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主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達97%，吸收紫外光，達98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達0.2nm，摩擦系數≤0.08，電阻率達（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機滑塊，滑動環等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。

成功開發具有自主知識產權的新型淺色導電晶須，用晶須替代納米顆粒作為 基體制備導電填料加入纖維基體中，具有比導電超細顆粒更好的分散性，而且由 于晶須是棒狀結構，分散在纖維中可以通過搭接的方式首尾相接，更利于纖維導 電。淺色導電晶須的開發研究對白色導電纖維的制備提供了理論和實踐基礎，葛 明橋教授團隊開發的白色導電纖維經檢測達到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法 紡絲）達到導電纖維要求，是國內導電纖維領域的一項重大突破，可提高白色導 電纖維自產率，應用前景廣闊。 2 關鍵技術 （1）將高速攪拌與化學共沉積法結合，制備出的淺色導電二氧化鈦納米晶 須的電阻率達到了 103 ??cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過濕法紡絲方法制備出復合導電纖維，315 該種纖維的電阻達到了 106?。 （3）與企業合作制備導電母粒，進而通過熔融紡絲方法制備出各種復合結 構的導電纖維，該種纖維的電阻達到了 109?。 3 知識產權及項目獲獎情況 發表學術論文 9 篇；申請專利 6 項 4 項目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應釜，實現產業化生產 5 投資期望及應用情況 目前已與部分企業合作，成功制備該導電材料并應用于化纖、纖維素等。

本發明公開了一種非晶合金零件的快速成形方法，包括首先對 電磁成形系統中的電容器充電，然后采用電脈沖放電對非晶合金進行 快速升溫使其溫度升至過冷液態溫度，在溫度達到設定溫度停止電脈 ·549·沖放電，同時使所述電磁成形系統的電容器放電，產生電磁力并驅動 過冷液態的非晶合金變形至模具中，即可實現非晶合金零件的快速成 形。本發明還公開了利用上述方法所制備的非晶合金零件。本發明通 過對熱塑性成形過程中的加熱方式、成形驅動方式

本發明公開了一種基于洛倫茲力的非晶合金成形方法及裝置， 該方法包括：非晶合金樣件在感應電流的作用下升溫至過冷液態區， 同時在洛倫茲力的驅動下變形至模具冷卻成形；感應電流和洛倫茲力均由成形線圈放電產生，感應電流由設置在成形線圈周圍的導體在成 形線圈放電過程中感應產生，洛倫茲力由放電過程中成形線圈產生的 磁場與非晶合金樣件流過的感應電流共同作用產生，導體與非晶合金 樣件構成感應回路，以使感應電流流過所述非晶合金樣件。非晶合金 樣件的升溫、成形、冷卻過程在數毫秒脈沖放電時間內一次完成，具 有升溫、成形、冷

 高性價比太陽光伏電池技術，及其低成本規模化開發應用，是我國中長期科技發展規劃中所框定的重點“能源領域”技術突破方向之一。新一代高性能柔性薄膜太陽能電池為豐富光伏器件應用和推廣太陽能建筑一體化提供關鍵基礎，而其實現的核心技術在于制備高品質、穩定且低成本的柔性薄膜材料。本項目在可規模化應用的柔性薄膜襯底上實現低溫晶硅薄膜外延生長、分離轉移、器件優化和先進納米構建框架等一系列核心技術。同時，通過融合和集成先進納米構建體系和材料性能調控，探索新一代高性價比薄膜光伏電池。

本發明公開了一種豌豆淀粉和蠟質玉米淀粉納米晶復合膜的制備方法，包括以下步驟：(1)將含質量分數為0.047％的豌豆淀粉，質量分數為0.023％的甘油的水溶液，經沸水浴攪拌加熱40-50min后冷卻至45-55℃；(2)向步驟(1)所得溶液中加入WMSNC，所述WMSNC的加入量為PS干基含量的1％-9％；(3)將步驟(2)所得溶液磁力混合攪拌25-35min后倒入抽濾瓶中，用真空度為1.0MPa的真空泵脫氣6-15min，得復合膜液體；(4)取上述復合膜液體平鋪于平面皿上，置于35-45℃的恒溫干燥箱中干燥即得復合膜。添加WMSNC后，復合膜的TS和M增加，而E降低，透水系數和透水速率顯著降低。純PS膜表面平整、光滑，隨著WMSNC添加量的增加復合膜表面逐漸粗糙。

