一層二氧化硅，化學(xué)機(jī)械拋光后，制作熱電偶的金屬Au型熱電臂和砷化鎵型熱電臂，蒸金連接兩種熱電偶臂，將源漏柵的熱電偶電極進(jìn)行金屬連線，留下兩個熱電偶電極作為塞貝克電壓的輸出極。該砷化鎵基具有熱電轉(zhuǎn)換功能的MESFET器件根據(jù)塞貝克效應(yīng)，可以將器件工作產(chǎn)生的熱能轉(zhuǎn)換為電能，實(shí)現(xiàn)能量收集的同時(shí)緩解了散熱問題。通過檢測輸出塞貝克電壓的大小來實(shí)現(xiàn)對熱耗散功率大小的檢測。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種基于有源和無源器件的小型力觸覺再現(xiàn)方法
本發(fā)明公開了一種基于有源和無源器件的小型力觸覺再現(xiàn)方法，步驟如下：首先進(jìn)行磁流變阻尼器和直流電機(jī)的標(biāo)定，獲得輸入電流和輸出力矩的關(guān)系；將預(yù)期力/力矩?cái)?shù)值轉(zhuǎn)換成磁流變阻尼器的電流輸入，由磁流變阻尼器輸出相應(yīng)力矩，再經(jīng)力觸覺傳遞裝置作用于操作人員身體；其次，安裝在力/力矩作用點(diǎn)的傳感器測量實(shí)際作用的力/力矩，比較實(shí)際輸出與預(yù)期力/力矩?cái)?shù)值，計(jì)算力/力矩誤差；最后，將力/力矩誤差轉(zhuǎn)換成直流電機(jī)的輸入信號，驅(qū)動直流電機(jī)產(chǎn)生誤差所對應(yīng)的力矩；本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)小型器件輸出大范圍、高精度力/力矩，使得力觸覺再現(xiàn)設(shè)備更加輕便、小巧，提升了力觸覺交互的逼真度；可廣泛應(yīng)用于虛擬現(xiàn)實(shí)、遙操作機(jī)器人控制、醫(yī)療等領(lǐng)域。
東南大學(xué)
2021-04-11
一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法
本發(fā)明提供一種柔性電子器件薄膜晶體管的制備方法，包括：（1）準(zhǔn)備可彎曲和拉伸的基板；（2）拉伸所述基板，并在拉伸后的橡膠基板表面涂覆粘合劑；（3）在所述基板上沉積柵極；（4）在經(jīng)步驟（3）處理后的器件上沉積有機(jī)介電層單元；（5）在所述有機(jī)介電層單元上分別沉積源極單元層和漏極單元層；（6）基板松弛，釋放作用在基板上的載荷，并進(jìn)行熱處理，以消除界面應(yīng)力和器件的壓應(yīng)力；（7）沉積有機(jī)半導(dǎo)體層單元。本方法通過一種機(jī)械拉伸基板的方法減小器件的溝道寬度，有效提高了制造精度，提升了柔性電子器件的分辨
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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一種基于有序排列扭曲結(jié)構(gòu)柔性可拉伸器件的制備方法
本發(fā)明屬于柔性器件制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種基于有序排列扭曲結(jié)構(gòu)柔性可拉伸器件的制備方法，先將柔性高分子襯底進(jìn)行預(yù)拉伸后固定在玻璃片上，并在預(yù)拉伸后的柔性高分子襯底的四個邊緣處制備電極；然后將柔性高分子襯底放置在接電源負(fù)極的環(huán)形金屬收集極上作為收集襯底，將經(jīng)過加工的中空不銹鋼針作為紡絲噴頭；將紡絲溶液注入到紡絲溶液容器中進(jìn)行電紡；再將柔性高分子襯底水平轉(zhuǎn)動90°繼續(xù)電紡后從玻璃片上取下，得到基于有序排列扭曲結(jié)構(gòu)的柔性可拉伸器件；其制備工藝簡單，操作方便，制備的柔性可拉伸器件能分別或同時(shí)實(shí)現(xiàn)柔性可拉伸器件二維方向應(yīng)力拉伸，且在兩個方向上均能較精確的實(shí)現(xiàn)材料的預(yù)應(yīng)變控制，適用范圍廣
青島大學(xué)
2021-04-13
一種基于有序排列扭曲結(jié)構(gòu)柔性可拉伸器件的制備方法
本發(fā)明屬于柔性器件制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種基于有序排列扭曲結(jié)構(gòu)柔性可拉伸器件的制備方法，先將柔性高分子襯底進(jìn)行預(yù)拉伸后固定在玻璃片上，并在預(yù)拉伸后的柔性高分子襯底的四個邊緣處制備電極；然后將柔性高分子襯底放置在接電源負(fù)極的環(huán)形金屬收集極上作為收集襯底，將經(jīng)過加工的中空不銹鋼針作為紡絲噴頭；將紡絲溶液注入到紡絲溶液容器中進(jìn)行電紡；再將柔性高分子襯底水平轉(zhuǎn)動90°繼續(xù)電紡后從玻璃片上取下，得到基于有序排列扭曲結(jié)構(gòu)的柔性可拉伸器件；其制備工藝簡單，操作方便，制備的柔性可拉伸器件能分別或同時(shí)實(shí)現(xiàn)柔性可拉伸器件二維方向應(yīng)力拉伸，且在兩個方向上均能較精確的實(shí)現(xiàn)材料的預(yù)應(yīng)變控制，適用范圍廣。
青島大學(xué)
2021-04-13
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液體分析測量超高靈敏度光纖折射率傳感器件
項(xiàng)目簡介 本成果提出基于微結(jié)構(gòu)芯填充技術(shù)和非對稱耦合理論的光纖折射率傳感器，可以檢 測水溶液等低折射率樣本的成份、含量、比例等特性，具有靈敏度高、適用液體范圍廣、 檢測極限低的特點(diǎn)。已授權(quán)發(fā)明專利 1 項(xiàng)（ZL201110356530.6）。 性能指標(biāo) （1）靈敏度達(dá)到 1×104 nm/RIU。 （2）檢測極限達(dá)到 1×10-7 RIU。 適用范圍、市場前景 適用范圍：生物、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域?qū)ξ⒘砍煞值臋z測與分析，基于溫度調(diào)諧的超靈敏度 濾波器。 市場前景：光纖
江蘇大學(xué)
2021-04-14
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高可靠性高中低壓超級結(jié)汽車功率電子器件
復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室引進(jìn)了多名來自英飛 凌公司器件部門的歸國人才，其中上海市千人計(jì)劃引進(jìn)人才 2 人，國 家萬人計(jì)劃中青年科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才 1 人。近年來引進(jìn)人才在集成電 路新型器件研究方向取得了多項(xiàng)處于國際領(lǐng)先水平的器件技術(shù)。比如 2013 年發(fā)表在美國《科學(xué)》雜志上的半浮柵器件，是國內(nèi)首次發(fā)表 在這類高水平雜志上的原創(chuàng)成果。主要技術(shù):1) 新型低壓超級結(jié)結(jié)構(gòu)及制造專利技術(shù)2)
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12