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單層半導體性過渡族金屬硫屬化合物（MX2: MoS2, WS2 等）是繼石墨烯之后備受關注的二維層狀材料。該類材料具有優異的電學性質、強的光物相互作用、高效的催化特性等，在光電子學器件、傳感器件、電催化產氫等領域具有非常廣闊的應用前景。單層MX2 材料的批量制備和高品質轉移是關鍵的科學問題。現有方法仍面臨著諸多重大挑戰，例如，難以實現晶圓尺寸的層數均勻性、單晶疇區小、生長速度緩慢、生長襯底價格昂貴、轉移過程復雜、容易引入污染物等。北京大學張艷鋒課題組是國內較早開展相關研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產氫應用方面取得了一系列重要進展：基于范德華外延的機理，他們在晶格匹配的云母基底上首次獲得了厘米尺度均勻的單層MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)，他引198次)； 在藍寶石上獲得了大疇區單層WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次)；發展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實現了疇區尺寸可調單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態、電子結構和電催化析氫之間的構效關系 (ACS Nano 8, 10196 (2014)，他引124次)。上述成果也受邀撰寫綜述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015)，他引92次)。最近他們在大尺寸均勻MoS2的批量制備以及“綠色”轉移方面取得重要進展。他們選用廉價易得的普通玻璃作為基底，創新性地采用Mo箔作為金屬源(與S粉共同作為前驅體)，采用“face-to-face”的金屬前驅體供給方式，實現了前驅體在樣品上下游的均勻供應，使得樣品尺寸可以得到最大限度的放大(僅受限于爐體尺寸)，獲得了對角線長度可達6英寸的均勻單層MoS2; 結合DFT理論計算和系統的實驗結果發現，玻璃基底上微量的Na對材料生長起到明顯的促進作用, Na傾向于吸附在MoS2疇區的邊緣，起到顯著降低MoS2拼接生長能壘的作用，從而促進其快速生長。 獲取滿覆蓋單層樣品的生長時間僅為8 min，單晶疇區邊緣尺寸可達0.5 mm。此外，他們利用玻璃基底的親水特性，發展了一種無刻蝕的、僅利用超純水輔助的“綠色”轉移方法。該方法適用于晶圓尺寸樣品的快速轉移，且具有操作簡單，轉移樣品質量高等明顯優勢。該工作提出了利用廉價的普通玻璃基底來制備大面積、晶圓尺寸均勻、大疇區單層MoS2的新方法/新途徑，并深入分析了其生長機制，為相關二維材料的批量制備和高效轉移提供了重要的實驗依據，對于推動該類材料的實際應用具有非常重要的意義。

作為TFT液晶材料的“領軍者”，偕二氟雙環己烷的市場前景可想而知。目前，該材料技術由日本壟斷，本項目新技術的出現將有望打破該格局，為本土TFT液晶材料研究和產業化作出貢獻。

將此新材料用于二次電池的陽極，得到的電池容量密度為 137Ah.kg-1，能量密度為152Wh.kg-1；經 120 次充放電后充放電庫侖系數為 100%，能量密度僅下降了 9.2%。

分析了m-石英襯底用于二維材料的可控生長，以及其在取向、維度及能帶結構等多個方面對單層二硫化鎢的調制能力，論文第一作者為程春課題組博士生王經緯。 盡管石英和二硫化鉬具有不同的對稱性，但是兩者奇特的大周期匹配使取向排列的單層二硫化鎢外延生長成為可能。通過進一步調節反應條件，課題組實現了對單層二硫化鎢形貌從二維到一維的可控調節。同時，由于石英各向異性的熱膨脹系數，生長的單層二硫化鎢產生了隨

本發明公開了一種二維超大薄荷葉狀氧化鎳納米材料及其制備方法，稱取適量的四水合醋酸鎳和尿素，加入到60毫升去離子水，攪拌溶解，得到淺綠色溶液；將溶液轉移到100mL帶有聚四氟乙烯內襯的不銹鋼反應釜中，密封后置于烘箱中，設置溫度為110～130°C，反應10-14小時；反應結束后，自然冷卻至室溫，過濾洗滌，得綠色沉淀物；將烘干的綠色沉淀物放入電阻爐中，設置溫度為300～400°C，熱處理2～4小時，即得二維超大薄荷葉狀氧化鎳納米材料。荷葉直徑尺寸大小為1.8～2.5μm，厚度為10-20nm。這些納米荷

新型陶瓷基材料具有高硬度、高強度、優異的耐熱性、絕緣性和化學穩定性等特點，廣泛應用于機械工程、生物、電子等領域。但由于其硬而脆的特性，陶瓷材料的成型加工一直是一大挑戰。該研究巧妙利用數字光投影（Digital Light Processing, DLP）3D打印技術成型迅速、結構特征高保真的特點，成功制造了氧化鋯增韌氧化鋁（Zirconia Tou

本發明提出一種水介質分散鈰鋯氧化物納米材料的合成方法，包括以下步驟：（1）用Ce及Zr的無機鹽類水溶液與無機堿類水溶液進行沉淀反應，制備Ce-Zr混合氫氧化物沉淀物；（2）將Ce-Zr混合氫氧化物沉淀物加熱回流，制備Ce-Zr氫氧化物共溶體；（3）將Ce-Zr氫氧化物共溶體經過濾及洗滌，制備Ce-Zr氫氧化物水凝膠；（4）將Ce-Zr氫氧化物水凝膠與有機醇類、有機酸類、高聚物混合，制備Ce-Zr氧化物合成漿料；（5）將Ce-Zr氧化物合成漿料加熱并經一步水熱合成，得到水介質分散鈰鋯氧化物納米材料。本發明獲得鈰鋯氧化物納米顆粒為單晶體，納米尺度為2～8nm，在水介質中為單分散；鈰鋯氧化物的質量占納米材料溶膠體體積的百分數為5～10%。

本發明公開了一種用于超級電容器電極材料的納米氧化鎳的制備方法及其制備的納米氧化鎳，首先將NiCl2·6H2O與氯化膽堿基深共熔溶劑混合，得到質量濃度為10～30g/L的溶液Ⅰ；加熱至120～150℃，將100～300份的去離子水與1000份溶液Ⅰ混合，反應0.5～2h，經離心分離得到沉淀物，再經洗滌、干燥、煅燒后，得到所述的納米氧化鎳。本制備方法條件溫和、耗時短，適合大規模工業化生產；制備得到的花狀納米NiO的晶粒粒徑小于10nm，粒徑分布均勻且比表面積大，以其作為電極材料制備的超級電容器，具有較高的可逆容量和循環性能，3000次充放電循環后比容量仍穩定在460F/g附近。

本發明公開了一種脫硫用伽瑪型三氧化二鋁膜改性污泥活性炭,其原料組分為ALCL3·6H2O和污水處理廠污泥;制備步驟如下:①制備AL(OH)3溶膠;②制備污泥活性炭;③制備伽瑪型三氧化二鋁膜改性污泥活性炭。本發明應用于對低濃度的煙氣脫硫,有益效果是,首次將伽瑪型三氧化二鋁膜用于改性污泥活性炭的脫硫性能,有效提高了污泥活性炭的脫硫效率。