一種高量子效率的微結(jié)構(gòu)碳化硅紫外光電探測(cè)器及其制備方法
一種高量子效率的微結(jié)構(gòu)碳化硅紫外光電探測(cè)器及其制備方法,屬于紫外光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域。該探測(cè)器采用自下而上的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),包括碳化硅高摻雜n+型襯底、n型緩沖層、低摻雜n?型吸收層、低摻雜p?型吸收層(內(nèi)含微結(jié)構(gòu))、環(huán)形高摻雜p+型歐姆接觸層及鈍化隔離層。通過(guò)在p+型歐姆接觸電極施加反向偏壓,形成耗盡電場(chǎng),微結(jié)構(gòu)促使p??i?n結(jié)構(gòu)電場(chǎng)相互連接耦合,提高光生載流子耗盡效率,增強(qiáng)器件響應(yīng)度和外量子效率。同時(shí),微結(jié)構(gòu)使短波紫外信號(hào)直接穿透p?型吸收層進(jìn)入內(nèi)部吸收層,避免p+型歐姆接觸層表面缺陷導(dǎo)致的光生載流子復(fù)合,提高光生載流子收集的效率,實(shí)現(xiàn)紫外全波段探測(cè)。
廈門(mén)大學(xué)
2021-01-12