葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

本發(fā)明公開了一種阻性傳感器陣列測(cè)量裝置，所述阻性傳感器陣列為共用行線和列線的阻性傳感器陣列；該測(cè)量裝置包括：標(biāo)準(zhǔn)電阻行，其包括一行N個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電阻，被增設(shè)于阻性傳感器陣列中，從而得到一個(gè)新的共用行線和列線的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個(gè)運(yùn)算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線一一對(duì)應(yīng)，各運(yùn)算放大器的反相輸入端、輸出端分別通過一根連接線與其所對(duì)應(yīng)行線連接；控制器，其具有至少(M+1)個(gè)IO端口以及至少N個(gè)ADC采樣端口，其中的(M+1)個(gè)IO端口與（M+1）個(gè)運(yùn)算放大器的同相輸入端一一對(duì)應(yīng)連接，其中

鐵粉作為工業(yè)的主要原材料，廣泛地應(yīng)用在機(jī)械、冶金、化工、航空航天材料領(lǐng)域。鐵基金屬粉末作為粉末冶金工業(yè)的基礎(chǔ)原材料，它的產(chǎn)量、品質(zhì)決定著粉末冶金工業(yè)的發(fā)展。但鐵粉也存在著一些缺點(diǎn)，如易腐蝕，耐氧化穩(wěn)定性差，表面容易形成氧化層。用鎳磷包覆鐵粉可以取代鎳、鐵的混合粉末，降低生產(chǎn)成本，改善混合粉末的流動(dòng)性、均質(zhì)性（沒有組成偏析）、抗氧化性、耐腐蝕性和耐磨性。本項(xiàng)目的目的是提供一種簡(jiǎn)單、易操作、成本較低的制備鎳磷包覆鐵粉的化學(xué)鍍方法，制得的鐵粉表面鎳磷鍍層均勻。該項(xiàng)目具有操作方便，包覆均勻，成本低廉等優(yōu)勢(shì)，發(fā)明的這種工藝同樣可以應(yīng)用于其他金屬粉末，如銀粉、銅粉。鐵粉表面化學(xué)鍍鎳磷合金后，耐蝕、抗氧化性能大大提高。

主要生產(chǎn)藥用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液體瓶等產(chǎn)品。現(xiàn)擁有14條國(guó)際先進(jìn)的拉管生產(chǎn)線，70余臺(tái)國(guó)際先進(jìn)的制瓶機(jī)，年產(chǎn)各類安瓿/管制瓶32億支，藥用玻管（精品7.0）30000噸。

用于炎癥性腸病患者的低脂低滲低渣型腸內(nèi)營(yíng)養(yǎng)粉劑，含有如下成分：蛋白質(zhì)、脂肪、碳水化合物、復(fù)合維生素、礦物質(zhì)、表沒食子兒茶素沒食子酸酯，且不含麩質(zhì)，蛋白質(zhì)由乳清蛋白質(zhì)粉、L 谷氨酰胺提供；脂肪以長(zhǎng)鏈脂肪酸和中鏈脂肪酸形式提供，ω 6/中鏈脂肪酸/ω 3/ω 9＝40％/40％/10％/10％；碳水化合物為麥芽糊精。本發(fā)明適合胃腸道功能較差、易發(fā)生腹瀉者，或需要低脂低渣飲食的人群，如炎癥性腸病患者、胰腺炎患者初經(jīng)口飲食的過渡、心衰患者、禁食后初始使用腸內(nèi)營(yíng)養(yǎng)的患者、膽囊炎、膽結(jié)石、膽囊切除術(shù)、肥胖人群、腸道手術(shù)準(zhǔn)備、胃腸手術(shù)后患者等，并提供均衡營(yíng)養(yǎng)支持的粉劑制品，容易沖調(diào)和保存，方便劑量和滲透壓的控制，提高患者生活質(zhì)量。

本發(fā)明公開了一種低腐蝕和低甲醛釋放聚甲醛組合物及其制備方法與應(yīng)用。該組合物，包括共聚聚甲醛樹脂、有機(jī)甲醛吸收劑、無機(jī)甲醛和甲酸吸收劑、抗氧劑、潤(rùn)滑劑和結(jié)晶成核劑。該組合物可以使用在對(duì)甲醛釋放量和腐蝕性要求極其苛刻的應(yīng)用場(chǎng)合，避免了傳統(tǒng)甲醛吸收劑所帶來的色變、揮發(fā)和遷出等問題，同時(shí)還具有極佳的吸收甲酸的效果，制備方法操作簡(jiǎn)便，很容易應(yīng)用到聚甲醛技術(shù)領(lǐng)域。

隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)，傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計(jì)算需求。與此同時(shí)，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過引入憶阻器新器件、模擬計(jì)算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)計(jì)算能力的飛躍。 目前被廣泛使用的經(jīng)典馮·諾依曼計(jì)算架構(gòu)下數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理是分離的，存儲(chǔ)器與處理器之間通過數(shù)據(jù)總線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，在面向大數(shù)據(jù)分析等應(yīng)用場(chǎng)景中，這種計(jì)算架構(gòu)已成為高性能低功耗計(jì)算系統(tǒng)的主要瓶頸之一：數(shù)據(jù)總線的有限帶寬嚴(yán)重制約了處理器的性能與效率，且存儲(chǔ)器與處理器之間存在嚴(yán)重性能不匹配問題。憶阻器存算一體系統(tǒng)把傳統(tǒng)以計(jì)算為中心的架構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構(gòu)，其直接利用阻變器件進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，通過將器件組織成為交叉陣列形式，實(shí)現(xiàn)存算一體的矩陣向量乘計(jì)算。憶阻器存算一體系統(tǒng)可以避免數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)和計(jì)算中反復(fù)搬移帶來的時(shí)間和能量開銷，消除了傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)中的“存儲(chǔ)墻”與“功耗墻”問題，可以高效、并行的完成基礎(chǔ)的矩陣向量乘計(jì)算，未來極有潛力成為支撐人工智能等新興應(yīng)用的核心技術(shù)。 清華大學(xué)吳華強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了材料與器件、電路設(shè)計(jì)、架構(gòu)和算法的軟硬件協(xié)同等多方面原始創(chuàng)新，解決了系統(tǒng)精度損失等被廣泛關(guān)注的難題： 材料與器件創(chuàng)新。科研團(tuán)隊(duì)選擇了電學(xué)特性穩(wěn)定的二氧化鉿作為憶阻層核心材料，提出了通過插入少量氧化鋁層來固定離子分布、抑制晶粒間界形成的新理論，提出了引入熱增強(qiáng)層的新原理器件結(jié)構(gòu)，成功抑制了憶阻器非理想特性的產(chǎn)生。 電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新。開發(fā)了一套憶阻器與晶體管的混合電路設(shè)計(jì)方法，提出“差分電阻”設(shè)計(jì)思想，采取源線電流鏡限流設(shè)計(jì)，抑制了憶阻器電路中可能產(chǎn)生的各種計(jì)算誤差。 算法創(chuàng)新。提出了混合訓(xùn)練算法，僅用小數(shù)據(jù)量訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)并只更新最后一層網(wǎng)絡(luò)的權(quán)重，即可將存算一體硬件系統(tǒng)的計(jì)算精度達(dá)到與軟件理論值相同的水平。 “技術(shù)鏈”創(chuàng)新。從“單點(diǎn)技術(shù)突破”拓展到“技術(shù)鏈突破”，開發(fā)了針對(duì)憶阻器存算一體芯片的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具，打通了從電路模塊設(shè)計(jì)到系統(tǒng)綜合再到芯片驗(yàn)證的設(shè)計(jì)全流程。 上述理論和方法發(fā)表于《自然》《自然·納米技術(shù)》《自然·通訊》等國(guó)際頂級(jí)期刊，以及被譽(yù)為“集成電路奧林匹克”的“國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)”等頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議。研究成果被“國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖”和30多部綜述文章長(zhǎng)篇幅引用。團(tuán)隊(duì)已在該研究方向申請(qǐng)國(guó)內(nèi)外專利72項(xiàng)，其中30項(xiàng)已獲得授權(quán)，知識(shí)產(chǎn)權(quán)完全自主可控。 團(tuán)隊(duì)已研制出全球首款憶阻器存算一體芯片和系統(tǒng)，集成了8個(gè)憶阻器陣列和完整的外圍控制電路，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了計(jì)算設(shè)備的算力。全系統(tǒng)的計(jì)算能效比當(dāng)前主流的人工智能計(jì)算平臺(tái)——圖形處理器（GPU）高兩個(gè)數(shù)量級(jí)。團(tuán)隊(duì)還設(shè)計(jì)了一款基于130nm工藝研制的完整憶阻器存算一體芯片，在MNIST數(shù)據(jù)集上計(jì)算速度已超過市面上28nm工藝的四核CPU產(chǎn)品近20倍，能效有近千倍的優(yōu)勢(shì)。

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術(shù)興起，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)，傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計(jì)算需求。與此同時(shí)，摩爾定律逐漸放緩，單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術(shù)極限，通過引入憶阻器新器件、模擬計(jì)算新范式、存算一體新架構(gòu)，將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)計(jì)算能力的飛躍。

現(xiàn)有的有機(jī)氮測(cè)定方法主要基于差減法，存在多方面測(cè)定的累加誤差，結(jié)果難免不夠精確和可靠。本發(fā)明技術(shù)是一種體積排阻色譜聯(lián)用型氮檢測(cè)器及應(yīng)用，其對(duì)有機(jī)氮的檢測(cè)原理在于通過體積排阻色譜柱實(shí)現(xiàn)有機(jī)氮和無機(jī)氮的分離，然后通過石英螺旋管結(jié)合紫外氧化的方式將有機(jī)氮轉(zhuǎn)變?yōu)橄鯌B(tài)氮，通過紫外檢測(cè)器檢查硝態(tài)氮在220nm的紫外吸收，實(shí)現(xiàn)定量分析。

本發(fā)明公開了一種井間并行電阻率 CT 測(cè)試方法，是對(duì)鉆孔間地質(zhì)條件及構(gòu)造特征進(jìn)行探查的一種物探技術(shù)。通過在兩兩鉆井之間布置測(cè)試系統(tǒng)，形成 64 個(gè)電極的井間測(cè)線，采用并行電法數(shù)據(jù)采集技術(shù)進(jìn)行單極或偶極供電與測(cè)試，獲得井間電性采集數(shù)據(jù)，形成井間不同電極間層析數(shù)據(jù)體。通過井間電阻率層析成像技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)測(cè)試區(qū)域電阻率及激電參數(shù)成像，進(jìn)一步評(píng)價(jià)其巖層及構(gòu)造特征狀況，獲得地質(zhì)解釋成果及認(rèn)識(shí)。該套測(cè)試系統(tǒng)可完成 1200m 深井的數(shù)據(jù)采集。