產品詳細介紹1.概述揚州晶明測試技術有限公司(http://www.yzjmtest.com/comp/2-JM3812ZB.htm)生產的JM3812ZB無線應變是每臺16個測點的無線應變儀。每個測點分別自動平衡，可用一臺計算機直接觀察最多100臺儀器的測試狀態。所有操作均由計算機完成。我們無線應變儀穩定性好，抗干擾能力強，廣泛應用于橋梁、建筑物、飛機、船舶、車輛、起重機械狀態測試，本系統采用zigbee通訊協議，基本低功耗設計，內置高容量鋰電池，給工程測試帶來極大的方便。2.應用范圍2.1 根據測量方案，完成全橋、半橋、1／4橋（公用補償片）狀態的靜態應力應變的多點巡回檢測.2.2 和各種橋式傳感器配合，實現壓力、力、荷重、位移等物理量的多點巡回檢測.2.3 與熱電偶配合，通過熱電偶分度號的計算，對溫度進行多點巡回檢測.2.4 對輸出電壓小于20mV的電壓信號進行巡回檢測，分辨率可達1μν.3.特點3.1 采用進口高性能機械繼電器，通過特殊的電路設計，消除了開關切換時，接觸電勢的變化對測量結果的影響。因此所有指標均包含了切換開關的影響.3.2 先進的隔離技術和合理的接地，使系統具有極強的抗干擾能力。每個測點可任意組橋，具有較強的靈活性，適用于各種工程現場的檢測。 3.3 數據采集箱可通過USB口和計算機通訊，采集箱網絡化分布式設計。4.技術指標4.1 測量點數:16點/臺（用戶自選）;4.2采樣頻率：10Hz4.3組網接口：無線 4.4 適用應變片電阻值:50～10000Ω任意設定;4.5 應變片靈敏度系數:1.0～3.0自動修正;4.6 供橋電壓:2V(DC);4.7 測量應變范圍:±19999με;4.8 最高分辨率:1με; 4.10 系統精度: ± 0.3％Fs±2με;4.11 溫漂:不大于3με/2h;4.12 平衡范圍:±15000με(無需電容平衡);4.13 長導線電阻修正范圍:0.0～100Ω;4.14 電源:220V±10％ 50Hz±2％;4.15 使用環境:GB6587.1-86-Ⅱ組;5.系統軟件 全漢化的WINDOWS應用軟件，方便直觀的應變、應力、橋式傳感器、拾振器等測試的參數設置功能。自動平衡、手動采樣、連續采樣、定時采樣等方式，自動完成測量結果的修正，實時顯示測量數值、應力和應變花計算，滿足靜態樁基抗壓、抗拔、水平靜載荷試驗；報告打印等功能，操作簡單、方便。數據文件可轉換為Text(.txt)、Excel(.xls)文件格式。開放的二次分析數據接口。揚州晶明科技有限公司揚州晶明測試技術有限公司地址: 江蘇揚州市維揚路25號公司主頁 http://www.yzjmtest.com公司郵箱 [email protected]電話     0514-87850416,87867922,82960507傳真     0514-82960507聯系人   唐先生手機     15952768463QQ       1225605447MSN      [email protected] 個人郵箱 [email protected] 或 [email protected]  

隨著科技的不斷發展，笨重的陰極射線管(CRT)顯示器越來越不能滿足需求。而液晶顯示器(LCD)則因具有能耗低、重量輕、超薄、圖像柔和等一系列突出的性能得到了迅猛發展。 液晶材料是液晶顯示器的核心材料之一，它賦予液晶顯示器各種優良的性能。國內高檔液晶材料主要被大日本油墨化學工業株式會社、日本Chisso公司、德國Merck公司壟斷。目前，國內只有幾家企業能批量生產中低檔液晶材料，尚無廠家

本發明提供了一種倍半萜衍生物的晶型及其制備方法與用途，晶型A的X?ray粉末衍射圖譜中，2θ衍射角在6.840±0.2、9.390±0.2、15.980±0.2、16.830±0.2、17.780±0.2、18.760±0.2、19.340±0.2、20.400±0.2、21.910±0.2、23.280±0.2、25.520±0.2、26.680±0.2、27.490±0.2、32.110±0.2、32.300±0.2、37.980±0.2、44.230±0.2的位置對應有特征衍射峰。本發明所述的晶型A結晶度高、基本上具有不吸濕性；顯示出更有利的溶解動力學。