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高等教育領域數字化綜合服務平臺
關于公布2021年度化學科學部原創探索計劃項目（第二批）評審會專家的公告
2021年12月9日，化學科學部組織評審2021年度第二批專家推薦類原創探索計劃項目。根據國家自然科學基金委員會相關規定，現發布評審會專家名單。
國家自然科學基金委員會化學科學部
2021-12-15
【第57屆高博會系列報道之三】第二屆云端教學發展大會在陜西西安舉辦
大會以“云網融合教育創新突出應用示范引領”為主題，聚焦教育信息化和教育資源數字化建設，共研新形勢下教育變革路徑，共商新時代云端教學發展大計，共助高校教育教學模式創新與發展。
中國高等教育學會
2022-08-06
中國高等教育學會關于召開第二屆數字時代創新創業教育研討會的通知
為探討當前高校該如何抓住數字經濟和新一輪產業革命的契機，將數字技術積極融入創新創業教育，激發創造，成就創新，賦能創業，持續深化創新創業教育改革，賦能高校專創融合、科創融合、人才培養、數字創業以及高質量雙創實踐教育體系，經研究，中國高等教育學會決定舉辦第二屆數字時代創新創業教育研討會。
中國高等教育學會
2023-03-30
第二屆科創中國·高等學校技術交易大會成功舉辦
4月9日，由中國科協和重慶市人民政府指導，中國高等教育學會聯合重慶市級相關部門共同舉辦，學會科技服務專家指導委員會、哈爾濱工業大學、電子科技大學、重慶大學三所高校參與承辦的第二屆科創中國·高等學校技術交易大會在重慶國際博覽中心順利召開。
云上高博會
2023-04-11
中國高等教育學會關于舉辦第二屆科創中國·高等學校技術交易大會的通知
為全面貫徹落實黨的二十大精神，推動高校科技創新和成果轉化，服務科技自立自強和區域創新發展，在中國科協和重慶市人民政府的指導下，中國高等教育學會聯合重慶市級相關部門共同舉辦第二屆科創中國·高等學校技術交易大會。本次大會包括主論壇及集成電路、數字經濟、低碳與能源三大產業分論壇，并將與第58·59屆中國高等教育博覽會同期舉行。
中國高等教育學會
2023-03-23
關于高校設備更新改造及數字化建設解決方案供應商名錄（第二批）的公示
公示期2024年1月8日至2024年1月12日。
中國高等教育博覽會
2024-01-08
DT640-BC型裸片溫度計硅二極管低溫溫度傳感器錦正茂科技
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-11-17
電子科技大學基礎院李嚴波教授團隊與海外合作者在光電催化水氧化研究方面取得進展
針對載流子表界面復合的問題，研究團隊通過在氮化鉭薄膜上下界面分別修飾p型的Mg:GaN層和n型的In:GaN層，一方面鈍化氮化鉭薄膜的界面缺陷，另一方面通過構建異質結提升界面載流子分離能力，實現了最高為3.46%的ABPE，這是目前基于氮化鉭光陽極的最高效率值（圖）。將體相和界面載流子管理策略相結合，有望進一步提升氮化鉭光陽極的效率。
電子科技大學
2022-06-15
中國海洋大學服務器、圖形工作站、相機等設備采購項目（二次）競爭性磋商
中國海洋大學服務器、圖形工作站、相機等設備采購項目（二次）競爭性磋商
中國海洋大學
2022-06-02
熊祖洪教授課題組在有機發光二極管的器件物理研究領域取得新進展
利用有機發光二極管(OLEDs)中激發態的指紋式磁效應曲線作為一種靈敏高效的探測工具，物理科學與技術學院熊祖洪課題組在有機半導體明星材料¾紅熒烯（Rubrene）中發現了一個有利于增強器件發光效率的激子演化通道，即激子的高能態反向系間竄越（High-Level Reverse Intersystem Crossing (HL-RISC)，T2®S1®S0+hn）過程，并通過調控器件載流子濃度、工作溫度、客體摻雜濃度以及控制器件結構對該HL-RISC通道的產生條件、正常與反常的物理行為表現以及如何實現高效率發光和低效率滾降等方面進行了詳細探究。 OLEDs在平板顯示和固態照明領域具有廣闊的應用前景，盡管基于有機發光的手機顯示屏和電視已開始市場化，但進一步提升其發光效率和延長其使用壽命仍然是該領域的兩大研究方向。因理論上能夠實現100%的內量子效率，具有常規RISC (T1®S1)通道的熱活化延遲熒光(Thermally-assisted delayed fluorescence, TADF)有機材料和具有HL-RISC (T2®S1)過程的有機半導體是目前OLEDs領域的熱點研究體系，這是由于無論是RISC還是HL-RISC都可以將占激子總數3/4的不發光三重態T激子轉變成發光的單重態S激子，從而實現發光效率的成倍增強。顯然，研究這些激子及其前驅體(precursor, 如極化子對(polaron-pair))和TADF材料以及激基復合物材料中電荷轉移態(charge-transfer states)激子的形成機制及其演化規律對進一步認識OLEDs的器件物理和設計制造高效率OLEDs具有重要的科學意義和應用價值。近年來，熊祖洪課題組一直致力于采用有機半導體光電子器件中多種微觀過程具有的指紋式磁效應(包括magneto-conductance、magneto-electroluminescence、magneto-photoluminescence以及magneto-photocurrent)曲線，系統深入地研究了多種有機光電子體系的器件物理并取得了一系列研究成果。
西南大學
2021-02-01