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針對(duì)載流子表界面復(fù)合的問題，研究團(tuán)隊(duì)通過在氮化鉭薄膜上下界面分別修飾p型的Mg:GaN層和n型的In:GaN層，一方面鈍化氮化鉭薄膜的界面缺陷，另一方面通過構(gòu)建異質(zhì)結(jié)提升界面載流子分離能力，實(shí)現(xiàn)了最高為3.46%的ABPE，這是目前基于氮化鉭光陽極的最高效率值（圖）。將體相和界面載流子管理策略相結(jié)合，有望進(jìn)一步提升氮化鉭光陽極的效率。

中國(guó)海洋大學(xué)服務(wù)器、圖形工作站、相機(jī)等設(shè)備采購項(xiàng)目（二次）競(jìng)爭(zhēng)性磋商

利用有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDs)中激發(fā)態(tài)的指紋式磁效應(yīng)曲線作為一種靈敏高效的探測(cè)工具，物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院熊祖洪課題組在有機(jī)半導(dǎo)體明星材料¾紅熒烯（Rubrene）中發(fā)現(xiàn)了一個(gè)有利于增強(qiáng)器件發(fā)光效率的激子演化通道，即激子的高能態(tài)反向系間竄越（High-Level Reverse Intersystem Crossing (HL-RISC)，T2®S­1®S0+hn）過程，并通過調(diào)控器件載流子濃度、工作溫度、客體摻雜濃度以及控制器件結(jié)構(gòu)對(duì)該HL-RISC通道的產(chǎn)生條件、正常與反常的物理行為表現(xiàn)以及如何實(shí)現(xiàn)高效率發(fā)光和低效率滾降等方面進(jìn)行了詳細(xì)探究。 OLEDs在平板顯示和固態(tài)照明領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，盡管基于有機(jī)發(fā)光的手機(jī)顯示屏和電視已開始市場(chǎng)化，但進(jìn)一步提升其發(fā)光效率和延長(zhǎng)其使用壽命仍然是該領(lǐng)域的兩大研究方向。因理論上能夠?qū)崿F(xiàn)100%的內(nèi)量子效率，具有常規(guī)RISC (T1®S­1)通道的熱活化延遲熒光(Thermally-assisted delayed fluorescence, TADF)有機(jī)材料和具有HL-RISC (T2®S­1)過程的有機(jī)半導(dǎo)體是目前OLEDs領(lǐng)域的熱點(diǎn)研究體系，這是由于無論是RISC還是HL-RISC都可以將占激子總數(shù)3/4的不發(fā)光三重態(tài)T激子轉(zhuǎn)變成發(fā)光的單重態(tài)S激子，從而實(shí)現(xiàn)發(fā)光效率的成倍增強(qiáng)。顯然，研究這些激子及其前驅(qū)體(precursor, 如極化子對(duì)(polaron-pair))和TADF材料以及激基復(fù)合物材料中電荷轉(zhuǎn)移態(tài)(charge-transfer states)激子的形成機(jī)制及其演化規(guī)律對(duì)進(jìn)一步認(rèn)識(shí)OLEDs的器件物理和設(shè)計(jì)制造高效率OLEDs具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用價(jià)值。近年來，熊祖洪課題組一直致力于采用有機(jī)半導(dǎo)體光電子器件中多種微觀過程具有的指紋式磁效應(yīng)(包括magneto-conductance、magneto-electroluminescence、magneto-photoluminescence以及magneto-photocurrent)曲線，系統(tǒng)深入地研究了多種有機(jī)光電子體系的器件物理并取得了一系列研究成果。

我國(guó)水處理技術(shù)起步較晚，大部分是剖析、仿制或依據(jù)國(guó)外專利研制的，再加上我國(guó)水處理劑工業(yè)發(fā)展歷史較短，科研經(jīng)費(fèi)有限,因此具有基礎(chǔ)薄弱、技術(shù)比較落后、整體水平不高的特點(diǎn)。雖然經(jīng)過“八五”、“九五”攻關(guān)在水處理藥劑開發(fā)方面達(dá)到了較高水平，但是隨著環(huán)保和節(jié)水意識(shí)的加強(qiáng)，在水處理藥劑的低磷化、環(huán)保化方面，在水處理藥劑生產(chǎn)的連續(xù)化、自動(dòng)化、標(biāo)準(zhǔn)化方面，水處理藥劑

伊辛超導(dǎo)是指超導(dǎo)庫珀對(duì)的自旋被有效的塞曼磁場(chǎng)固定住，由此表現(xiàn)出極強(qiáng)的的面內(nèi)臨界磁場(chǎng)（遠(yuǎn)超其泡利順磁極限）。通過分子束外延法在雙層石墨烯終止的6H-SiC(0001)襯底上成功制備出大面積（毫米以上）原子級(jí)平整的高質(zhì)量單層過渡族金屬硫化物NbSe2薄膜（僅0.6 nm厚），在此基礎(chǔ)上對(duì)其覆蓋非晶態(tài)Se保護(hù)層，進(jìn)而對(duì)非原位的電輸運(yùn)物性展開了系統(tǒng)研究。研究發(fā)現(xiàn)：?jiǎn)螌覰bSe2薄膜表現(xiàn)出超過6 K的起始超導(dǎo)臨界轉(zhuǎn)變溫度和高達(dá)2.40 K的零電阻溫度，超過了早期機(jī)械剝離獲得的單層NbSe2以及分子束外延生長(zhǎng)的單層NbSe2的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度。同時(shí)，強(qiáng)磁場(chǎng)和極低溫下的輸運(yùn)測(cè)量結(jié)果直接證實(shí)了平行特征臨界場(chǎng)Bc//(T = 0)是順磁極限場(chǎng)的5倍以上，符合Zeeman保護(hù)的伊辛超導(dǎo)機(jī)制（前期NbSe2薄片中的伊辛超導(dǎo)證據(jù)需要實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的理論擬合在更低溫更高磁場(chǎng)下的外推）。此外，極低溫垂直磁場(chǎng)下的電輸運(yùn)測(cè)量表明，單層NbSe2薄膜在接近絕對(duì)零度時(shí)的量子臨界點(diǎn)表現(xiàn)出量子格里菲斯奇異性。

本發(fā)明構(gòu)建一種新型混合佐劑 DDA/PolyI:C。該混合佐劑組 (AMM+DDA/PolyI:C)和單獨(dú)佐劑組(AMM/DDA)分別加強(qiáng)免疫 小鼠兩次后，脾臟淋巴細(xì)胞經(jīng)抗原 AMM 刺激后，皆可產(chǎn)生分泌較僅 有融合蛋白 AMM 組高的 IFN-γ; 肺部荷菌量試驗(yàn)表明佐劑實(shí)驗(yàn)組加 強(qiáng) BCG 免疫后，肺部荷菌量都較 PBS 組低;肺組織病理分析顯示混 合佐劑組 AMM+DDA/P

可以量產(chǎn)/n該項(xiàng)目突破了豬流行性腹瀉病毒培養(yǎng)條件苛刻的技術(shù)瓶頸，以目前流行的PEDV變異毒株和TGEV為基礎(chǔ)，研制了豬流行性腹瀉和豬傳染性胃腸炎二聯(lián)滅活疫苗。