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本項目針對目前國內撓性印制線路板及材料在生產及應用中存在的問題，在研究團隊前期開發的高模 低縮聚酰亞胺薄膜配方體系的基礎上，從市場需求及產業化的角度，優選具有顯著分子間相互作用力的體 系，開展聚合物前驅體聚酰胺酸膠液的實驗室小試、中試及產業化規模制備、膠液流延和薄膜制備過程中 的關鍵技術研究，獲得一套穩定可靠的產業化工藝參數，制備具有自主知識產權的新型高模低縮聚酰亞胺 薄膜產品，打破該產品國外壟斷的局面。

本項目揭示了采動影響區內頂板巖層裂隙 的動態演化規律和采空區側“豎向裂隙發育區” 的形成規律；研制了新型充填材料；創新了無 煤柱快速沿空留巷、Y型通風、留巷鉆孔抽采 卸壓瓦斯等關鍵技術，解決了煤與瓦斯共采的 關鍵技術難題。

相關研究工作已發表論文 3 篇，授權國家發明專利 3 項

簡介：本發明公開了一種基于氯化膽堿?木糖醇低共熔溶劑的電鍍錫方法，屬于電鍍技術領域。該方法首先將木糖醇、氯化膽堿和蒸餾水恒溫攪拌得到透明的低共熔溶劑，接著將氯化亞錫加入到低共熔溶劑中再恒溫攪拌得到含錫的低共熔溶劑，以此作為電鍍液；將純錫板作為陽極，低碳鋼作為陰極，浸入到電鍍液中進行恒電流電鍍。本發明鍍錫工藝安全無毒、環保節約，解決了氟硼酸鹽鍍錫、鹵化物鍍錫等工藝存在的環境污染問題。

本發明公開了一種均相制備低脫乙酰度羧基甲殼素的方法及其應用。首先將甲殼素加入到氫氧化鈉 和尿素的混合水溶液中制得均相甲殼素水溶液，再加入含羧基化試劑的水溶液在均相甲殼素水溶液里攪 拌反應，經后處理得到低脫乙酰度羧基甲殼素。本發明方法制備工藝簡單，產品取代度均勻易控，產率 高，且反應條件溫和，為環境友好的綠色工藝，利于大規模工業化生產;甲殼素基本上未降解，制得的 一些低脫乙酰度羧基甲殼素具有 pH 敏感性和溫度敏感性，可作為藥物載體材料使用。本發明制得的水 溶性高粘度產品為天然原材

該成果涉及食品生物等高新技術領域，是一種具有抑制腐敗作用的低值魚蛋白深度酶解的方法。通過創造性地在低值魚酶解過程中不斷通入凈化空氣或氧氣，抑制和殺滅引致水解物腐敗變質的厭氧菌；利用內切蛋白酶與外切蛋白酶的協同作用，明顯提高了魚蛋白水解效率，可得水解度大于65%，氮回收率大于85%的低值魚蛋白深度酶解液，顯著降低了低值魚酶解成本。 該成果避免現有技術采用化學殺菌劑所導致的對蛋白酶活性的抑制、化學殺菌劑殘留的問題，以及使用熱殺菌方法所導致的降低魚蛋白水解效率的問題，解決了低值魚酶解過程易

本發明提出了一種基于魯棒低秩張量的高光譜圖像去噪方法，包括建立高光譜圖像噪聲的數學模型， 構造高光譜圖像魯棒低秩張量（RLRTR）去噪模型，求解 RLRTR 去噪優化模型。本發明充分利用高光 譜圖像（HSI）的先驗知識，高光譜圖像被不同的噪聲污染，如高斯噪聲、脈沖噪聲、死像素和條帶噪 聲等。利用干凈的高光譜圖像數據具有潛在的低秩張量特性以及異常和非高斯噪聲具有稀疏性的特性， 同時分別采用核范數和 l2,1 范數來表征低秩和稀疏特性；本發明的技術

本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。 一、項目分類 重大科學前沿創新 二、成果簡介 基于新材料、新架構的硅基高密度集成信息功能器件的自主發展是國家重大戰略需求。本項目圍繞新型低維半導體材料的大規模可控制備、物性調控及其電子、光電器件展開系統研究，主要技術創新點有： 一、二維半導體材料及其異質結構的大規模可控制備。本項目提出并發展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。在晶圓級二維半導體材料的基礎上構建出大規模的二維異質結構，得到了具有高可靠性和穩定性的集成器件。相關成果發表在Science Advances、Advanced Materials等國際知名刊物上，共計40余篇，授權專利16項；與中國電子科技集團公司第十三研究所等合作，成功實現了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質量外延，為第三代半導體的硅基集成提供了新的技術路線。 二、基于低維半導體材料的高靈敏光電器件。本項目通過發展高質量硫族半導體的外延生長新工藝，系統研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導體材料的光電性質，極大地拓展了傳統的半導體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質結構筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢壘，獲得了高性能二維異質結光電器件；發展了納米線場效應晶體管器件表面修飾方法，調節晶體管特性為強增強型，利用這種設計，實現了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測器件。本項目實現了從深紫外區到中遠紅外區的寬波段高靈敏度檢測，相關成果發表在Science Advances、ACS Nano等國際知名刊物上，共計30余篇，授權專利6項。 三、后摩爾時代新型低維電子信息器件。本項目基于低維半導體材料及其異質結構的物性調控，首次提出了二維半導體材料中的“增強陷阱效應”物理模型，實現了高性能的亞帶隙紅外探測器和非易失性光電存儲器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場依賴性，在二維黑磷晶體管中實現了室溫負微分電阻特性；通過構筑亞5 nm溝道二維鐵電負電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創新性的提出多層二維范德華非對稱異質結構，實現了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當時最高指標；發展了新型存算一體架構電子器件技術，首次演示了兼具信息存儲和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當前算力瓶頸，提供集成電路發展的新途徑。相關成果發表在Nature Electronics、Nature Communications等國際知名刊物上，共計60余篇，授權專利7項。

在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應用的關鍵技術難點。然而，高品質晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學電子科學與工程學院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統環境加熱技術的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實現僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅動晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環境加熱的室溫“冷”環境下，其生長速度可以高達3.5 μm/s，比傳統加熱方式納米線生長速度提高了3個數量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導定位，并成功展示了豐富的線形調控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調控激光照射時序，可以對納米線生長動態過程進行前所未有的精確調控（例如，對生長液滴實現瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實現對超長納米線的精準形貌/直徑編碼。基于此技術，成功在柔性PI襯底上生長高品質納米線溝道，并制備了納米線場效應晶體管（FET）器件，其電流開關比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環境中，直接定位生長和集成高品質晶硅納米線陣列，為推動各種高性能柔性電子器件的規模化應用提供關鍵的材料支撐和全新的技術路線。